德州儀器著眼于將嵌入式 FRAM 作為新一代非易失存儲器技術(shù)
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VLSI 研究公司總裁 G. Dan Hutcheson 說：“在開發(fā)作為新一代嵌入式非易失性內(nèi)存的 FRAM 方面，TI 已向前邁出了重要的一步。通過采用標(biāo)準(zhǔn) CMOS 工藝，該內(nèi)存使 TI 可將非常緊密的內(nèi)存單元與邏輯器件相集成。由于只需通過非常簡單地添加制造工藝便可生產(chǎn) FRAM，而且還具有其它非易失性內(nèi)存技術(shù)難以抗衡的低成本、低功耗及高性能等優(yōu)異特性，因此，在便攜式應(yīng)用中使用嵌入式 FRAM也 極具吸引力?！?/P>
用于嵌入式應(yīng)用的 FRAM
FRAM 所具有的快速訪問時間、低功耗、小單元尺寸及低制造成本等特性使之可用于程序和數(shù)據(jù)的應(yīng)用，從而使它非常適合于無線產(chǎn)品。其它潛在市場應(yīng)用還包括寬帶接入、消費類電子產(chǎn)品及 TI 種類繁多的可編程 DSP。
TI 負(fù)責(zé)芯片技術(shù)開發(fā)的高級副總裁兼總監(jiān) Hans Stork 說：“我們相信在2005年內(nèi)，F(xiàn)RAM 有能力成為各種應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ψ且资詢?nèi)存需求的理想選擇。這有力地證明了，半導(dǎo)體材料研究及創(chuàng)新的產(chǎn)品設(shè)計可實現(xiàn)革命性的進(jìn)步，TI 堅信 FRAM 能夠改變嵌入式內(nèi)存的產(chǎn)品動態(tài)。”
TI 最初的 FRAM 測試芯片是采用僅需兩個額外掩膜步驟的標(biāo)準(zhǔn) 0.13微米銅線互連工藝制造而成。1.5V 的芯片展示了迄今為止最小的 FRAM 單元，經(jīng)測量僅 0.54um
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