JDM PIC 編程器制作方法簡介
兩個穩(wěn)壓管,上面提到了需要1W的,推薦使用TL431,它的電流可達100mA,更詳細的參數(shù)和使用方法見它的數(shù)據(jù)手冊。
兩個三極管,耐壓要達到50V以上,電流100mA以上,截止頻率大于30MHZ,我使用2SC945代替,只是腳位不一樣,安裝時需要扭過,或者朋友們也可自己重新畫PCB圖。
場效應(yīng)管的選擇:上面提過要實現(xiàn)VPP BEFORE VDD功能有問題,我在線路板上用了一個IRF9014,F(xiàn)ENG3在BBS中推薦使用2SJ377,我裝好以后發(fā)現(xiàn)無論燒寫與否VDD+5不能被完全關(guān)斷,實際上P溝道的場效應(yīng)管需要負電壓才能導(dǎo)通,我測量TxD端,在不燒寫時電壓為0V,沒有所期望的-15V電壓出現(xiàn),所以那個MOSFET不能被完全關(guān)斷。好在我燒寫的是28PIN的16F7X,此電壓只要在燒寫時有+3.5——+5V就行了。如果不燒寫有內(nèi)部振蕩的MCU,這個管子不接也罷,況且P 溝道的MOSFET又少又貴。在實際使用中我做了如圖3的改動:使用NPN的管子,電流大于500mA,耐壓大于15V,、我選用8050,這樣就沒有問題了。如果怕TxD有負電壓輸出而擊穿Q3的BE腳,可以在B極串一個二極管。改進后的電路如下圖。
電阻均可采用1/8W或1/4W ±5%的碳膜電阻。
串口插座為9針母插。
其它材料恕不多述。
燒寫時芯片的放置見下圖:
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