飛思卡爾在將MRAM技術投入商用方面行業(yè)領先

德州奧斯?。?006年7月10日－飛思卡爾半導體(NYSE:FSL, FSL.B)目前已經批量生產和提供第一款商用磁阻隨機存取存儲器（MRAM）設備。

飛思卡爾的4兆位（Mbit）MRAM是一款快速的非易失性存儲器產品，具有極強的耐用性——結合了其它任何單個半導體存儲器都不具備的多種特性。該設備基于飛思卡爾的超過100項專利所保護的技術，包括跳變位（Toggle-bit）切換。

“隨著MRAM的商用，飛思卡爾率先將這種技術推向市場，從而帶來巨大的可能性和潛力，”Semico Research的Bob  Merritt說，“為了率先推出MRAM，各公司之間的競爭異常激烈。這是飛思卡爾工程團隊積極努力的重大成果。”

MRAM采用磁性材料，同時結合傳統(tǒng)的硅電路，使單個的高耐用性設備既具備SRAM的速度，又擁有閃存的非易失性。飛思卡爾成功地將該技術投入商用，將促進新型電子產品的顯著改進，包括規(guī)格、成本、功耗和系統(tǒng)性能方面的改進。

    “行業(yè)第一款MRAM產品的商業(yè)推廣是飛思卡爾技術專家所進行的初創(chuàng)研究的重要里程碑。它進一步表明了我們對于為客戶帶來突破性技術以應對市場挑戰(zhàn)的承諾，” 飛思卡爾戰(zhàn)略和業(yè)務發(fā)展高級副總裁兼首席技術官 Sumit Sadana表示，“MRAM技術的獨特性能為我們目標市場帶來大量令人興奮的應用。”

飛思卡爾的第一款商用MRAM產品的名稱為MR2A16A，適用于多種商業(yè)應用，包括聯(lián)網、安全、數(shù)據(jù)存儲、游戲和打印機等。該部件經濟而又可靠，是替代battery-backed SRAM單元的理想產品。該設備還可用于cache buffers、configuration storage memories以及其它需要MRAM的速度、靈活性和穩(wěn)定性的應用。

關于MR2A16A
MR2A16A可在商用產品溫度范圍內運行，運行電壓為 3.3 伏，讀寫周期為35 nanosecond。它是256K words by 16 bits 的異步存儲器。該產品采用行業(yè)標準的SRAM引線輸出引腳，從而實現(xiàn)了系統(tǒng)設計的靈活性，而不會發(fā)生總線沖突。該設備采用400毫米的TSOP type-II RoHS封裝，在飛思卡爾位于亞利桑那州的200毫米Chandler Fab制造。

定價和供貨信息
MR2A16A MRAM產品已經上市，您可以從飛思卡爾半導體公司或選定的經銷商處購買(可登陸網址www.freescale.com) 。

關于飛思卡爾半導體
飛思卡爾半導體(NYSE: FSL，F(xiàn)SL.B)是全球領先的半導體公司，為汽車、消費、工業(yè)、網絡和無線市場設計和生產嵌入式半導體產品，并于2004年7月公開上市。公司總部位于德州奧斯汀，在全球30多個國家和地區(qū)擁有設計、研發(fā)、制造和銷售機構。飛思卡爾半導體是S&P 500â成員之一，也是全球最大的半導體公司之一，2005年的總銷售額達到58億美元。www.freescale.com