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基于Matlab對(duì)Spice二極管特性受溫度影響的研究

作者: 時(shí)間:2012-03-09 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

摘要:為了對(duì)程序下的模型的伏安和等效電容受變化的進(jìn)行,在此以軟件的仿真環(huán)境為基礎(chǔ),物理模型D1N4002為對(duì)象,在仿真軟件中編寫程序代碼,建立了模型D1N4002的伏安和等效電容的函數(shù)模型,繪制出不同下二極管伏安和等效電容的曲線,并結(jié)合仿真曲線對(duì)由變化產(chǎn)生的進(jìn)行分析,得出了溫度對(duì)二極管模型在反向擊穿和正向?qū)顟B(tài)下的伏安特性及等效電容有明顯的這一結(jié)論。該方法以一個(gè)新穎的視角,運(yùn)用構(gòu)造特性函數(shù),以溫度為變量,研究了二極管模型的特性,同時(shí)也為其他更加復(fù)雜的半導(dǎo)體器件特性的研究打下了基礎(chǔ)。
關(guān)鍵詞:Matlab;Spice;二極管;物理模型;溫度影響

0 引言
Spice是一種功能強(qiáng)大的通用模擬電路仿真器,是一個(gè)主要用于模擬集成電路的電路分析程序。在Spice程序中,有2種建立器件模型的方法,一種是建立器件物理原理基礎(chǔ)上的模型;另一種是根據(jù)輸入/輸出外特性來(lái)構(gòu)成的模型。Spice程序中的二極管物理模型就是建立在二極管的物理原理基礎(chǔ)上的模型,同時(shí),二極管是半導(dǎo)體器件中結(jié)構(gòu)最為簡(jiǎn)單的,Spice程序中針對(duì)二級(jí)管共有14個(gè)模型參數(shù),其中有不少模型參數(shù)是溫度的函數(shù),文中以D1N4002二極管模型為對(duì)象,在軟件Matlab的仿真環(huán)境下,對(duì)溫度變化給Spice程序中二極管的物理模型的伏安特性和等效電容造成的影響進(jìn)行研究,同時(shí)也可以借助該研究方法來(lái)研究其他更加復(fù)雜的半導(dǎo)體器件的特性。

1 Spice程序中二極管物理模型的建立
在Spice程序中,二極管的物理模型簡(jiǎn)圖如圖1所示,其中Rs是二極管的材料電阻,稱為歐姆電阻;CD是由電荷存儲(chǔ)效應(yīng)而引起的等效電容;ID是非線性電流源。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/177764.htm

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非線性電流源ID與加在它兩端的電壓UD之間的關(guān)系如下:
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式中:Is為飽和電流(單位:A);q為電子電荷(1.062×10-19C);K為波耳茲曼常數(shù)(1.38×10-23J/K);T為熱力學(xué)溫度(單位:K);n為發(fā)射系數(shù)(硅管1.2~2.0);VB為反向擊穿電壓(單位:V);IVB為反向擊穿時(shí)的電流(單位:A)。Spice程序在二極管的PN結(jié)上并了一個(gè)小電導(dǎo)Gmin,它的隱含值是10-12S,一般情況下Gmin的存在不會(huì)影響二極管的正常特性。
二極管的電荷存貯效應(yīng)包括兩部分,一部分是在PN結(jié)勢(shì)壘電容上存儲(chǔ)的電荷,它等于勢(shì)壘電容對(duì)PN結(jié)電壓的積分;另一部分是注入少數(shù)載流子形成的電荷存儲(chǔ),它和正向電流成正比??偟碾姾纱鎯?chǔ)量QD為:
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式中:τD為少數(shù)載流子的渡越時(shí)間;Cjo為零偏置時(shí)PN結(jié)的耗盡層電容;φD為PN結(jié)自建勢(shì),對(duì)結(jié)型二極管的典型值是0.7~0.8 V;FC為正偏耗盡電容公式的系數(shù),典型值是0.5。
二極管等效電容CD是由2部分組成的:一個(gè)是少數(shù)載流子注入的電荷存儲(chǔ)產(chǎn)生的擴(kuò)散電容Cs,另一個(gè)是由PN結(jié)耗盡層電荷存儲(chǔ)產(chǎn)生的耗盡電容Cd,即:
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