基于MCU智能注射裝置實現(xiàn)智能電離子透入療法
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2、從電路原理圖可見設(shè)計的簡潔性
在電路原理圖（圖2）中，Q1是主要開關(guān)晶體管。MOSFET Vds擊穿和D1的擊穿電壓應大于電路的最大預期輸出電壓。當微控制器檢測到輸出電流低于預期大小時，它會快速地連續(xù)四次對MOSFET加脈沖以提高電壓輸出。這四個脈沖將產(chǎn)生更大電流和加速負荷下的上升時間?；蛘?，可用PWM驅(qū)動MOSFET，這樣允許來自升壓電路的更高輸出。R6/C6為電流檢測網(wǎng)絡(luò)。
由于PIC12F683體積小、成本低、配置有內(nèi)部ADC、固定基準電壓、集成比較器、PWM、硬件定時器和內(nèi)部EEPROM，所以它被本設(shè)計選定為MCU。使用固定參考電壓可省去調(diào)節(jié)器或外部參考電壓，使該設(shè)計可做成一個8引腳器件以便進一步降低成本。
該設(shè)計還包含兩個用于用戶界面的LED，一個連接至復位部件的啟動按鈕。
測試結(jié)果
在測試過程中，捕捉到了如圖3和4所示的波形。
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