超高頻RFID射頻接口電路設計

1 引言

　　近年來，915MHz以及2.45GHz等UHF波段的射頻標簽由于工作距離遠，天線尺寸小等優(yōu)點越來越受到重視。射頻標簽芯片的射頻接口模塊包括電源恢復電路、穩(wěn)壓電路和解調整形電路。射頻接口的設計直接影響到射頻標簽的關鍵性能指標。

　　本文對射頻標簽能量供應原理進行了詳細的理論分析，并完成了電源恢復電路、穩(wěn)壓電路和解調整形電路的設計。

　　2 原理分析

　　2.1 電源恢復

　　無源射頻標簽依靠讀寫器發(fā)射出的電磁波獲取能量。標簽芯片獲得的能量與很多因素都有關系，例如空間環(huán)境的反射，傳播媒介的吸收系數，溫度等。在理想自由空間，連續(xù)載波的情況下，有下面的近似公式：

　　式中，Ptag_IC是芯片接收到的能量，Preader為讀寫器發(fā)射功率，Gtag是標簽天線增益，Greader是讀寫器天線增益，R為標簽到讀寫器的距離。

　　可以看到，標簽接收到的功率主要和距離與載波頻率相關，隨距離的增大迅速減小，隨頻率的增加而減小。PreaderRreader也稱為EIRP，即等效全向發(fā)射功率。它受到國際標準約束，通常在27~36dBm左右。例如，按照北美標準，讀寫器等效發(fā)射功率EIRP應小于4W，即36dBm。在自由空間中，915MHz的信號在4m處衰減為43.74dB。假設標簽天線增益為1.5dBi，則在4m處無源射頻標簽可能獲得的最大功率只有約 -6.24dBm，238W。利用標準的偶極子天線，在915MHz天線端能夠獲得的電壓約200mV。在如此低的輸入信號幅度下，采用普通全波或半波整流電路無法獲得所需的直流電壓，因此需要采用倍壓結構的電源恢復電路。

　　倍壓結構的電源恢復電路如圖1所示。圖中的二極管在實際應用時通常用MOS管替代。輸入正弦交流信號RFin=VAsint。在RFin負半周期時，M0導通，C1充電。C1兩端能夠獲得的最大電壓為VA-Vd，其中，Vd為MOS管M0兩端的電壓降。

　　RFin正半周期時，節(jié)點1的最大電壓為VA+(VA-Vd)。該電壓使得M1導通，C2充電，直到C2兩端達到最大電壓，即節(jié)點2的最大電壓，為 VA+(VA-Vd)-Vd=2(VA-Vd)。依次類推，C3兩端能夠獲得的最大電壓為3(VA-Vd)，節(jié)點4的最大電壓為4(VA-Vd)。節(jié)點 2N的最大電壓為2N(VA-Vd)。于是，對于2N級電路，輸出直流電壓為：

　　考慮輸出負載的情況。假設負載抽取電流為Iout，輸入交流信號頻率為fsig，所有電容值都為C，則輸出電壓降低2NIout/Cfsig。于是，考慮輸出負載情況下的輸出電壓為：

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