開環(huán)推挽逆變器軟開關(guān)實現(xiàn)的設(shè)計

這個電路驅(qū)動能力強(qiáng),開關(guān)速度極快,但有一點,從驅(qū)動IC過來的信號經(jīng)過了圖騰柱中MOS管的反向,驅(qū)動IC必須能適應(yīng)這種邏輯的變化,可采用SG3527,和3525電路完全一樣,只不過是3527輸出的是負(fù)向推動脈沖,以適應(yīng)這種邏輯關(guān)系. 最好的方法是采用專用驅(qū)動IC,如MC33152,TC4427,FAN3224等,深圳高工以臺系芯睿單片機(jī)產(chǎn)生驅(qū)動信號,再經(jīng)MC33152專驅(qū)推動MOSFET,取得較好效果.

繼續(xù).要消除開關(guān)損耗,首先要知道開關(guān)損耗在什么時段產(chǎn)生的.在圖4中,C2C3為MOSFET的等效輸出電容,把輸出變壓器簡單的等效為一個理想變壓器和漏感,激磁電感的串并聯(lián)。

IRF3205的輸出電容C2和C3,查數(shù)據(jù)手冊為781PF,把變壓器的次級短路,測得的初級電感量就是變壓器的漏感,對于高頻變壓器來說,約在幾十到幾百NH,次級開路,測得的電感量就是變壓器的激磁電感,如果用PC40ETD29-Z磁芯繞2匝,電感量約為10μH。

設(shè)某一時刻,Q1處于導(dǎo)通狀態(tài),其D極電壓為0,然后G極電壓開始下降,漏感L2中的電流不能突變,向等效電容C2充電,由于L2C2都很小,電流很大,Q1的D極電壓迅速上長,形成很高的所謂漏感尖峰,而此時Q1柵極電荷還沒有完全泄放,溝道中還有電流,其溝道電流和電壓同時不為零,產(chǎn)生了關(guān)斷損耗其值為定積分∫V(t)I(t)dt,而激磁電感L1中的電流則主要轉(zhuǎn)移到L1的下半段,并經(jīng)Q2中的體二極管返回電源,對開關(guān)損耗影響并不大。

設(shè)某一時刻,Q1處于導(dǎo)通狀態(tài),其D極電壓為0,然后G極電壓開始下降,漏感L2中的電流不能突變,向等效電容C2充電,由于L2C2都很小,電流很大,Q1的D極電壓迅速上長,形成很高的所謂漏感尖峰,而此時Q1柵極電荷還沒有完全泄放,溝道中還有電流,其溝道電流和電壓同時不為零,產(chǎn)生了關(guān)斷損耗其值為定積分∫V(t)I(t)dt,而激磁電感L1中的電流則主要轉(zhuǎn)移到L1的下半段,并經(jīng)Q2中的體二極管返回電源,對開關(guān)損耗影響并不大。