AM-OLED顯示驅(qū)動芯片中內(nèi)置SRAM的設計
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2 SRAM電路的低功耗設計
嵌入式SRAM的功耗大致分為動態(tài)功耗和靜態(tài)功耗。對應到SRAM的具體模塊上，其功耗主要消耗在譯碼器、字線驅(qū)動、位線預充、靈敏放大器以及靜態(tài)漏電流上。譯碼器可以用與非門邏輯來代替?zhèn)蜰MOS邏輯設計以降低功耗，由于本電路結(jié)構(gòu)沒有靈敏放大器電路，因而無需考慮其功耗。下面主要就動態(tài)功耗進行優(yōu)化。
SRAM電路的動態(tài)功耗計算公式如下：
式中，iactive為工作單元的等效電流；ileak為不工作單元的漏電流；CDE為每個譯碼器的輸出節(jié)點電容；VINT為內(nèi)部電源電壓；iDC為讀操作消耗的直流電流；△t為直流電流的激活時間；CPT為CMOS邏輯電路和外圍電路的總電容；IDCP為外圍電路的靜態(tài)電流。本文分別從降低位線寄生電容及其電壓擺幅來降低SRAM的整體功耗。
2．1 降低寄生電容
降低寄生電容可采用位線劃分技術(DBL)和字線劃分技術(DWL)，即將位線和字線劃分成多級，以降低位線寄生電容和字線寄生電容，這樣即可降低讀寫功耗，也能提高數(shù)據(jù)的讀寫速度，進一步提高SRAM的整體性能。圖2所示是一個大小為320x240x18位的SRAM存儲陣列的整體結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)將240x18列分成4塊，每塊包含60x18位數(shù)據(jù)；320行則分成左右兩級，每級含160行。這樣就把整個陣列分成了8個小模塊，每塊大小為160x60x18位，這樣就使得字線電容降到了原來的1／4。位線電容則降為原來的1／2。本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/166194.htm
2．2 降低位線電壓擺幅
由于傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中，整個讀寫過程的預充電路都會對兩條位線進行預充電，故會造成功耗的浪費。而讀電路是采用單邊輸出，位線上的電壓擺幅則必須采用全擺幅形式，因此，只能通過降低寫操作時的電壓擺幅來降低功耗。
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