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Alchimer與CEA-Leti簽署協(xié)作合約

—— 以評(píng)估高深寬比TSV 應(yīng)用的金屬化制程
作者: 時(shí)間:2013-07-12 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  日前,, SA 宣布與法國(guó)研究機(jī)構(gòu)CEA-Leti 達(dá)成協(xié)作合約,以評(píng)估和實(shí)施為300mm 大批量生產(chǎn)的濕式沉積工藝。該專(zhuān)案將為隔離層、阻擋層和晶種層評(píng)估 的Electrografting (eG™) 和Chemicalgrafting (cG™) 制程。 Alchimer 的濕式沉積工藝已經(jīng)證明,因其無(wú)論通過(guò)形貌、直徑還是深度均能以保形方式涂覆,所以可以實(shí)現(xiàn)20:1 深寬比的硅通孔()。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/147442.htm

   整合正朝著中段鉆孔(via middle approach)的做法發(fā)展,即在前端工藝之后,但卻在堆疊之前形成。一些應(yīng)用正處于研發(fā)階段,導(dǎo)致技術(shù)的限制和不同規(guī)格。 Alchimer 的技術(shù)顯示出突破現(xiàn)有障礙,實(shí)現(xiàn)高深寬比TSV 的潛力。此次協(xié)作將評(píng)估其技術(shù)的潛力及其大批量生產(chǎn)的適用性。

  Alchimer 的執(zhí)行長(zhǎng)Bruno Morel 表示:「目前的技術(shù),例如PECVD 隔離及iPVD 金屬化,存在性能限制,會(huì)將可實(shí)現(xiàn)的TSV 限制在10:1 的深寬比。我們的 TSV 產(chǎn)品已明確證明,其能夠以遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于目前方法的成本提供20:1 的深寬比?,F(xiàn)在關(guān)鍵是要驗(yàn)證該產(chǎn)品對(duì)于300mm 大批量生產(chǎn)的充分潛力,并研究其與整體 整合制程的相容性。Leti 領(lǐng)先的3D 專(zhuān)業(yè)技術(shù)和世界一流的基礎(chǔ)建設(shè)將使我們能夠做到這一點(diǎn)?!?/p>

  Leti 的硅技術(shù)部主管Fabrice Geiger 補(bǔ)充說(shuō):「與Alchimer 協(xié)作完全符合我們?yōu)闃I(yè)界提供創(chuàng)新解決方案的策略。Alchimer 的eG 技術(shù)是大有前途且具有成本效益的突破性解決方案,可以應(yīng)對(duì)未來(lái)3D TSV整合的挑戰(zhàn)。透過(guò)此次協(xié)作,Alchimer 公司將有機(jī)會(huì)獲得Leti 在3D TSV 整合領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)技術(shù)及其世界一流的300mm 3D 平臺(tái)能力?!?/p>

  eG 技術(shù)建立在表面化學(xué)配方與工藝基礎(chǔ)之上。它應(yīng)用于導(dǎo)體及半導(dǎo)體表面,在特定前體分子與表面之間的原位化學(xué)反應(yīng)的作用下,使各種材料的薄涂層能夠自我定向生長(zhǎng)。此工藝能夠?qū)崿F(xiàn)保形、階梯覆蓋與純度的結(jié)合,這是干式制程所無(wú)法匹敵的。



關(guān)鍵詞: Alchimer 3D TSV

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