Vishay發(fā)布新款具有“R”失效率的QPL鉭氮化物薄膜片式電阻

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出通過MIL-PRF-55342認(rèn)證的新系列QPL表面貼裝片式電阻---E/H(Ta₂N)，該電阻具有公認(rèn)的高可靠性，失效率達(dá)到每1000小時0.01%的“R”級。新款E/H(Ta₂N)電阻采用耐潮的鉭氮化物電阻膜技術(shù)制造，為軍工和航天應(yīng)用提供了更好的規(guī)格指標(biāo)，包括0.1%的公差和25ppm/℃的TCR。有關(guān)Ta₂N產(chǎn)品數(shù)據(jù)表，請訪問：http://datasheet.eepw.com.cn/datasheet/show/id/3120916?！?/p>本文引用地址：http://www.butianyuan.cn/article/146984.htm

 

　　新推出的Vishay Dale薄膜QPL電阻適用于軍工和航天應(yīng)用的控制系統(tǒng)，在這些場合下，工作過程中的潮氣或長時間存放都是需要考慮的問題。器件的鉭氮化物電阻膜使器件的耐潮能力超過MIL-PRF-55342規(guī)定限值的50倍。

　　E/H(Ta₂N)薄膜電阻具有小于25dB的超低噪聲，以及低至0.5ppm/V的電壓系數(shù)。電阻的卷繞端接采用牢固的粘附層，覆蓋一層電鍍鎳柵層，使器件可在+150℃溫度下工作，而粘附層產(chǎn)生的電阻還不到0.010Ω。

　　器件有M55342/01～M55342/12共12種外形尺寸，功率等級為50mW～1000mW，工作電壓為30V～200V，根據(jù)公差，阻值范圍49.9Ω～3.3MΩ。

　　E/H (Ta₂N)薄膜電阻現(xiàn)已量產(chǎn)，供貨周期為八周到十周。