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直流變換器并聯運行時的環(huán)流和振蕩控制

作者: 時間:2005-10-25 來源:網絡 收藏

摘要:開關電源并聯系統產生的會對電子元件產生高電壓沖擊,降低功率因數,并且使并聯的各個模塊之間產生抑止。因此,對開關電源并聯系統的技術研究得到了廣泛的關注。分析了并聯系統產生的原因和過程,并通過實驗結果得以驗證。最后總結出幾種有效解決并聯系統問題的方法。

關鍵詞:;并聯;環(huán)流;振蕩

引言

多個開關電源模塊并聯是解決大功率供電系統的關鍵技術,它的優(yōu)點是,可以靈活組合成各種功率等級的供電系統、提高了系統的可靠性、通過N+1冗余獲得容錯冗余功率、可以實現熱更換、便于維修等。

原來應用于開關電源中的整流器二極管,由于效率較低,大部分已經被MOSFET代替。這樣,在采用高效率MOSFET的同時,也產生了一些問題。

在同步整流器中的MOSFET相當于一個雙向開關,它不僅可以通過正向的電流,也允許反向電流通過。

在同步整流器中,MOSFET的電路與MOSFET導通電路形成了交叉連接(cross-coupled)。這樣一種電路的拓撲與晶體管多諧振蕩器很相似,也就是說,這種電路本身就可以形成振蕩。

所以,模塊并,由于各個模塊輸出電壓之間的差異,會導致輸出電壓高的模塊與輸出電壓低的模塊之間產生環(huán)流,形成振蕩。這樣,輸出電壓低的模塊不僅不對外提供電流,還吸收輸出電壓高的模塊的電流;輸出電壓高的模塊不僅要提供負載電流,還要提供其它模塊的電流。因此,輸出電壓高的模塊就會受到大電流的沖擊;振蕩會產生大的電壓沖擊;幾個模塊之間互相干擾,輸出電壓高的模塊會抑制輸出電壓低的模塊。

本文主要針對開關電源并聯系統,通過對可能產生環(huán)流的結構進行理論分析,闡明了產生環(huán)流和振蕩的原因和過程,并總結出幾種有效解決環(huán)流的方法。

1 并聯系統產生環(huán)流的分析

圖1為兩個采用自驅動同步整流的正激DC/DC電源模塊的并聯系統原理圖。

圖1

圖1模塊1中,S1是同步整流管,S2是續(xù)流管,L1是濾波電感,C2是濾波電容,R是并聯系統的負載。S3是MOSFET開關,變壓器原邊線圈的導通。C1和D4構成變壓器原邊線圈的續(xù)流回路。

由于S1代替了原來的二極管,使得原本只能單向導通的支路,允許反向電流通過。在并聯系統中,當兩個模塊之間存在差異時,輸出電壓會有差值,這是導致整流回路出現環(huán)流的主要原因。

兩個模塊的輸入電壓相同,控制方式都相同,當其中一個模塊的參考電壓較高時,這里假設模塊2的參考電壓較高,就會導致S7的導通角要大于S3,使模塊2的輸出電壓較高。

這時,從輸出端看,可以將兩個模塊分別等效為理想電壓源與電阻串聯的結構。如圖2所示。

從圖2可以很明顯地看出,當Vout2>Vout1時,極有可能構成回路,產生環(huán)流。

2 產生自激振蕩時的理論分析

由于環(huán)流現象的存在,使得如圖1所示的并行的電源系統會產生自激振蕩現象。

根據開關狀態(tài)不同,可以分為4個時段。

1)狀態(tài)1 S3關斷,S1關斷,S2導通。

此時模塊1的等效電路如圖3所示。圖中Lm是變壓器的勵磁電感,Cp是變壓器原邊等效到副邊的電容值,S1,S2和S3關斷時分別等效成電容CS1,CS2和CS3,V2是輸出電壓。

Cp=n2CS3 (1)

式中:n為變壓器變比。

此時vS2=0,加在S1兩端的電壓為

由于S1由導通到關斷,vS1的初值為零,可以得到

式中:iL10和iLm0為iL1和iLm的初始值。

當vS1減小到零時,進入狀態(tài)2。

2)狀態(tài)2 S3關斷,S1導通,S2關斷。此時的等效電路圖如圖4所示。

此時有vS1=0。且

由于vS2的初始值為零,可以得到

式中:

其中:iLm0和iL10為iL1和iLm在第二階段的初始值;

Ts為單位時間。

3)狀態(tài)3 S3導通,S1導通,S2關斷。此時的等效電路圖如圖5所示。

V1/n是變壓器副邊繞組的電壓,此時iL1和iLm都線性增長。

4)狀態(tài)4 S3關斷,S1導通,S2關斷。此時的等效電路圖和狀態(tài)2是相同的,所有量的時間函數表達式也都相同,只是初始值不同。

3 仿真和實驗結果

為了驗證上述環(huán)流和振蕩現象的分析結果,用Pspice對圖1所示的兩個自驅動的電源模塊系統進行了仿真,并制作了實驗模塊。

仿真和實驗系統的主要參數為:輸入電壓60V,輸出電壓5V,開關頻率為200kHz。并使模塊2單獨運的輸出電壓略高于模塊1的輸出電壓。

圖6和圖7分別為仿真結果和實驗結果。其中V1為模塊1中整流管S1源-漏極之間的電壓;V3為開關管S3源-漏極之間的電壓。

仿真結果和實驗結果表明,由于環(huán)流的存在,使得在并聯系統中出現了自激振蕩現象。

4 解決環(huán)流及振蕩問題的幾種措施

行的電源模塊出現環(huán)流和振蕩后,會影響系統的正常工作。必須采取適當的措施避免環(huán)流和振蕩現象的產生。可以采取如下措施。

4.1 電阻器法

在產生環(huán)流的回路中加入電阻器,這相當于增加了整個環(huán)流回路的電阻,可以減小環(huán)流。但是,所加入的電阻器在開關電源的輸出回路中,必然減小輸出電壓和電流。只有在對開關電源的輸出要求不高時,可以使用本方法。

4.2 采用檢測的手段加以控制消除

在各個開關電源模塊中加入電流檢測器,當某一模塊的電流發(fā)生非正常變化時,將檢測到的信號送到控制器,控制器通過控制電路使該模塊恢復正常工作,防止環(huán)流現象的發(fā)生。

這種方法可以與均流控制相結合,在防止環(huán)流產生的同時,使電流在各個模塊之間均勻分配。

4.3 改變整流MOSFET的驅動

4.3.1 改進自驅動[5]

圖8所示為一自驅動同步整流模塊。

電路在多模塊并聯運,當某一模塊因某種原因停止輸出電壓時,由于其它模塊仍在工作,且該模塊輸出端與其它模塊相聯,故輸出電壓Vout仍然存在。這時雖然該模塊不工作,但是由于結構上的原因,S1和S2的源極與漏極的電壓為Vds=Vout,柵極與漏極的電壓為Vgs=Vout,因此S1和S2都導通,從而將Vout短路,勢必導致環(huán)流。

改進后的自驅動模塊如圖9所示。

圖9

S5和S6是P溝道MOSFET。當模塊正常工作時,S5和S6只起驅動電壓緩沖作用,不影響S1和S2的驅動電壓波形。當模塊不工作時,雖然Vout仍然存在,但由于S5和S6的阻斷,電壓Vout不能加到S1和S2的柵極上,而且由于電阻R5和R6,靜電不會在柵極上積累,此時S1和S2的管腳電壓為Vds=Vout及Vgs=0。因此,S1和S2都不會導通。這樣便有效地改進了自驅動結構。

4.3.2 將自驅動改為他驅動

整流MOSFET的驅動不用自驅動,而用他驅動。將前面的單整流MOSFET結構按此方法修改后如圖10所示。整流MOSFET S1的柵極接到PWM控制電路上,改變了原來的十字交叉(Cross-coupled)結構,避免了環(huán)流和振蕩的產生。

圖10

將有兩個整流MOSFET的自驅動結構改為他驅動后如圖11所示。整流MOSFET S1和S2的驅動信號由PWM控制電路提供,同樣改變了原來的十字交叉結構,有效地避免了環(huán)流和振蕩的產生。

圖11

5 結語

在分析了直流并聯系統產生環(huán)流和振蕩原因的基礎上,提出了幾種有效解決問題的方法。



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