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頻率可自動(dòng)調(diào)節(jié)的高線性度低通濾波器設(shè)計(jì)

作者: 時(shí)間:2011-03-11 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

  為了提高度, 本文采用改進(jìn)型R-MOS結(jié)構(gòu), 圖2所示是其原理圖。這種結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)是電阻和MOS管之間的分壓作用可使MOS管兩端的電壓變小, 從而改善圖1中的度。在這種結(jié)構(gòu)中, 處于區(qū)的MOS管更像一個(gè)電流舵器件而不是一個(gè)電阻器件。它的等效電阻如下:


改進(jìn)型R-MOS可變電阻原理圖

圖2 改進(jìn)型R-MOS可變電阻原理圖

  式中, 是M1、M2、M3、M4的平均跨導(dǎo), VCM是由電路確定的控制共模電壓。其計(jì)算公式如下:


  2 高線性度低通

  2.1 基于反饋的線性度提高技術(shù)

  是由積分器實(shí)現(xiàn)的。當(dāng)積分器有兩個(gè)輸入時(shí), 通常會(huì)形成反饋。圖3所示是應(yīng)用線性度提高技術(shù)的一階結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)把由MOS和運(yùn)放組成的積分器看成一個(gè)整體, 它的環(huán)路增益為, 這個(gè)增益在低頻時(shí)和運(yùn)放的直流增益相等, 故其整體傳輸函數(shù)如下:



圖3 R-MOS-C一階濾波器結(jié)構(gòu)圖



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