改善開關(guān)電流電路主要誤差的方法
開關(guān)電流技術(shù)是一種新的模擬信號采樣、保持、處理技術(shù)。它具有電流模電路的特有優(yōu)點,如速度快,適合于低電壓工作等。與傳統(tǒng)的開關(guān)電容技術(shù)相比,開關(guān)電流技術(shù)不需要線性電容和高性能的運算放大器,整個電路由晶體管組成,因此可與標準的數(shù)字CMOS工藝兼容。針對開關(guān)電流電路中的時鐘饋通誤差和傳輸誤差進行詳細分析,并提出了解決辦法。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/177007.htm1 時鐘饋通誤差分析
時鐘饋通誤差是一個復雜的物理現(xiàn)象,在這里以第二代開關(guān)電流存儲單元為例進行分析。
圖1為存儲單元,圖2為開關(guān)斷開時的電荷注入示意圖。
對圖1所示的存儲單元,Ms的溝道電荷可以近似地描述為:
其中:Cax是柵氧化層單位面積電容;wseff和Lseff分別是Ms的有效溝道寬度和長度;Vgs是Ms的柵一源電壓;VT是Ms的閾值電壓,由式(2)給出:
式中:2 |φF|是強反型層表面勢壘;r是體閾值參數(shù);VT0是Vgs=0時的閾值電壓。
一般情況下,1 V
將式(3)代入式(1),得到注入存儲電容的溝道電荷為:
其中:aq表示溝道電荷注入存儲電容的分配系數(shù),典型值為:aq=1/2。由柵極擴散覆蓋電容Co1,注入存儲電容的電荷為:
根據(jù)式(4)和式(5)司得整個注入電荷的總量為:
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