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分析造成元器件失效的因素 提高可靠性

作者: 時(shí)間:2013-05-02 來(lái)源:中國(guó)工業(yè)電器網(wǎng) 收藏

  是當(dāng)今新技術(shù)革命的核心,是發(fā)展的基礎(chǔ)。了解造成元器件失效的因素,以提高可靠性,是應(yīng)用的必要保證。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/144847.htm

  開展失效分析,需要采用一些先進(jìn)的分析測(cè)試技術(shù)和儀器。

  1 光學(xué)顯微鏡分析技術(shù)

  光學(xué)顯微鏡分析技術(shù)主要有立體顯微鏡和金相顯微鏡。

  立體顯微鏡放大倍數(shù)小,但景深大;金相顯微鏡放大倍數(shù)大,從幾十倍到一千多倍,但景深小。把這兩種顯微鏡結(jié)合使用,可觀測(cè)到器件的外觀,以及失效部位的表面形狀、分布、尺寸、組織、結(jié)構(gòu)和應(yīng)力等。如用來(lái)觀察到芯片的燒毀和擊穿現(xiàn)象、引線鍵合情況、基片裂縫、沾污、劃傷、氧化層的缺陷、金屬層的腐蝕情況等。顯微鏡還可配有一些輔助裝置,可提供明場(chǎng)、暗場(chǎng)、微分干涉相襯和偏振等觀察手段,以適應(yīng)各種需要。

  2 紅外分析技術(shù)

  紅外顯微鏡的結(jié)構(gòu)和金相顯微鏡相似。但它采用的是近紅外(波長(zhǎng)為0175~3微米)光源,并用紅外變像管成像。由于鍺、硅等半導(dǎo)體材料及薄金屬層對(duì)紅外輻射是透明的。利用它,不剖切器件的芯片也能觀察芯片內(nèi)部的缺陷及焊接情況等。它還特別適于作塑料封裝半導(dǎo)體器件的失效分析。

  紅外顯微分析法是利用紅外顯微技術(shù)對(duì)微電子器件的微小面積進(jìn)行高精度非接觸測(cè)溫的方法。器件的工作情況及失效會(huì)通過(guò)熱效應(yīng)反映出來(lái)。器件設(shè)計(jì)不當(dāng),材料有缺陷,工藝差錯(cuò)等都會(huì)造成局部溫度升高。發(fā)熱點(diǎn)可能小到微米以下,所以測(cè)溫必須針對(duì)微小面積。為了不影響器件的工作情況和電學(xué)特性,測(cè)量又必須是非接觸的。找出熱點(diǎn),并用非接觸方式高精度地測(cè)出溫度,對(duì)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、工藝過(guò)程控制、失效分析、可靠性檢驗(yàn)等,都具有重要意義。

  紅外熱像儀是非接觸測(cè)溫技術(shù),它能測(cè)出表面各點(diǎn)的溫度,給出試樣表面的溫度分布。

  紅外熱像儀用振動(dòng)、反射鏡等光學(xué)系統(tǒng)對(duì)試樣高速掃描,將發(fā)自試樣表面各點(diǎn)的熱輻射會(huì)聚到檢測(cè)器上,變成電信號(hào),再由顯示器形成黑白或彩色圖像,以便用來(lái)分析表面各點(diǎn)的溫度。

  3 聲學(xué)顯微鏡分析

  超聲波可在金屬、陶瓷和塑料等均質(zhì)材料中傳播。用超聲波可檢驗(yàn)材料表面及表面下邊的斷裂,可探測(cè)多層結(jié)構(gòu)完整性等較為宏觀的缺陷。超聲波是檢測(cè)缺陷、進(jìn)行失效分析的很有效的手段。將超聲波檢測(cè)同先進(jìn)的光、機(jī)、電技術(shù)相結(jié)合,還發(fā)展了聲學(xué)顯微分析技術(shù),用它能觀察到光學(xué)顯微鏡無(wú)法看到的樣品內(nèi)部情況,能提供X光透視無(wú)法得到的高襯度圖像,能應(yīng)用于非破壞性分析。

  4 液晶熱點(diǎn)檢測(cè)技術(shù)

  如前所述,半導(dǎo)體器件失效分析中,熱點(diǎn)檢測(cè)是有效手段。

  液晶是一種液體,但溫度低于相變溫度,則變?yōu)榫w。

  晶體會(huì)顯示出各向異性。當(dāng)它受熱,溫度高過(guò)相變溫度,就會(huì)變成各向同性的液體。利用這一特性,就可以在正交偏振光下觀察液晶的相變點(diǎn),從而找到熱點(diǎn)。

  液晶熱點(diǎn)檢測(cè)設(shè)備由偏振光顯微鏡、可調(diào)溫度的樣品臺(tái)和樣品的電偏置控制電路組成。

  液晶熱點(diǎn)檢測(cè)技術(shù)可用來(lái)檢查針孔和熱點(diǎn)等缺陷。若氧化層存在針孔,它上面的金屬層和下面的半導(dǎo)體就可能短路,而造成電學(xué)特性退化甚至失效。把液晶涂在被測(cè)管芯表面上,再把樣品放在加熱臺(tái)上,若管芯氧化層有針孔,則會(huì)出現(xiàn)漏電流而發(fā)熱,使該點(diǎn)溫度升高,利用正交偏振光在光學(xué)顯微鏡下,觀察熱點(diǎn)與周圍顏色的不同,便可確定器件上熱點(diǎn)的位置。

  由于功耗小,此法靈敏度高,空間分辨率也高。

  5 光輻射顯微分析技術(shù)

  半導(dǎo)體材料在電場(chǎng)激發(fā)下,載流子會(huì)在能級(jí)間躍遷而發(fā)射光子。半導(dǎo)體器件和集成電路中的光輻射可以分成三大類:一是少子注入pn結(jié)的復(fù)合輻射,即非平衡少數(shù)載流子注入到勢(shì)壘,并與多數(shù)載流子復(fù)合而發(fā)出光子。二是電場(chǎng)加速載流子發(fā)光,即在強(qiáng)電場(chǎng)的作用下產(chǎn)生的高速運(yùn)動(dòng)載流子與晶格上的原子碰撞,使之電離而發(fā)光。三是介質(zhì)發(fā)光。在強(qiáng)電場(chǎng)下,有隧道電流流過(guò)二氧化硅和氮化硅等介質(zhì)薄膜時(shí),就會(huì)有光子發(fā)射。

  光輻射顯微鏡用微光探測(cè)技術(shù),將光子探測(cè)靈敏度提高6個(gè)數(shù)量級(jí),與數(shù)字圖象技術(shù)相結(jié)合,以提高信躁比。

  20世紀(jì)90年代后,又增加了對(duì)探測(cè)到的光輻射進(jìn)行光譜分析的功能,從而能夠確定光輻射的類型和性質(zhì)。

  做光輻射顯微鏡探測(cè),首先要在外部光源下對(duì)樣品局部進(jìn)行實(shí)時(shí)圖像探測(cè),然后對(duì)這一局部施加偏壓,在不透光的屏蔽箱中,探測(cè)樣品的光輻射。

  半導(dǎo)體器件中,多種類型的缺陷和損傷在一定強(qiáng)度電場(chǎng)作用下會(huì)產(chǎn)生漏電,并伴隨載流子的躍進(jìn)而產(chǎn)生光輻射,這樣對(duì)發(fā)光部位的定位就可能是對(duì)失效部位的定位。目前,光輻射顯微分析技術(shù)能探測(cè)到的缺陷和損傷類型有漏電結(jié)、接觸尖峰,氧化缺陷、柵針孔、靜電放電損傷、閂鎖效應(yīng)、熱載流子、飽和態(tài)晶體管以及開關(guān)態(tài)晶體管等等。

  6 微分析技術(shù)

  微分析是對(duì)進(jìn)行深入分析的技術(shù)。元器件的失效同所用材料的化學(xué)成分、器件的結(jié)構(gòu)、微區(qū)的形貌等有直接關(guān)系。失效也與工藝控制的起伏和精確度、材料的穩(wěn)定性及各種材料的理化作用等諸多因素有關(guān)。為了深入了解和研究失效的原因、機(jī)理、模式,除了采用上述技術(shù)外,還要把有關(guān)的微區(qū)情況弄清楚,取得翔實(shí)的信息。

  隨著元器件所用材料的多樣化,工藝的復(fù)雜和精細(xì)化,尺寸的微細(xì)化,對(duì)微分析的要求越來(lái)越迫切。目前在國(guó)外已廣泛應(yīng)用這項(xiàng)技術(shù)作可靠性和失效分析。改革開放以來(lái),我國(guó)引進(jìn)大量大型分析測(cè)試儀器,已完全具備了開展微分析的條件。

  微分析技術(shù)是用電子、離子、光子、激光束、X)射線與核輻射等作用于待分析樣品,激發(fā)樣品發(fā)射出電子、離子、光子等,用精密的儀器測(cè)出它們的能量、強(qiáng)度、空間分布等信息,從而用來(lái)分析樣品的成分、結(jié)構(gòu)等。

  微分析工作的第一步,多數(shù)是看形貌,看器件的圖形、線系以及定位失準(zhǔn)等。為此可用掃描電鏡(SEM)和透射電子顯微鏡(STM)來(lái)觀測(cè),STM的放大倍數(shù)可達(dá)幾十萬(wàn)倍,幾乎能分辨出原子。

  為了了解制作元器件所用的材料,可用俄歇電子能譜(AES)、二次離子質(zhì)譜(SIMS)和X一光光電子譜(XPS)等儀器進(jìn)行探測(cè)。還可在使用SEM和STM作形貌觀察時(shí),用它們附帶的X一光能譜或波譜作成份分析。AES還能給出表面上成份分布。為了了解成分的深度分布,AES和XPS等儀器還有離子槍,邊作離子刻蝕邊作成分測(cè)試,便可得知成分按深度如何分布。為了得到更高的橫向分辨率,作AES測(cè)試時(shí),電子束的焦斑要小,要用小光斑的XPS.

  電子元器件所用的材料包括從輕元素到金鉑和鎢等重元素,探測(cè)不同的元素常常采用不同的儀器。如用AES探測(cè)輕元素時(shí),就不那么靈敏。

  器件檢測(cè)的一個(gè)重要方面是對(duì)薄膜和襯底的晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析,包括了解襯底的晶體取向,探測(cè)薄膜是單晶還是多晶,多晶的擇優(yōu)取向程度,晶粒大小,薄膜的應(yīng)力等,這些信息主要由X一光衍射(XRD)儀來(lái)獲取。轉(zhuǎn)靶X一光衍射儀發(fā)出很強(qiáng)的X一射線,是結(jié)構(gòu)探測(cè)很靈敏的儀器。SEM和STM在作形貌觀察的同時(shí),還能得到有關(guān)晶體結(jié)構(gòu)的信息,如觀察薄膜的晶粒。還可在STM上作電子衍射,它比普通的X一光衍射更加靈敏。

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