新聞中心

EEPW首頁(yè) > 模擬技術(shù) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 一種恒跨導(dǎo)CMOS運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)

一種恒跨導(dǎo)CMOS運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)

作者: 時(shí)間:2011-05-23 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

2.2 頻率補(bǔ)償
兩級(jí)的密勒補(bǔ)償有直接密勒補(bǔ)償和共源共柵密勒補(bǔ)償方法。用共源共柵密勒補(bǔ)償技術(shù)設(shè)計(jì)出的運(yùn)放與直接密勒補(bǔ)償相比,具有更大的單位增益帶寬、更大的擺率和更小的信號(hào)建立時(shí)間等優(yōu)點(diǎn),還可以在達(dá)到相同補(bǔ)償效果的情況下極大地減小版圖尺寸。
對(duì)于該運(yùn)放的頻率補(bǔ)償,采用了共源共柵密勒補(bǔ)償方式。如圖2所示,總體設(shè)計(jì)的補(bǔ)償回路中包含了共源共柵級(jí)M14,M16。
本文采用0.5 pF的密勒補(bǔ)償電容,通過(guò)仿真可得到相位裕度為70°,單位增益帶寬為121 MHz,補(bǔ)償效果較好。

3 仿真結(jié)果
3.1 輸入級(jí)跨導(dǎo)
為了驗(yàn)證該電路的性能指標(biāo),用HSpice進(jìn)行了模擬仿真。共模輸入電壓直流掃描輸入級(jí)跨導(dǎo)的變化曲線如圖4所示為輸入級(jí)跨導(dǎo)隨輸入共模電壓變化的曲線,由圖中可以看出,輸入共模電壓從0~3.3 V變化,跨導(dǎo)的變化維持在±5%內(nèi),基本上保持恒定,達(dá)到了設(shè)計(jì)的要求。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/187512.htm

f.jpg


3.2 放大器的性能指標(biāo)
采用HSpice對(duì)圖2所示進(jìn)行仿真分析的條件為:電源電壓為3.3 V,輸入共模電壓為1.65 V,負(fù)載電阻為10 kΩ。在對(duì)該放大器各個(gè)性能指標(biāo)進(jìn)行仿真的同時(shí),與輸出級(jí)為A類時(shí)進(jìn)行了比較。本文所設(shè)計(jì)電路的仿真結(jié)果如圖5,圖6所示。表1所示為兩類輸出級(jí)的仿真性能參數(shù)。

g.jpg



4 結(jié)語(yǔ)
本文設(shè)計(jì)了一種CMOS,該運(yùn)算放大器在輸入級(jí)中采用電流鏡和控制互補(bǔ)差分對(duì)管的尾電流來(lái)使跨導(dǎo)恒定,中間級(jí)為一折疊共源共柵電流求和電路,輸出級(jí)為前饋AB類輸出級(jí)。仿真結(jié)果表明,在3.3 V的供電電壓下,該運(yùn)放輸入級(jí)跨導(dǎo)在整個(gè)共模輸入范圍內(nèi)僅變化±5%,其輸入共模范圍和輸出信號(hào)擺幅接近于地和電源電壓,有較好的單位增益帶寬和相位裕度,輸入輸出線性動(dòng)態(tài)范圍寬,靜態(tài)功耗小于0.45 mW,在低壓低功耗應(yīng)用方面,如便攜式電子設(shè)備方面較為適用。


上一頁(yè) 1 2 3 下一頁(yè)

關(guān)鍵詞: CMOS 運(yùn)算放大器

評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉