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EEPW首頁 >> 主題列表 >> tsv

2.5D和3D封裝技術(shù)還沒“打完架”，3.5D又來了？

  • 隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展，先進(jìn)封裝技術(shù)成為了提升芯片性能和功能密度的關(guān)鍵。近年來，作為2.5D和3D封裝技術(shù)之間的一種結(jié)合方案，3.5D封裝技術(shù)逐漸走向前臺。什么是3.5D封裝技術(shù)3.5D封裝技術(shù)最簡單的理解就是3D+2.5D，通過將邏輯芯片堆疊并將它們分別粘合到其他組件共享的基板上，創(chuàng)造了一種新的架構(gòu)。能夠縮短信號傳輸?shù)木嚯x，大幅提升處理速度，這對于人工智能和大數(shù)據(jù)應(yīng)用尤為重要。不過，既然有了全新的名稱，必然要帶有新的技術(shù)加持 —— 混合鍵和技術(shù)（Hybrid Bonding）?；旌湘I合技術(shù)的應(yīng)用為3.
  • 關(guān)鍵字： 封裝技術(shù)  TSV  中介層  3.5D  

江蘇芯夢TSV先進(jìn)封裝研發(fā)中心揭牌

  • 8月8日，江蘇芯夢TSV先進(jìn)封裝研發(fā)中心揭牌儀式在中吳潤金先進(jìn)制造產(chǎn)業(yè)園舉行。據(jù)江蘇芯夢介紹，其TSV先進(jìn)封裝研發(fā)中心為江蘇芯夢半導(dǎo)體設(shè)備有限公司打造，中心以水平式電化學(xué)沉積工藝為核心，以自主研發(fā)為導(dǎo)向，構(gòu)建先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)全工藝流程測試平臺。該研發(fā)中心總面積1232.8㎡，擁有千級和百級兩種測試潔凈環(huán)境。配備自研生產(chǎn)的Xtrim-ECD 電鍍設(shè)備及全套涂膠、曝光、顯影、蝕刻等先進(jìn)封裝主流程工藝設(shè)備，可實現(xiàn)先進(jìn)封裝中RDL、Bumping、TSV等電鍍工藝的打樣測試；同時還配備了Xtrim-FC
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一文看懂TSV技術(shù)

  • 前言從HBM存儲器到3D NAND芯片，再到CoWoS，硬件市場上有許多芯片是用英文稱為TSV構(gòu)建的，TSV是首字母縮寫，TSV（Through Silicon Via）中文為硅通孔技術(shù)。它是通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通；TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充，實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互聯(lián)，這項技術(shù)是目前唯一的垂直電互聯(lián)技術(shù)，是實現(xiàn)3D先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。在本文中，我們將告訴您它們是什么，它們?nèi)绾喂ぷ饕约八鼈兊挠猛尽Ｔ?000年的第一個月，Santa Clara Universi
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先進(jìn)封裝技術(shù)及其對電子產(chǎn)品革新的影響

  • 芯片封裝早已不再僅限于傳統(tǒng)意義上為獨立芯片提供保護(hù)和I/O擴(kuò)展接口，如今有越來越多的封裝技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)多種不同芯片之間的互聯(lián)。先進(jìn)封裝工藝能提高器件密度并由此減小空間占用，這一點對于手機(jī)和自動駕駛汽車等電子設(shè)備的功能疊加來說至關(guān)重要。芯片封裝行業(yè)的發(fā)展使國際電氣電子工程師協(xié)會電子元件封裝和生產(chǎn)技術(shù)學(xué)會(IEEE-CPMT)意識到必須要拓展自身的技術(shù)范疇，并于2017年正式更名為國際電氣電子工程師協(xié)會電子封裝學(xué)會(IEEE- EPS)。有一種先進(jìn)封裝技術(shù)被稱為“晶圓級封裝”(WLP)，即直接在晶圓上完成集成電
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硅3D集成技術(shù)的新挑戰(zhàn)與新機(jī)遇

  • 摘要從低密度的后通孔TSV 硅3D集成技術(shù)，到高密度的引線混合鍵合或3D VSLI CoolCubeTM解決方案，研究人員發(fā)現(xiàn)許多開發(fā)新產(chǎn)品的機(jī)會。本文概述了當(dāng)前新興的硅3D集成技術(shù)，討論了圖像傳感器、光子器件、MEMS、Wide I/O存儲器和布局先進(jìn)邏輯電路的硅中介層，圍繞3D平臺性能評估，重點介紹硅3D封裝的主要挑戰(zhàn)和技術(shù)發(fā)展。硅的 3D應(yīng)用機(jī)會從最初為圖像傳感器設(shè)計的硅2.5D集成技術(shù)[1]，到復(fù)雜的高密度的高性能3D系統(tǒng)，硅3D集成是在同一芯片上集成所有功能的系統(tǒng)芯片(SoC)之外的另一種支持各
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HBM2E開啟超高速存儲器半導(dǎo)體新時代

  • TSV技術(shù)：解鎖HBM無可比擬的“容量和速度”
  • 關(guān)鍵字： HBM2E  存儲器  TSV  

滿足穿戴式產(chǎn)品對于超小型環(huán)境光傳感器的需求

  • 本文介紹了適合穿戴式產(chǎn)品的超小型環(huán)境光傳感器及ams公司采用TSV制造技術(shù)的TSL2584TSV，其精度與靈敏度更高。
  • 關(guān)鍵字： 穿戴式  環(huán)境光傳感器  TSV  201607  

新興封裝技術(shù)：小型化趨勢永無止境

  • 新興封裝技術(shù)的出現(xiàn)，主要的驅(qū)動力量就來自于永無止境地追求更輕薄短小的智慧型手機(jī)。
  • 關(guān)鍵字： 封裝  TSV  

Alchimer與CEA-Leti簽署協(xié)作合約

  • 日前，Alchimer, SA 宣布與法國研究機(jī)構(gòu)CEA-Leti 達(dá)成協(xié)作合約，以評估和實施Alchimer為300mm 大批量生產(chǎn)的濕式沉積工藝。該專案將為隔離層、阻擋層和晶種層評估Alchimer 的Electrografting (eG?) 和Chemicalgrafting (cG?) 制程。
  • 關(guān)鍵字： Alchimer  3D  TSV  

Yole：2017年3D TSV將占總半導(dǎo)體市場9%

  • 　　市調(diào)機(jī)構(gòu)Yole Developpement稍早前發(fā)布了一份針對3DIC與矽穿孔 ( TSV )的調(diào)查報告，指出過去一年來，所有使用TSV封裝的3DIC或3D-WLCSP平臺(包括CMOS影像感測器、環(huán)境光感測器、功率放大器、射頻和慣性MEMS元件)等產(chǎn)品產(chǎn)值約為27億美元，而到了2017年，該數(shù)字還可望成長到400億美元，占總半導(dǎo)體市場的9%。 　　Yole Developpement的先進(jìn)封裝部市場暨技術(shù)分析師Lionel Cadix 指出，3DIC通常使用TSV 技術(shù)來堆疊記憶體和邏輯IC，預(yù)
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單片型3D芯片集成技術(shù)與TSV的研究

  • 單片型3D芯片集成技術(shù)與TSV的研究,盡管晶體管的延遲時間會隨著晶體管溝道長度尺寸的縮小而縮短，但與此同時互聯(lián)電路部分的延遲則會提升。舉例而言，90nm制程晶體管的延遲時間大約在 1.6ps左右，而此時互聯(lián)電路中每1mm長度尺寸的互聯(lián)線路，其延遲時間會
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電接枝技術(shù)助力高深寬比TSV

  • 3D-IC設(shè)計者希望制作出高深寬比(HAR>10:1)硅通孔(TSV)，從而設(shè)計出更小尺寸的通孔，以減小TSV通孔群在硅片上的占用空間，最終改進(jìn)信號的完整性。事實上，當(dāng)前傳統(tǒng)的TSV生產(chǎn)供應(yīng)鏈已落后于ITRS對其的預(yù)測。以干法和濕
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TSV技術(shù)代工廠商購買廠房擴(kuò)充產(chǎn)能

  • 　　通孔硅技術(shù)(TSV)代工廠商Allvia購買了位于Hillsboro Ore的一處制造工廠。 　　該工廠將用于基于TSV技術(shù)產(chǎn)品的量產(chǎn)。該廠房擁有178000平方英尺的大樓，60000平方英尺的凈化間，并將擴(kuò)展至80000片平方英尺。 　　該公司預(yù)計該工廠于2010年投入運營。
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集成電路封裝技術(shù)國家工程實驗室啟動

  • 　　經(jīng)國家發(fā)改委批準(zhǔn)，以國內(nèi)集成電路封測領(lǐng)軍企業(yè)江蘇長電科技股份公司為依托，聯(lián)合中科院微電子研究所、清華大學(xué)微電子所、深圳微電子所、深南電路有限公司等五家機(jī)構(gòu)，共同組建的中國首家“高密度集成電路封裝技術(shù)國家工程實驗室”日前在位于無錫江陰的長電科技掛牌，標(biāo)志著國家重點扶持的集成電路封裝技術(shù)產(chǎn)學(xué)研相結(jié)合的工程實驗平臺正式啟動。 　　近年來，國內(nèi)外集成電路( IC)市場的需求不斷上升，產(chǎn)業(yè)規(guī)模發(fā)展迅速， IC產(chǎn)業(yè)已成為國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展的關(guān)鍵。旺盛的封測市場需求給國內(nèi)的封測企業(yè)帶來了良好的發(fā)
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MEMS市場繼續(xù)增長機(jī)會多

  • 　　按Yole Developpement報道,全球MEMS工業(yè)正面臨之前從未有過的停滯,2008年的銷售額下降2%,達(dá)68億美元,其2009年非?？赡茉鲩L率小于1%。然而當(dāng)汽車電子,工業(yè)壓力傳感器及打印頭市場隨著全球經(jīng)濟(jì)下滑時,許多新的MEMS應(yīng)用卻得到切實的增長。 　　MEMS在消費類電子產(chǎn)品中,如加速度計,陀螺儀的市場繼續(xù)看好,推動供應(yīng)商如STMicron(日內(nèi)瓦),Invensense(加州桑尼威爾),其銷售額有10-30%增長。隨著MEMS在醫(yī)療電子和診斷設(shè)備的應(yīng)用擴(kuò)大,其市場繼續(xù)增大。今年新
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tsv介紹

TSV　　TSV的英文全拼是“Through Silicon Vias”，中文意思為“通過硅片通道”。 　　英特爾公司首席技術(shù)官賈斯廷·拉特納表示，TSV技術(shù)是英特爾公司的工程師首先為未來的80核處理器產(chǎn)品開發(fā)的。這項技術(shù)的實質(zhì)，是每一個處理內(nèi)核通過一個TSV通道直接連接一顆256KB的內(nèi)存芯片（充當(dāng)了緩存），隨著緩存數(shù)量的增加，這些緩存將可以替代另外的內(nèi)存芯片。 　　拉特納指出，雖然TSV技 [ 查看詳細(xì) ]

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