CMOS器件抗靜電措施的研究
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高壓靜電場(chǎng)靠近CMOS器件時(shí)，例如人體帶來高壓靜電場(chǎng)而用手摸裝CMOS器件的塑料管雖然人體沒有觸及CMOS的柵極管腳，但是電場(chǎng)是可以穿越過去的，因?yàn)殡妶?chǎng)是絕緣不了的，它只能用金屬板或金屬盒子來屏蔽，所以這個(gè)高壓靜電場(chǎng)在CMOS柵極氧化層的一個(gè)面上感應(yīng)帶內(nèi)部電場(chǎng)，如果這個(gè)感應(yīng)電場(chǎng)的強(qiáng)度超過了CMOS柵極的擊穿電壓，則CMOS柵極同樣會(huì)被擊穿而失效的。
如果CMOS器件受到靜電損傷而產(chǎn)生失效，那么失效有兩種結(jié)果：
1)當(dāng)即損壞失效：
2)延遲失效，過幾個(gè)月或幾年后產(chǎn)生失效。
如果屬于當(dāng)即失效，進(jìn)行更換就能使整機(jī)工作正常，如果屬于延遲失效，這就麻煩大了，因?yàn)椴恢篮螘r(shí)失效，會(huì)給整機(jī)留下嚴(yán)重的隱患，但CMOS器件90％是延遲失效，這就對(duì)整機(jī)應(yīng)用的可靠性影響太大。因?yàn)檠舆t失效問題目前還沒有辦法把它篩選掉，所以只能采取各種防御措施。
2 在線路設(shè)計(jì)上采取抗靜電措施
為了提高印刷版以及整機(jī)的應(yīng)用可靠性，在線路設(shè)計(jì)上采取各種措施來保護(hù)CMOS器件避免受到靜電損傷，這些保護(hù)措施主要放在一個(gè)系統(tǒng)，一臺(tái)整機(jī)，或一塊制板上的“接口處”，即它們的輸入處和輸出處，因?yàn)檫@里最容易受到外界靜電的損傷。以下是各種方法：
1)增加限流電阻或泄放電阻的保護(hù)措施
增加限流電阻或泄放電阻的保護(hù)措施見圖2，在圖2中R1，R2及R5是限流電阻，對(duì)CMOS器件選0．2～10 kΩ左右，R3及R4及并聯(lián)的電容C1和C2對(duì)防靜電有好處。必須說明增加泄放電阻及電容后會(huì)影響輸入波形的，電容要小。本文引用地址：http://www.butianyuan.cn/article/176960.htm
2)隔離保護(hù)措施
這里有幾種方案，把進(jìn)入CMOS輸入端的靜電用各種方法隔離或吸收。
①采用射極跟隨器的隔離保護(hù)如圖3所示。
評(píng)論