高頻整流電路中的新型電壓毛刺無(wú)損吸收電路
(a) uAB波形
(b) ugs波形
圖5 uAB與ugs的相位關(guān)系
其吸收原理如下所述。
1)t1-t2時(shí)段 uAB處于高毛刺階段,毛刺最大值比正常值Uo高出ΔU,這時(shí)由D1,D2,D11,D12形成全橋整流電路,對(duì)C充電,具體講是D1和D12導(dǎo)通,uAB的毛刺部分將被C所吸收,使uc=Uo+ΔU。顯然,C越大,ΔU越小;毛刺越高,ΔU越大。
2)t2-t3時(shí)段 uAB=Uo,D12反偏截止。D1與D4導(dǎo)通,忽略D1與D4上的壓降,UEF=Uo。以E為電壓參考點(diǎn),UF比UE電位低Uo,記作-Uo;由于UC=UEG=Uo+ΔUo,則UG比UE低Uo+ΔU,記作-(Uo+ΔU);這樣UFG=UF-UG=ΔU。
由圖5(b)可以看出,在t1-t3時(shí)間段開(kāi)關(guān)管S被觸發(fā)導(dǎo)通,UFG將使L中的電流逐步上升,使C上高于Uo部分的電壓ΔU的能量逐漸轉(zhuǎn)移到L上,當(dāng)t3時(shí)刻uAB消失,ugs同時(shí)也消失,S截止。L上的能量將通過(guò)D向輸出電容Co釋放,形成電壓毛刺的無(wú)損吸收。
3)t4-t5時(shí)段 繞組AB之間的電壓反向,此時(shí)D2與D11導(dǎo)通,對(duì)C充電,之后的工作過(guò)程同t1-t2時(shí)間段。
4)t5-t6時(shí)段 工作過(guò)程同t2-t3時(shí)間段。
t7時(shí)刻開(kāi)始,電路將重復(fù)以上過(guò)程。
3 主變壓器二次為雙半波整流電路的電壓毛刺無(wú)損吸收電路
二次為雙半波整流電路如圖6所示。為分析方便,仍忽略D1,D2,D3的壓降。顯然uAB的波形、S的驅(qū)動(dòng)脈沖波形與圖5完全一致。其工作過(guò)程與橋式整流電路相似,在此不再贅述。
圖6 雙半波整流電路與電壓尖峰吸收電路
4 關(guān)于LC選取的原則
為使上述電壓毛刺無(wú)損吸收電路正常工作,在設(shè)計(jì)LC時(shí)注意下述2個(gè)問(wèn)題:
1)過(guò)大的C將會(huì)使整流二極管開(kāi)機(jī)瞬間沖擊電流增加,過(guò)小的C將導(dǎo)致吸收毛刺過(guò)程中過(guò)大的電壓增量ΔU,因此C要選擇適當(dāng);
2)過(guò)大的L將使C中的ΔU能量無(wú)法及時(shí)轉(zhuǎn)移到L中,因?yàn)?Delta;U=Ldi/dt,L過(guò)大,將使其中的電流增長(zhǎng)速度減慢;L過(guò)小,則di/dt過(guò)大將使承受的應(yīng)力加大只能選取大電流的開(kāi)關(guān)管,同時(shí)對(duì)向輸出端釋放電感能量的二極管(圖4中的D,圖6中的D4)也提高了容量要求,因此,L的選擇也要適當(dāng)。
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