一種低溫漂的CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源的研究
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2．2 電源抑制特性
圖4是在1 Hz到10 GHz的范圍進(jìn)行掃描所得到的不同的電源抑制情況。低頻時(shí)抑制情況不太好，在-10 dB左右，還有待于提高；高頻抑制情況很好，基本穩(wěn)定在-120 dB左右。與傳統(tǒng)電路相比，本文提出的這種電路可以用于在各種系統(tǒng)尤其是高頻系統(tǒng)中，這一點(diǎn)是傳統(tǒng)電路所無法比擬的。本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/178425.htm
2．3 噪聲特性
噪聲是影響帶隙基準(zhǔn)源穩(wěn)定性的主要因素之一。通常噪聲分為外部噪聲和內(nèi)部噪聲。外部噪聲一般都由電源電壓的變化以及其他電路的干擾造成。內(nèi)部噪聲主要包括熱噪聲和閃爍噪聲。閃爍噪聲的大小與頻率成反比，因而在低頻下主要為閃爍噪聲，而高頻下為熱噪聲，對于高頻的熱噪聲，可以在輸出端Vref處加一個(gè)RC低通濾波器解決掉，而低頻的來自耦合到電源的噪聲則是需考慮的，可以通過提高電源抑制比來減小。圖5為電路在輸出端和電源電壓處的噪聲特性，在輸出端低頻時(shí)噪聲為10．4 nv／Rt，高頻時(shí)噪聲幾乎為0 nv／Rt，性能很好。電源電壓處的噪聲為9．6nv／Rt左右。
2．4 電路其他參數(shù)
電路的其他方面的性能仿真結(jié)果如表1所示。表1的仿真結(jié)果是在電源電壓為3．3 V的條件的測得的。有效電流指的是在電路正常工作的情況下從電源到地之間的電流，關(guān)斷電流指的是在電路不工作的情況下從電源到地的漏電流。
3 結(jié)論
本文研究了一種在0．25 μm N阱CMOS工藝下采用一階溫度補(bǔ)償技術(shù)的CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源。電路經(jīng)過參數(shù)優(yōu)化后用T-SPICE仿真結(jié)果為：在3．3 V電源電壓下的輸出的參考電壓為1．403 1 V，當(dāng)溫度在-20～70℃之間變化時(shí)，電路的溫度系數(shù)達(dá)到了10x10-6／℃，室溫下電路的功耗為5．283 1 mW，電路低頻時(shí)的電源抑制比特性還不是很好，還有待于進(jìn)一步的提高，高頻時(shí)的電源抑制比非常好，因此本電路可以廣泛應(yīng)用于低功耗，低溫漂，高頻集成電路中。
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