TRUEC2全閉環(huán)電流專利技術LED恒流控制技術

1、引言

針對LED照明負載特點，目前非隔離式的恒流驅動電源的拓撲結構基本上是BUCK降壓結構，主流的方案是通過固定關斷時間來固定峰值電流，從而達到固定輸出電流的控制策略。本文將討論這種控制策略實現(xiàn)恒流的原理，分析這種開環(huán)控制策略的優(yōu)缺點，和應用這種控制策略需要做的外圍補償，同時基于占空比半導體公司新產品DU8608芯片，介紹這種全新的閉環(huán)電流控制策略，詳細介紹這種控制策略如何突破性提高LED輸出電流精度，從開環(huán)到閉環(huán)是其本質的突破。

2、原理與設計

2.1 目前LED非隔離恒流驅動電流領域主流的控制策略

如圖1所示，電路是BUCK降壓結構，芯片控制的是MOSFET的源極，這是一種開環(huán)的恒流電流控制方式，控制原理如下：

當MOSFET開通時，電流從DCBUS通過LED負載，流過電感，流入地。

Vi-Vo=Ldi/dt=L*Ir/DT (1)

當MOSFET關斷時，電感電流從D1續(xù)流。得出以下公式：

Vo=Ldi/dt=L*Ir/(1-D)T (2)

如圖2 ，Io(average)=Ipk-1/2*Ir (3)

由(2)和(3)

Io=Vref/Rs-Vo*(1-D)T/(2*L) (4)

Vref和Rcs都是設定的定值，由于電流流過LED負載，如果電流固定，可以認為LED的電壓Vo是固定的，所以從式(4)看出，只要電感值L固定，再固定關斷時間(1-D)T， Io即固定。

圖1、非隔離降壓恒流LED驅動電源示意圖

圖2、開環(huán)控制策略中的電感電流波形

所以，這種開環(huán)的控制策略是，連接在Rt的電阻設定MOSFET的關斷時間。每個周期開始，MOSFET 打開直到電感電流上升到峰值Vref/Rs,這時MOSFET 關斷，關斷時間由Rt決定。過了設定的關斷時間，MOSFET 又重新打開，這樣周而復始地工作。關斷時間控制了紋波電流LED 平均電流，根據想要輸出的電流值，調節(jié)CS管腳的Rs值，調節(jié)Rt值，固定每個開關周期的關斷時間為一個值，從而實現(xiàn)了輸出電流恒流。

這是一種簡單有效的控制策略，但是由于這是一種開環(huán)控制模式，只能檢測電感上的峰值電流，無法檢測輸出電流，輸出電流精度在三種情況下容易出現(xiàn)偏差：

1. 輸入電壓波動。(開環(huán)控制，無法反饋，系統(tǒng)延時造成)

2. 批量生產電感感值偏差。(式4中，L變化引起Io變化)

3. LED負載電壓不相同(Vo)

對于第1種偏差，只能采取電壓補償的辦法，即檢測輸入電壓，根據輸入電壓調整內部CS參考電平值，但是效果一般，對于第2種和第3種偏差，比較難解決。

一種全新的全閉環(huán)控制策略可以完全避免上述幾種偏差，從根本上實現(xiàn)真正的LED恒流。

2.2 DU8608 如何實現(xiàn)真正全閉環(huán)的恒流控制

圖3、全閉環(huán)非隔離降壓恒流LED驅動電源示意圖

所謂的閉環(huán)，即真正檢測輸出電流值，以此為標準來發(fā)出PWM信號。所謂開環(huán)，不以檢測到的輸出電流值來做發(fā)出PWM信號的參考。從電路拓撲上，二者沒有區(qū)別。但是在芯片內部對檢測到的如圖3 CS腳電感電流信號，做專利技術處理，如圖4 TRUEC2部分。這樣，就檢測到了電感電流的平均值，也就是輸出電流的平均值。芯片針對檢測到的值，控制輸出占空比，實現(xiàn)了閉環(huán)控制。這種控制結構，同時使得線路極為簡單，圖3和圖1相比，省去了開環(huán)控制所需的輸入電壓補償線路，省卻了控制固定關斷時間所需的Rt電阻。值得一提的是，由于閉環(huán)控制電流，相比于開環(huán)方式，此線路具有電感短路保護功能，同時具備Rcs采樣電阻的開路、短路保護功能。這在生產應用中是非常重要的，這相當于大大降低了系統(tǒng)發(fā)生故障的風險。使得這種方案不僅在性能上有了質的飛躍，在可靠性上也大大提高。

圖4、DU8608內部功能圖

圖5、TRUEC2部分工作示意