AM-OLED顯示驅(qū)動(dòng)芯片中內(nèi)置SRAM的設(shè)計(jì)
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圖3所示是采用低功耗位線技術(shù)的改進(jìn)型SRAM的結(jié)構(gòu)圖。該電路結(jié)合單端輸出來(lái)得到SRAM的電路結(jié)構(gòu)。該電路與傳統(tǒng)電路的兩個(gè)不同之處：一是寫驅(qū)動(dòng)電路采用單邊驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)，且增加了一個(gè)平衡管來(lái)防止數(shù)據(jù)丟失。而在寫操作時(shí)，只需對(duì)一邊位線下拉到低電平來(lái)寫入數(shù)據(jù)，另一邊位線浮空；二是預(yù)充電路只在讀操作時(shí)充電，在寫操作時(shí)不充電。本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/166194.htm
圖4所示是新SRAM結(jié)構(gòu)電路的工作時(shí)序圖。該電路在讀操作時(shí)，Prech變低，預(yù)充電路位線充電到高電平，字線變高，位線BLB通過(guò)存儲(chǔ)管放電到低電位，讀取電路讀BLB上電壓信號(hào)，數(shù)據(jù)讀出；而在寫操作時(shí)，先平衡位線電位，以防止數(shù)據(jù)丟失。假設(shè)原來(lái)存儲(chǔ)管里存儲(chǔ)的是“0”，要向其中寫入數(shù)據(jù)“1”，則寫使能信號(hào)Wen先從低電平變到高電平，此時(shí)D為高電平，D’為低電平，MN1管導(dǎo)通，MN2截止，位線BL懸空，位線BLB被拉到低電平，字線變高，傳輸管導(dǎo)通，以便向存儲(chǔ)管里寫入數(shù)據(jù)“1”。
在字線變高時(shí)，同字線上的其它單元的位線BL、BLB會(huì)通過(guò)存儲(chǔ)管里的上拉PMOS管和下拉NMOS管充放電到一定電位。為了防止在寫操作時(shí)位線充放電過(guò)多而導(dǎo)致浪費(fèi)，可減小字線選擇信號(hào)的脈寬，以縮短對(duì)位線的充電時(shí)間。
3 仲裁器模塊設(shè)計(jì)
仲裁器電路分為仲裁和時(shí)序產(chǎn)生等兩部分，其中仲裁部分處理MCU送來(lái)的讀寫請(qǐng)求和顯示控制器送來(lái)的讀請(qǐng)求信號(hào)，并判斷它們的優(yōu)先級(jí)別，然后把請(qǐng)求信號(hào)送入時(shí)序產(chǎn)生電路。時(shí)序產(chǎn)生電路負(fù)責(zé)產(chǎn)生sram模塊的控制信號(hào)。
3．1 仲裁器電路
仲裁器模塊主要用來(lái)處理行掃描以及MCU讀寫產(chǎn)生的時(shí)序沖突問(wèn)題，也就是在這兩個(gè)信號(hào)同時(shí)送過(guò)來(lái)時(shí)，先判斷它們的優(yōu)先級(jí)，同時(shí)將外部?jī)蓚€(gè)并行操作信號(hào)轉(zhuǎn)化為內(nèi)部單端口SRAM的順序執(zhí)行，從而使兩種請(qǐng)求信號(hào)處于完全獨(dú)立的時(shí)間操作域內(nèi)，以減小內(nèi)置SRAM的面積。鑒于MCU讀寫速度大于顯示行掃描速度，MCU讀寫信號(hào)的優(yōu)先級(jí)別應(yīng)高于顯示讀信號(hào)。
評(píng)論