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CMOS器件抗靜電措施的研究

作者: 時間:2012-06-14 來源:網絡 收藏

圖3中R1、R2和R4大約0.5~2 kΩ,因為這個電阻很小,到達輸入端及輸出端的靜電荷,通過R1、R2和R4很快就吸收掉。但有時影響輸出波形,使用時應注意。
②采用互補放大器的隔離保護如圖4所示。
這種方法對輸出波形影響小,但增加數(shù)目,互補三極和參數(shù)要對稱一致,必須進行配對測試。
③采用光電耦合器的隔離保護。
把圖4的互補放大器換為光電耦合器,減少了配對測試的必要性。
3)增加穩(wěn)壓器或瞬變電壓抑制二極管保護柵極避免電擊穿
電源電壓為10 V,增加15 V左右的穩(wěn)壓管;如電源電壓為5 V,增加7 V左右的穩(wěn)壓管,不僅可以加在CMOS的輸入端或輸出端,還可以加在CMOS的電源端,如圖5所示。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/176960.htm

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因為靜電不是直流電,是很快可以吸收而消除的,如果有幾百伏或幾千伏的靜電接觸,如圖5中CMOS的輸入端、輸出端或電源端,那么D1、D2、D3和D4立刻擊穿導通,把靜電吸收掉。

3 結束語
通過上述幾種方法,能夠有效的消除靜電對CMOS的損傷,不過都是以增加元的數(shù)量以及犧牲輸入信號的質量為代價。但如果元器件選用得當,在多數(shù)情況下只會犧牲很少的輸入信號質量,而使CMOS器件免受靜電損傷。


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