帶隙電壓基準源的設(shè)計與分析
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2．3 Spectre仿真結(jié)果及分析
圖6為使用Cadence的仿真軟件Speetre在臺積電(TSMC)0．18μm工藝下如圖3所示的一種基于Banba結(jié)構(gòu)的Bandgap的輸出參考電壓與溫度的關(guān)系圖。可以看出結(jié)果為：在-50～100℃內(nèi)，相差最大的參考電壓的對應兩點變化為96．71℃，901．176μV，相應溫度系數(shù)為
從實用角度看，也就是說溫度在70 ℃的變化范圍內(nèi)，此電路均有2-11的精度。但這是在TT模式下、不考慮版圖布局、寄生電阻及電容等的情況下仿真的結(jié)果，實際情況或許會有些偏差。
3 結(jié)束語
基準源的設(shè)計與應用在基準電壓源是模擬集成電路的基礎(chǔ)模塊，它在電路系統(tǒng)中為其他功能模塊提供高精度的電壓基準，或由其轉(zhuǎn)化為高精度電流基準。一個合格的基準電壓源對電源電壓、工作溫度、輸出負載變化、制造工藝不敏感，可以為其他電路模塊提供精確的參考點，是當代模擬集成電路極為重要的組成部分，它為串聯(lián)型穩(wěn)壓電路、A／D和D／A轉(zhuǎn)化器提供基準電壓，也是大多數(shù)傳感器的穩(wěn)壓供電電源或激勵源。
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