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基于閃爍存儲器的TMS320VC5409 DSP并行引導裝載方法

作者: 時間:2009-10-29 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

是TI公司推出的第一代的高性能、低價位、低功耗數(shù)字信號處理器()。與現(xiàn)在流行的TMS320C5409相比,性能提高了60%,功耗效率提高了 50%。它的應用對象大多是要求能脫機運行的內(nèi)嵌式系統(tǒng),如機頂盒(STB)、個人數(shù)字助理(PDA)和數(shù)字無線通信等。(FLASH MEMORY)是可以在線電擦寫、掉電后信息不丟失的。FLASH與EPROM相比,具有更高的性能價格比,而且體積小、功耗低、擦寫速度快、使用比較方便。因此,采用FLASH存儲程序和固定數(shù)據(jù)是一種比較好的選擇。AMD公司的Am29LV400B FLASH可以直接與相接。

1 Am29LV400B的主要特點及編程

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/152305.htm

Am29AL400B是AMD公司新推出的256K×16位產(chǎn)品,具有以下主要特點:

(1)支持單電源操作,可分為滿負荷電壓供電(2.7V~3.6V)和電壓范圍可調(diào)節(jié)(3.0V~3.6V)和電壓范圍可調(diào)節(jié)(3.0V~3.6V)供電兩種方式。滿幅度電壓供電壓供電方式主要用于電池供電的應用中,而電壓范圍可調(diào)節(jié)供電方式直接與3.3V的高性能接口,簡化了系統(tǒng)的電源要求。

(2)最快的存取速度高達55ns,CMOS工藝,具有100000次寫入/擦寫壽命。

(3)低功耗(200nA的自動休眠電流,200nA的待命電流,7mA的讀電流,15mA的編程/擦除電流)。

(4)靈活的塊結(jié)構(gòu)支持整片擦除、塊擦除。整片分為11個塊(1塊8K字、2塊4K字、1塊16K字、7塊32K字)。

(5)塊保護功能,具有防止對任何區(qū)段進行編程或擦除的硬件保護機制。

(6)與JEDEC標準兼容,引腳分布和命令集與單電源FLASH相兼容,具有優(yōu)越的防止意外編程的保護功能。

(7)數(shù)據(jù)查詢位和數(shù)據(jù)切換位,可以通過軟件檢測編程/擦除操作的狀態(tài)。

(8)Ready/Busy#管腳,可以通過硬件檢測編程/擦除操作的狀態(tài)。

(9)具有擦除暫停/擦除恢復功能。在暫停擦除操作過程中,支持讀寫不處于擦除狀態(tài)的塊。

(10)內(nèi)嵌的擦除/編程算法能自動對整個芯片或某幾個塊進行擦除編程操作。

Am29LV400B編程和擦除算法的命令定義如表1所示。

表1 Am29LV400B命令定義

操作命令序列周期

總 線 周 期

123456
地址數(shù)據(jù)地址數(shù)據(jù)地址數(shù)據(jù)地址數(shù)據(jù)地址數(shù)據(jù)地址數(shù)據(jù)

復位
片擦除
段擦除
字編程
1
1
6
6
4
RA
XXX
555
555
555
RD
F0
AA
AA
AA


2AA
2AA
2AA


55
55
55


555
555
555


80
80
A0


555
555
PA


AA
AA
PD

2AA
2AA

55
55

555
SA

10
30

表中,RA為要讀的地址;RD為從存儲器地址RA處讀出的數(shù)據(jù);SA為要擦除的段地址;PA為要寫入數(shù)據(jù)的存儲器地址;PD為要在地址PA處寫入的數(shù)據(jù)。根據(jù)表中的命令定久可編制FLASH的“燒寫”和“擦除”程序(用C語言和匯編語言混合編程實現(xiàn))。根據(jù)需要,我們編制了“燒寫”單字和“燒寫”多字的程序。

2 硬件電路組成

DSP 存儲區(qū)硬件接口電路如圖1所示。主要由5部分組成:DSP處理器-、系統(tǒng)邏輯控制電路(采用CPLD-EPM7128實現(xiàn))、閃存FLASH-Am29LV400B(256K字的FLASH用來存儲應用程序和初始化數(shù)據(jù))、程序存儲器SRAM1-IDT71V416S12PH(容量為256K字)、數(shù)據(jù)存儲器SRAM2-IDT71V016S12PH(容量為64K字)。邏輯控制電路主要由3個模塊組成:FLASH頁選控制模塊、讀/寫控制模塊、程序空間/數(shù)據(jù)空間/FLASH切換控制模塊。圖中,CPLD的輸出FMSEL為FLASH的片選腳;PMSEL為程序空間的片選腳; DMSEL為數(shù)據(jù)空間的片選腳。

FLASH分為8頁,每頁32K,通過CPLD中的FLASH頁選控制模塊(Page0~Paeg2)實現(xiàn)FLASH翻頁功能。為實現(xiàn)FLASH,F(xiàn)LASH物理空間的前32K映射到的數(shù)據(jù)空間0x8000h~0xFFFFh上,即TMS320VC5409的數(shù)據(jù)空間 0x8000h~0xFFFFh為FLASH的前32K空間。為了重點說明FLASH的過程,本文只談及DSP片內(nèi)程序存儲空間以及FLASH前 32K字的使用情況。

3 TMS320VC5409 DSP的方式

TMS320VC5409芯片具有兩種引導方式:片內(nèi)引導方式和片外執(zhí)行方式。片內(nèi)引導方式就是利用片內(nèi)ROM中的引導程序?qū)⒊绦驈耐獠考虞d到程序存儲器中運行。由于FLASH的速度較低,難以與DSP相匹配,因此,本文采用片內(nèi)引導方式。

TMS320VC5409 片內(nèi)掩模ROM中固化的引導裝載(Bootloader)程序用于在上電復位時把用戶程序從外部引導到高速RAM中,以保證其全速運行。 TMS320VC4509提供的片內(nèi)引導方法有:有機口HPI方法、8位或16位EPROM方法、8位或16位I/O方法和8位或16位串行口方法等。TMS320VC5409片內(nèi)引導裝載源程序可以在TI網(wǎng)絡(luò)下載得到,讀者可以自行分析。下面通過圖2所示的引導過程框圖,闡述一下本文選用的引導方式過程。


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