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基于PLL技術(shù)的電源管理設(shè)計(jì)

作者: 時(shí)間:2011-10-26 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
調(diào)制的頻譜分析儀曲線圖

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/178490.htm

  在系統(tǒng)中,較高的VCO推壓意味著VCO噪聲的增加倍數(shù)更大。為盡可能降低對(duì)VCO相位噪聲的影響,需要低噪聲。

  參考文獻(xiàn)3和參考文獻(xiàn)4提供了不同低壓差調(diào)節(jié)器(LDO)如何影響相位噪聲的示例。例如,文獻(xiàn)中對(duì)ADP3334和ADP150 LDO為ADF4350供電時(shí)的性能進(jìn)行了比較。ADP3334調(diào)節(jié)器的集成均方根噪聲為27 μV(40多年來(lái),從10 Hz至100 kHz)。該結(jié)果可與ADF4350評(píng)估板上使用的LDO ADP150的9 μV比較。圖3中可以看出已測(cè)量相位噪聲頻譜密度的差異。測(cè)量使用4.4 GHz VCO頻率進(jìn)行,其中VCO推壓為最大值(表1),因此屬于最差情況結(jié)果。ADP150調(diào)節(jié)器噪聲足夠低,因此對(duì) VCO噪聲的貢獻(xiàn)可以忽略不計(jì),使用兩節(jié)(假定無(wú)噪聲)AA電池重復(fù)測(cè)量可確認(rèn)這一點(diǎn)。

圖3.使用ADP3334和ADP150LDO對(duì)(AA電池)供電時(shí)ADF4350在4.4GHz下的相位噪聲比較

  圖3強(qiáng)調(diào)了低噪聲電源對(duì)于ADF4350的重要性,但對(duì)電源或 LDO的噪聲該如何要求呢?

  與VCO噪聲類似,LDO的相位噪聲貢獻(xiàn)可以看成加性成分LDO(t), 如圖4所示。再次使用VCO超額相位表達(dá)式得到:

  或者在頻域中為:

  其中vLDO(f)是LDO的電壓噪聲頻譜密度。

  1 Hz帶寬內(nèi)的單邊帶電源頻譜密度SΦ(f)由下式得出:

  以dB表示時(shí),用于計(jì)算電源噪聲引起的相位噪聲貢獻(xiàn)的公式如下:

?。?)

  其中 L(LDO)是失調(diào)為f時(shí),調(diào)節(jié)器對(duì)VCO相位噪聲(以dBc/Hz表示)的噪聲貢獻(xiàn); f; Kpushing是VCO推壓系數(shù),以Hz/V表示;vLDO(f)是給定頻率偏移下的噪聲頻譜密度,以V/√Hz表示。

小信號(hào)加性vco電源噪聲模型

圖4.小信號(hào)加性vco電源噪聲模型

  在自由模式VCO中,總噪聲為 LLDO值加VCO噪聲。以dB表示則為:

  例如,試考慮推壓系數(shù)為10 MHz/V、在100 kHz偏移下測(cè)得相位噪聲為–116 dBc/Hz的VCO:要在100 kHz下不降低VCO噪聲性能,所需的電源噪聲頻譜密度是多少?電源噪聲和VCO噪聲作為方和根添加,因此電源噪聲應(yīng)比VCO噪聲至少低6 dB,以便將噪聲貢獻(xiàn)降至最低。所以LLDO應(yīng)小于–122 dBc/Hz.使用公式1,

  求解vLDO(f),

  在100 kHz偏移下,vLDO(f) = 11.2 nV/√

  給定偏移下的LDO噪聲頻譜密度通常可通過(guò)LDO數(shù)據(jù)手冊(cè)的典型性能曲線讀取。

  當(dāng)VCO連接在負(fù)反饋PLL內(nèi)時(shí),LDO噪聲以類似于VCO噪聲的方式通過(guò)PLL環(huán)路濾波器進(jìn)行高通濾波。因此,上述公式僅適用于大于PLL環(huán)路帶寬的頻率偏移。在PLL環(huán)路帶寬內(nèi),PLL可成功跟蹤并濾 LDO噪聲,從而降低其噪聲貢獻(xiàn)。

  LDO濾波

  要改善LDO噪聲,通常有兩種選擇:使用具有更少噪聲的LDO,或者對(duì)LDO輸出進(jìn)行后置濾波。當(dāng)無(wú)濾波器的噪聲要求超過(guò)經(jīng)濟(jì)型LDO的能力時(shí),濾波選項(xiàng)可能是不錯(cuò)的選擇。簡(jiǎn)單的LC π 濾波器通常足以將帶外LDO噪聲降低20 dB(圖5)。

圖5.用于衰減LDO噪聲的LCπ濾波器

  選擇器件時(shí)需要非常小心。典型電感為微亨利范圍內(nèi)(使用鐵氧體磁芯),因此需要考慮電感數(shù)據(jù)手冊(cè)中指定的飽和電流(ISAT), 作為電感下降10%時(shí)的直流電平。VCO消耗的電流應(yīng)小于ISAT. 有效串聯(lián)電阻(ESR) 也是一個(gè)問(wèn)題,因?yàn)樗鼤?huì)造成濾波器兩端的IR壓降。對(duì)于消耗300 mA直流電流的微波VCO,需要ESR小于0.33 ?的電感,以產(chǎn)生小于100 mV的IR壓降。較低的非零ESR還可抑制濾波器響應(yīng)并改善LDO穩(wěn)定性。為此,選擇具有極低寄生ESR的電容并添加專用串聯(lián)電阻可能較為實(shí)際。上述方案可使用可下載的器件評(píng)估器如NI Multisim?在SPICE 中輕松實(shí)現(xiàn)仿真。 .



評(píng)論


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