IR全新MOSFET具備快速本體二極管特性有效增強(qiáng)零電壓開關(guān)操作
作者：電子設(shè)計(jì)應(yīng)用
時間：2003-04-10
來源：電子設(shè)計(jì)應(yīng)用
收藏
加入技術(shù)交流群
掃碼加入
和技術(shù)大咖面對面交流
海量資料庫查詢
最新L系列HEXFET MOSFET由于具備快速本體二極管特性，因此無需在ZVS電路中添置額外肖特基及高壓二極管，減少了元件數(shù)目，節(jié)省了電路空間。
新器件有別于采用硬開關(guān)器件的橋式或功率因數(shù)修正電路，其內(nèi)置本體二極管常處于活躍狀態(tài)，并可承載工作周期中部分電流，加強(qiáng)了系統(tǒng)可靠性。當(dāng)內(nèi)置本體二極管處于通態(tài)時啟動MOSFET，實(shí)質(zhì)上便可消除ZVS電源設(shè)計(jì)導(dǎo)通損耗。
IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國富先生表示："IR全新L系列MOSFET能大大降低開關(guān)及整體損耗，可用來設(shè)計(jì)在更高頻率下工作的電源，減小被動元件尺寸并增加功率密度。"
L系列器件內(nèi)的本體二極管之最大逆向恢復(fù)時間少于250ns，在電流更低的器件中時間更短。較短的逆向恢復(fù)周期確保內(nèi)置本體二極管可在工作關(guān)斷過程中發(fā)揮效益，在引入高壓前從導(dǎo)通狀態(tài)徹底恢復(fù)至阻斷狀態(tài)。
嚴(yán)國富先生又稱："大部分情況下，全新L系列MOSFET均提供更高的雪崩額定值以及經(jīng)改良的柵-源電荷及柵-漏電荷比，既可降低擊穿情況，亦能簡化驅(qū)動電路。"
這些具有快速本體二極管的全新600V HEXFET功率MOSFET現(xiàn)已投入供應(yīng)。數(shù)據(jù)表詳載于IR網(wǎng)站www.irf.com。
評論