高壓LED結(jié)構(gòu)及技術(shù)介紹

最近幾年由于技術(shù)及效率的進(jìn)步，LED的應(yīng)用越來(lái)越廣;隨著LED應(yīng)用的升級(jí)，市場(chǎng)對(duì)于LED的需求，也朝更大功率及更高亮度，也就是通稱(chēng)的高功率LED方向發(fā)展。

　　對(duì)于高功率LED的設(shè)計(jì)，目前各大廠多以大尺寸單顆低壓DC LED為主，做法有二，一為傳統(tǒng)水平結(jié)構(gòu)，另一則為垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。就第一種做法而言，其u程和一般小尺寸晶粒幾乎相同，換句話說(shuō)，兩者的剖面結(jié)構(gòu)是一樣的，但有別于小尺寸晶粒，高功率LED常常需要操作在大電流之下，一點(diǎn)點(diǎn)不平衡的P、N電極設(shè)計(jì)，都會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的電流叢聚效應(yīng)(Current crowding)，其結(jié)果除了使得LED晶片達(dá)不到設(shè)計(jì)所需的亮度外，也會(huì)損害晶片的可靠度(Reliability)。

　　當(dāng)然，對(duì)上游晶片u造者/晶片廠而言，此作法u程相容性(Compatibility)高，無(wú)需再添購(gòu)新式或特殊機(jī)臺(tái)，另一方面，對(duì)于下游系統(tǒng)廠而言，L邊的搭配，如電源方面的設(shè)計(jì)等等，差異并不大。但如前所述，在大尺寸LED上要將電流均勻擴(kuò)散并不是件容易的事，尺寸愈大愈困難;同時(shí)，由于幾何效應(yīng)的關(guān)S，大尺寸LED的光萃取效率往往較小尺寸的低。

　　圖：低壓二極體、交流二極體及高壓二極體驅(qū)動(dòng)方式的差異(點(diǎn)擊圖片放大)。

　　第2種做法較第1種復(fù)雜許多，由于目前商品化的藍(lán)光LED幾乎都是成長(zhǎng)于藍(lán)寶石基板之上，要改為垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，必須先和導(dǎo)電性基板做接合之后，再將不導(dǎo)電的藍(lán)寶石基板予以移除，之后再完成后續(xù)u程;就電流分布而言，由于在垂直結(jié)構(gòu)中，較不需要考慮橫向傳導(dǎo)，因此電流均勻度較傳統(tǒng)水式峁刮佳;除此之外，就基本的物理塬理而言，導(dǎo)電性良好的物質(zhì)也具有高導(dǎo)熱的特質(zhì)，藉由置換基板，我們同時(shí)也改善了散熱，降低了接面溫度，如此一來(lái)便間接提高了發(fā)光效率。但此種做法最大的缺點(diǎn)在于，由于u程復(fù)雜度提高，導(dǎo)致良率較傳統(tǒng)水平結(jié)構(gòu)低，u作成本高出不少。高壓發(fā)光二極體(HV LED)基本結(jié)構(gòu)及關(guān)鍵技術(shù)

　　晶元光電于全球率先提出了高壓發(fā)光二極體(HV LED)作為高功率LED的解決方案;其基本架構(gòu)和AC LED相同，乃是將晶片面積分割成多個(gè)cell之后串聯(lián)而成。其特色在于，晶片能夠依照不同輸入之電壓的需求而決定其cell數(shù)量與大小等，等同于做到客u化的服務(wù)。由于可以針對(duì)每顆cell加以?xún)?yōu)化，因此能夠得到較佳的電流分布，進(jìn)而提高發(fā)光效率。

　　高壓發(fā)光二極體和一般低壓二極體在技術(shù)上最主要的差異有叁，第一為溝槽(Trench)。溝槽的目的在于將復(fù)數(shù)顆的晶胞獨(dú)立開(kāi)來(lái)，因此其溝槽下方需要達(dá)到絕緣的基板，其深度依不同的外延結(jié)構(gòu)而異，一般約在4~8um，溝槽寬度方面則無(wú)一定的限制，但是溝槽太寬代表著有效發(fā)光區(qū)域的減少，將影響HV LED的發(fā)光效率表現(xiàn)，因此需要開(kāi)發(fā)高深寬比的u程技術(shù)，縮小u程線寬以增加發(fā)光效率。

　　第二為絕緣層(Isolation)，若絕緣層不具備良好的絕緣特性，將使整個(gè)設(shè)計(jì)失敗，其困難點(diǎn)在于必須在高深寬比的溝槽上披覆包覆性良好、膜質(zhì)緊密及絕緣性佳的膜層，這也是單晶AC LEDu程上的關(guān)鍵。

　　第三個(gè)是晶片間的互連導(dǎo)線(Interconnect)。一般而言，要做到良好的連結(jié)，導(dǎo)線在跨接時(shí)需要一個(gè)相對(duì)平坦的表面，一個(gè)深邃的階梯狀結(jié)構(gòu)將使得導(dǎo)線結(jié)構(gòu)薄弱，在高電壓、高電流驅(qū)動(dòng)下易產(chǎn)生毀損，造成晶片的失效，因此平坦化u程的開(kāi)發(fā)就變得重要。理想的狀態(tài)是在做絕緣層時(shí)，能一憬深邃的溝槽予以平坦化，使互連導(dǎo)線得以平順連接。

　　此外，高壓發(fā)光二極體在應(yīng)用上和一般低壓二極體最主要的不同點(diǎn)為，它不僅僅能夠應(yīng)用于定直流(Constant DC)中，只要外接橋式整流器，它也能夠應(yīng)用于交流環(huán)境，非常具有彈性。在高壓發(fā)光二極體中，外部整流器紋AC LED裼猛質(zhì)氮化鎵的做法而改裼霉枵流器，不僅使得耗能少，更可防止逆向偏壓過(guò)大對(duì)晶片所造成的影響;最后，因?yàn)楦邏喊l(fā)光二極體較AC LED少了內(nèi)部橋整的發(fā)光區(qū)，使發(fā)光效率相對(duì)較高，耐用度也較佳。