臺(tái)積電工藝加速 16nm工藝年內(nèi)試產(chǎn)

　　隨著移動(dòng)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，業(yè)界對(duì)更高的半導(dǎo)體制程的需求再度進(jìn)入了一個(gè)高速發(fā)展的階段。作為全球半導(dǎo)體代工市場(chǎng)的老大，臺(tái)積電的工藝發(fā)展情況關(guān)系到眾多合作廠商的產(chǎn)品，因此臺(tái)積電的一舉一動(dòng)也頗受關(guān)注。日前，臺(tái)積電宣布已經(jīng)決定將16nmFinFET工藝的試產(chǎn)時(shí)間從2014年提前到2013年底，并且希望能在2015年底用極紫外光刻技術(shù)制造10nm的芯片。

　　在年初舉行的半導(dǎo)體大會(huì)上，臺(tái)積電就展示了其FinFET工藝晶圓，不過(guò)當(dāng)時(shí)臺(tái)積電并沒有透露FinFET工藝計(jì)劃將提前。

　　臺(tái)積電首席技術(shù)官孫元成(JackSun)表示：“我們對(duì)16nmFinFET工藝在明年的黃金時(shí)代(量產(chǎn))充滿信心。”他還披露，16nm目前正在使用128MbSRAM進(jìn)行測(cè)試，核心電壓0.8V，I/O電壓1.8V，良品率“超出預(yù)期”。標(biāo)準(zhǔn)單元、內(nèi)存單元等基礎(chǔ)性IP都已經(jīng)做好了準(zhǔn)備，但是關(guān)鍵內(nèi)部模塊的測(cè)試要到6月份才會(huì)開始。

　　據(jù)悉，64-bitARMv8核心在16nm工藝上的性能將比28nm32-bitARMA9高出多達(dá)90%，而相比之下20nmA15核心只能提速大約40%。

　　未來(lái)一段時(shí)間，半導(dǎo)體代工行業(yè)的升級(jí)競(jìng)賽將在三星、臺(tái)積電以及GF之間上演，究竟誰(shuí)能夠更早的拿出20nm甚至16nm技術(shù)將關(guān)系到整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的前進(jìn)步伐。