性能提升90% 臺積電16nm工藝芯片明年上馬

　　在芯片技術突飛猛進的當下，所有的芯片廠商都在不遺余力的改進自身的產品工藝，臺積電已經決定將16nmFinFET工藝的試產時間從2014年提前到2013年底，甚至還希望10nm的芯片能在2015年底用極紫外光刻技術制造。GlobalFoundries、三星電子這兩家代工廠也都已經宣布很快就會上馬FinFET立體晶體管技術。

　　只要試產的良品率過關，臺積電量產16nm的計劃估計最早會在明年年中實現。臺積電首席技術官孫元成(JackSun)日前表示：“我們對16nmFinFET工藝在明年的黃金時代(量產)充滿信心。”

　　據悉，16nm目前正在使用128MbSRAM進行測試，核心電壓0.8V，I/O電壓1.8V，良品率較預期更高。標準單元、內存單元等基礎性IP的準備工作已經完成，關鍵內部模塊的測試在6月份也會開始。

　　實際上，臺積電此舉也并非冒進。日前Imagination剛剛宣布和臺積電達成進一步的戰(zhàn)略合作伙伴關系，PowerVR6系列移動GPU未來會使用臺積電的16nmFinFET工藝生產，而幾乎同時，ARM和臺積電也聯(lián)合宣布，64-bitARMv8架構的Cortex-A57芯片已經成功完成了第一次流片，所用工藝正好也是臺積電的16nmFinFET。這些合作顯然給了臺積電的工藝進步帶來了動力。

　　臺積電估計，64-bitARMv8核心在16nm工藝上的性能將比28nm32-bitARMA9高出多達90%，而相比之下20nmA15核心只能提速大約40%。

　　關于16nm和20nm兩種制成周期相靠太近的問題，臺積電的官方說法是等到2017年的時候，臺積電20nm芯片的產量就會追上28nm。但有分析人士認為，20nm給芯片廠商帶來的優(yōu)勢有限，所以臺積電很可能只會將其作為一種過渡工藝。