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小型開(kāi)關(guān)電源的抗電磁干擾設(shè)計(jì)

作者: 時(shí)間:2013-05-18 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

2 開(kāi)關(guān)電源的EMI技術(shù)
1)開(kāi)關(guān)電源的EMI,干擾源不可能消除,只有從減小干擾源的能量入手。
①在開(kāi)關(guān)管VT兩端并接RC吸收電路,如圖3所示,對(duì)開(kāi)關(guān)管高速通斷時(shí)的能量加以緩沖,吸收功率減少di/dt、du/dt。
②在二次回路中的高頻整流二極管VD5兩端并接RC吸收電路,如圖3所示,浪涌電壓則采用整流二極管VD6串接帶可飽和磁芯的線圈,在通過(guò)正常電流時(shí)磁芯飽和,電感量很小,正常工作不受影響,一旦電流反向時(shí),磁芯線圈將產(chǎn)生很大的反電動(dòng)勢(shì)有效抑制二極管VD5的反向浪涌電流。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/175796.htm

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2)針對(duì)傳導(dǎo)干擾EMI,我們?cè)O(shè)法在其的傳導(dǎo)路徑上設(shè)置障礙,吸收并阻止干擾。
①在開(kāi)關(guān)電源的輸入端加電源器,器對(duì)高頻能量呈高阻抗,對(duì)工頻呈低阻抗,它不僅封鎖了共模干擾的傳播途徑,而且衰減了輸入回路中的差模干擾。是抑制傳導(dǎo)干擾的一種很好的辦法,在電源輸入端接上濾波器,既可以抑制開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生并向電網(wǎng)反饋的干擾,也可以抑制來(lái)自電網(wǎng)的噪聲對(duì)開(kāi)關(guān)電源的侵害。
②開(kāi)關(guān)管高速通斷效率雖高,但帶來(lái)了高頻輻射和傳導(dǎo)噪聲,為此需對(duì)開(kāi)關(guān)管產(chǎn)生的噪聲加以抑制,兩種常見(jiàn)的電路形式如下:圖4中,開(kāi)關(guān)管截止瞬間變壓器初級(jí)線圈中存儲(chǔ)的能量通過(guò)二極管電阻回路釋放,避免在開(kāi)關(guān)管兩端出現(xiàn)電壓尖峰。圖5中開(kāi)關(guān)管截止瞬間,通過(guò)二極管將能量返回電源。

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3)二極管整流橋產(chǎn)生的諧波及無(wú)功,一個(gè)方法是采取功率因數(shù)校正(PFC)電路來(lái)解決脈沖尖峰電流過(guò)大的問(wèn)題和提高功率因數(shù),而另一個(gè)方法是采取差模濾波器可以有效地抑制脈沖電流的峰值,從而降低電流諧波干擾。
4)尖峰干擾的抑制,功率開(kāi)關(guān)管和二次繞組整流二極管的高速通斷造成了開(kāi)關(guān)電源的尖峰干擾。采取易飽和,儲(chǔ)能能力弱的飽和電感,能有效抑制這種尖峰干擾。將飽和電感與整流二極管串聯(lián),在電流開(kāi)通的瞬間,它呈現(xiàn)高阻抗,抑制尖峰電流,而飽和后其電感量很小,損耗也小,如圖6所示:Q1導(dǎo)通,VD1導(dǎo)通,VD2截止,飽和電感Ls限制VD2中的反向恢復(fù)電流的幅值和變化率,可以有效地抑制高頻導(dǎo)通干擾的產(chǎn)生。Q1斷,VD1截止,VD2導(dǎo)通,Ls造成導(dǎo)通延時(shí),會(huì)影響VD2的續(xù)流作用,會(huì)在VD2陽(yáng)極產(chǎn)生負(fù)值尖峰電壓。所以增加輔助二極管VD3和電阻R1,為了克服輸出電壓中的尖峰,增加了第二級(jí)濾波,電感L和C2,如圖7中所示電感L只需很小的值就夠了,電容C2則是低電感的小電容。

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5)屏蔽
電磁兼容設(shè)計(jì)要達(dá)到以下2個(gè)目的:a、通過(guò)優(yōu)化電路和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)將干擾源產(chǎn)生的電磁噪聲強(qiáng)度降低到能接受的水平。b、通過(guò)各種干擾抑制技術(shù),將干擾源與被干擾電路之間的耦合減弱到能接受的程度。屏蔽技術(shù)是達(dá)到上述兩個(gè)目的、實(shí)現(xiàn)電磁干擾防護(hù)的最基本最重要的手段之一。屏蔽技術(shù)通常可分為三大類:電場(chǎng)屏蔽(靜電場(chǎng)屏蔽及低頻交變電場(chǎng)屏蔽)、磁場(chǎng)屏蔽(直流磁場(chǎng)屏蔽和低頻交流磁場(chǎng)屏蔽)及電磁場(chǎng)屏蔽(高頻輻射電磁場(chǎng)的屏蔽)。
用導(dǎo)電率良好的材料對(duì)電場(chǎng)進(jìn)行屏蔽,屏蔽體必須完善并良好接地,否則金屬屏蔽體不起任何屏蔽作用。
磁場(chǎng)屏蔽的目的是消除或抑制直流或低頻交流磁場(chǎng)噪聲源與被干擾回路的磁耦合。采取高磁導(dǎo)率材料制成的磁場(chǎng)屏蔽體將需要磁屏蔽的電路或元件即磁場(chǎng)噪聲源封閉起來(lái),由于高磁導(dǎo)率材料具有很低的磁阻,噪聲源的磁力線將封閉在此屏蔽體內(nèi),或外界干擾磁場(chǎng)的磁力線被磁屏蔽體旁路,從而起到了磁屏蔽的作用。
而對(duì)于高頻磁場(chǎng),采用非導(dǎo)磁的金屬屏蔽體將載流導(dǎo)體包圍起來(lái),讓該屏蔽體中流過(guò)與中心載流導(dǎo)線電流大小相等、相位相反的電流,這樣在屏蔽體的外部,總的噪聲磁場(chǎng)強(qiáng)度變?yōu)榱悖_(dá)到了磁場(chǎng)屏蔽的目的,這樣屏蔽體應(yīng)為良導(dǎo)體如銅、鋁或銅鍍銀。
6)接地
在開(kāi)關(guān)電源的電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)中遵循“一點(diǎn)接地”原則,如果多點(diǎn)接地,會(huì)出現(xiàn)閉合的接地環(huán)路,當(dāng)磁力線穿過(guò)該環(huán)路時(shí)將產(chǎn)生磁感應(yīng)噪聲,實(shí)際中很難實(shí)現(xiàn)“一點(diǎn)接地”。因此采用平面式或多點(diǎn)接地,降低地阻抗,消除分布電容的影響,采取一個(gè)導(dǎo)電平面作為參考地,將需接地的各部分就近接到該參考地上。在低頻和高頻共存的開(kāi)關(guān)電源電路中,分別將低頻電路、高頻電路、功率電路的地線單獨(dú)連接后,再連接到公共參考地上,從而有效地消除噪聲。



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