基于MCU智能注射裝置實(shí)現(xiàn)智能電離子透入療法

2、從電路原理圖可見設(shè)計(jì)的簡潔性

在電路原理圖（圖2）中，Q1是主要開關(guān)晶體管。MOSFET Vds擊穿和D1的擊穿電壓應(yīng)大于電路的最大預(yù)期輸出電壓。當(dāng)微控制器檢測(cè)到輸出電流低于預(yù)期大小時(shí)，它會(huì)快速地連續(xù)四次對(duì)MOSFET加脈沖以提高電壓輸出。這四個(gè)脈沖將產(chǎn)生更大電流和加速負(fù)荷下的上升時(shí)間?；蛘?，可用PWM驅(qū)動(dòng)MOSFET，這樣允許來自升壓電路的更高輸出。R6/C6為電流檢測(cè)網(wǎng)絡(luò)。

由于PIC12F683體積小、成本低、配置有內(nèi)部ADC、固定基準(zhǔn)電壓、集成比較器、PWM、硬件定時(shí)器和內(nèi)部EEPROM，所以它被本設(shè)計(jì)選定為MCU。使用固定參考電壓可省去調(diào)節(jié)器或外部參考電壓，使該設(shè)計(jì)可做成一個(gè)8引腳器件以便進(jìn)一步降低成本。

該設(shè)計(jì)還包含兩個(gè)用于用戶界面的LED，一個(gè)連接至復(fù)位部件的啟動(dòng)按鈕。

測(cè)試結(jié)果

在測(cè)試過程中，捕捉到了如圖3和4所示的波形。