TMS320C672x系列浮點DSP的EMIF研究與應(yīng)用

EMIF控制SDRAM工作時，當(dāng)行地址選通引腳EM_RAS有效時，SDRAM通過A0～A11獲取行地址；當(dāng)列選通引腳EM_CAS有效時，SDRAM通過A0～A11獲取列地址。EMIF訪問的外部SDRAM空間地址映射為0x80000000-0x8FFFFFFF，由表1的地址映射知，如果要存儲16位的short int型數(shù)據(jù)到SDRAM，每次邏輯地址需要加2，如：*(short int*)(0x80000000+i*2)=short int i；存儲32位的int型數(shù)據(jù)每次地址需要加4，如：*(int*)(0x80000000+i*4)=int i。

3 EMIF與Flash的設(shè)計
當(dāng)DSP脫機運行時，系統(tǒng)上電或復(fù)位后，DSP系統(tǒng)自帶的Bootloader將一段存儲在外部的非易失性存儲器中的代碼搬移到內(nèi)部高速存儲單元中執(zhí)行。這樣既利用了外部存儲單元擴展DSP本身有限的ROM資源，又充分發(fā)揮了DSP內(nèi)部資源的效能。TMS320C672x系列DSP只支持一種硬啟動選項，即從內(nèi)部ROM地址0x00000000啟動，其他啟動選項由存儲于ROM的軟啟動器實現(xiàn)。軟啟動器使用CFGPIN0和CFGPIN1寄存器，這2個寄存器在復(fù)位時捕捉相關(guān)器件引腳的狀態(tài)，以決定進入那種啟動模式。ROM主要有4種自啟動模式：從EM_CS2空間的并行Flash啟動、利用SPI0或I2C1主模式從EEPROM啟動、利用SPI0或I2C1從模式從外部MCU啟動以及利用UHPI口從外部MCU啟動。這里分析了從EM_CS2空間的并行Flash啟動模式，給出了高密度、非易失性的電可擦除存儲器AM29LV800BB-90EC(512 Kx16 Bit)與EMIF的接口設(shè)計方案。
3．1 Flash的硬件連接
AM29LV800BB～90EC型Flash具有19根地址線，而TMS320C6722 EMIF只有14根地址線(EBA0～EBA1、EA0～EA11)。因此，EMIF與Flash連接時地址線不夠用，需要擴展高位地址線，這里提出兩種擴展方法：GPIO擴展和CPLD地址鎖存器擴展。
3．1．1 GPIO擴展
TMS320C672X MCASP通道的各功能引腳都可以作為通用的I／O接口，直接與Flash存儲器的高位地址線連接。硬件原理圖如圖5所示研。圖5中，任何在復(fù)位時可下拉的GPIO引腳都可用于控制Flash啟動器的地址線A[18：13]。

3．1．2 CPLD地址鎖存器擴展
在CPID中設(shè)計一個地址鎖存器74L273，通過74L273的輸出口擴展7根高位地址線A11～A17，分別與Flash的A12～A18連接。EMW的EM_A[11]作為CPLD鎖存器的輸入選通端選，EMIT數(shù)據(jù)線作為鎖存器的輸入，如圖6所示。

3．2 FLash的軟件配置
在EMIF異步接口中，AICR是唯一需要編程的寄存器。根據(jù)Flash器件的特性，配置如下：


3．3 Flash的軟件操作
TMS320C672x DSP的存儲器中EMIF訪問的外部異步器件Flash空間地址映射為0x90000000～0x9FFFFFFF之間。由于Flash數(shù)據(jù)總線寬度為16位，因此在硬件設(shè)計時選用半字尋址，即EMIF的BA[1]連接Flash的A[0]。根據(jù)配置寄存器A1CR中數(shù)據(jù)總線寬度的配置，訪問異步器件時TMS320C6722中內(nèi)部地址和EMIF地址引腳對應(yīng)如表1所示。