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解析反激電源以及變壓器設計

作者: 時間:2010-09-07 來源:網絡 收藏

  在flyback電路中,CCM和DCM的判斷,不是按照初級電流是否連續(xù)來判斷的。而是根據初、次級的電流合成來判斷的。只要初、次級電流不同是為零,就是CCM模式。而如果存在初、次級電流同時為零的狀態(tài),就是DCM模式。介于二者之間的就是CRM過渡模式。

  所以根據這個我們從波形圖中可以看到,當MOS開通時,次級電流還沒有降到零。而MOS開通時,初級電流并不是從零開始上升,故而,這個例子中的電路是工作在CCM模式的。我們說過,CCM模式是能量不完全轉移的。也就是說,儲存在磁芯中的能量是沒有完全釋放的。但進入穩(wěn)態(tài)后,每周期MOS開通時新增儲存能量是完全釋放到次級的。否則磁芯會飽和的。

  在上面的電路中,如果我們增大輸出負載的阻值,降低輸出電流,可以是電路工作模式進入到DCM狀態(tài)。為了使輸出電壓保持不變,MOS的驅動占空比要降低一點。其他參數保持不變。

  

  同樣,設定瞬態(tài)掃描,時間10ms,步長10ns,看看穩(wěn)態(tài)時的波形吧:

  

  t0時刻,MOS開通,初級電流線性上升。

  t1時刻,MOS關斷,初級感應電動勢耦合到次級向輸出電容轉移能量。漏感在MOS上產生電壓尖峰。輸出電壓通過繞組耦合,按照匝比關系反射到初級。這些和CCM模式時是一樣的。這一狀態(tài)維持到t2時刻結束。

  t2時刻,次級二極管電流,也就是次級電感電流降到了零。這意味著磁芯中的能量已經完全釋放了。那么因為二管電流降到了零,二極管也就自動截止了,次級相當于開路狀態(tài),輸出電壓不再反射回初級了。由于此時MOS的Vds電壓高于輸入電壓,所以在電壓差的作用下,MOS的結電容和初級電感發(fā)生諧振。諧振電流給MOS的結電容放電。Vds電壓開始下降,經過1/4之一個諧振周期后又開始上升。由于RCD箝位電路的存在,這個振蕩是個阻尼振蕩,幅度越來越小。

  t2到t3時刻,是不向輸出電容輸送能量的。輸出完全靠輸出的儲能電容來維持。

  t3時刻,MOS再次開通,由于這之前磁芯能量已經完全釋放,電感電流為零。所以初級的電流是從零開始上升的。

  從CCM模式和DCM模式的波形中我們可以看到二者波形的區(qū)別:

  1,初級電流,CCM模式是梯形波,而DCM模式是三角波。

  2,次級整流管電流波形,CCM模式是梯形波,DCM模式是三角波。

  3,MOS的Vds波形,CCM模式,在下一個周期開通前,Vds一直維持在Vin+Vf的平臺上。而DCM模式,在下一個周期開通前,Vds會從Vin+Vf這個平臺降下來發(fā)生阻尼振蕩。

  所以,只要有示波器,我們就可以很容易從波形上看出來反激是工作在CCM還是DCM狀態(tài)。

  另外,從DCM的工作波形上,我們也可以得到一些有意義的提示。

  例如,假如我們控制使次級繞組電流降到零的瞬間,開通MOS進入下一個周期。這樣可以有效利用占空比,降低初級電流峰值和RMS值。

  這種工作方式就是叫做CRM方式。可以用變頻帶電流過零檢測的IC來控制。例如L6561MC34262等。

  還有一種方式,就是次級電流過零后,MOS結電容和初級電感諧振放電,我們假如讓MOS在Vds降到最低點的時候開通,那么可以有效降低容性開通造成的能量損失。這種就是前面提到過的QR準諧振模式。這樣的控制IC現在也有很多。


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