單片機控制下的ISD芯片內(nèi)容復制電路的解決方案

　　在芯片中信息段不連續(xù)存儲的情況下，我們不妨將第i信息段和第i+1信息段之間的空白行看為第i+1信息段的組成部分，這相當于第i+1段的前面部分記錄了聽不到聲音的信息，并不影響聽覺。另外，由于ISD芯片在播放過程中，輸入地址保持不變，因此，如果源芯片所在系統(tǒng)電路便于測試，可直接通過測量的方法獲得所有信息段的起始地址。

　　3.2 內(nèi)容復制電路設(shè)計要點

　　ISD芯片內(nèi)容復制電路如圖4所示。圖中略去電源、自動增益控制、XCLK等相關(guān)外圍電路，這部分可參考圖2。地址信號、控制信號和狀態(tài)信號均為數(shù)字信號，可直接接至單片機（如MSC51系列）I/O端口，但考慮到有些單片機引腳的驅(qū)動能力有限，一般應加上拉電阻。例如，89C2051的P1口中的P1.0和P1.1是比較器端，沒有內(nèi)部上拉電阻，而P1口的其它端均有內(nèi)部上拉，因此用P1口控制ISD芯片的地址線時，P1.0和P1.1兩端應外接上拉電阻，否則地址控制會出錯。

　　在圖4的復制電路中，源芯片工作在放音狀態(tài)，從SP+輸出的聲音波形經(jīng)過分壓電阻R和隔直電容C的簡單調(diào)整，即可被送入目的芯片的ANA IN輸入端，在錄音過程中被存儲在目的芯片的E2PROM中。

　　在單片機程序設(shè)計中，通常把源芯片中所有信息段的起始地址放在一張表中，這樣可以通過查表指令獲取起始地址，便于對每個信息段進行放音錄音操作。同時，應該注意程序中的延時處理，通常在給出啟動錄放操作的CE低電平之前，應插入1~10ms的延時，以確保PD、P/R和地址信號穩(wěn)定；在查詢到源芯片有效的EOM輸出狀態(tài)時，考慮到ISD2532芯片的EOM低電平寬度為12.5ms，這里也應加入12ms左右的延時；最后，在進入另一次循環(huán)處理下一信息段的復制之前，應相應地加入一些延時，以確保芯片能穩(wěn)定工作。

　　4 結(jié)束語

　　本文在介紹ISD2532語音芯片原理的基礎(chǔ)上，針對ISD2532芯片內(nèi)容復制的問題，較為全面地給出了源芯片多信息段起始地址的獲取方法，同時給出了一個簡單單片機控制下的ISD芯片內(nèi)容復制電路的解決方案。在調(diào)整相關(guān)參數(shù)情況下，該方案可適用于處理原理相近的ISD系列芯片的復制拷貝問題。

　　由于 ISD芯片具有現(xiàn)場錄音功能，ISD芯片在供電電源不穩(wěn)定，特別是上、下電期間可能會出現(xiàn)誤錄音問題；同時，在允許用戶自定義錄音時可能存在錄錯音問題。針對以上問題，本文提出的內(nèi)容復制電路也可作為一個模塊嵌入到實際系統(tǒng)中，作為恢復原始錄音的一種解決方案。