新聞中心

EEPW首頁(yè) > EDA/PCB > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 里昂喊買(mǎi)臺(tái)積電 先進(jìn)技術(shù)2015年量產(chǎn) 目標(biāo)價(jià)上看140元

里昂喊買(mǎi)臺(tái)積電 先進(jìn)技術(shù)2015年量產(chǎn) 目標(biāo)價(jià)上看140元

作者: 時(shí)間:2013-05-29 來(lái)源:鉅亨網(wǎng) 收藏

  里昂證券出具報(bào)告表示,看好(2330-TW)先進(jìn)技術(shù)2015年量產(chǎn),將可供應(yīng)20奈米設(shè)備和16奈米制程,預(yù)估其資本支出將再2014年達(dá)到高峰,雖然近期密集產(chǎn)能擴(kuò)張,但2015年將會(huì)衰退10%,考量現(xiàn)金流和回報(bào)率,給予買(mǎi)進(jìn),并將目標(biāo)價(jià)從126元上調(diào)140元。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/145817.htm

  制程部分,里昂證券指出,技術(shù)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在解決轉(zhuǎn)進(jìn)20奈米瓶頸的相關(guān)技術(shù),結(jié)構(gòu)性改變將使封裝具有更好效能和較低耗電量,預(yù)計(jì)在2015年前,積極搶進(jìn)16奈米FinFET晶片制造

  里昂證券也指出,隨著2大20奈米客戶轉(zhuǎn)進(jìn)16奈米技術(shù),預(yù)估臺(tái)積電2014年資本支出將達(dá)高峰,2015年資本支出將會(huì)年減10%,F(xiàn)inFET技術(shù)將讓臺(tái)積電不僅能在技術(shù)領(lǐng)先,也有相關(guān)政策補(bǔ)助,臺(tái)積電近期產(chǎn)能積極在擴(kuò)張,但由于設(shè)備升級(jí)的折舊,臺(tái)機(jī)電現(xiàn)金流也可望改善,對(duì)臺(tái)積電營(yíng)運(yùn)結(jié)構(gòu)是正向。

  里昂證券看好臺(tái)積電布局通訊產(chǎn)品,其領(lǐng)先技術(shù)執(zhí)行和穩(wěn)健財(cái)務(wù)基礎(chǔ),將是維持長(zhǎng)期市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)關(guān)鍵,維持買(mǎi)進(jìn)評(píng)等,并將目標(biāo)價(jià)從126元上調(diào)至140元。



關(guān)鍵詞: 臺(tái)積電 FinFET

評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專(zhuān)區(qū)

關(guān)閉