Diodes柵極驅(qū)動(dòng)器可在半橋或全橋配置下開(kāi)關(guān)功率MOSFET與IGBT

　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器，可在半橋或全橋配置下輕易開(kāi)關(guān)功率MOSFET與IGBT。目標(biāo)應(yīng)用包括大型家用電器的驅(qū)動(dòng)電機(jī)、工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)以及電動(dòng)自行車(chē)和無(wú)人駕駛飛機(jī)等以電池供電的運(yùn)載工具。新產(chǎn)品還適用于超過(guò)600W的電源，以及燃料電池、太陽(yáng)能和風(fēng)力發(fā)電應(yīng)用的反相器。

　　DGD21xx系列具有可自舉到高達(dá)600V的浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器，使之適用于在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器及電源常見(jiàn)的高壓電源軌。高峰值電流驅(qū)動(dòng)能力實(shí)現(xiàn)MOSFET與IGBT的快速開(kāi)關(guān)，從而在高頻率工作下提升效率。這些器件的輸入邏輯兼容低至3.3V，進(jìn)一步簡(jiǎn)化控制器及電源開(kāi)關(guān)之間的接口設(shè)計(jì)。

　　為防止MOSFET或IGBT出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象，所有器件都提供延遲匹配能力，而半橋驅(qū)動(dòng)器還配備預(yù)設(shè)的內(nèi)部死區(qū)時(shí)間。其它自我保護(hù)功能包括有效防止觸發(fā)故障狀態(tài)的施密特 (Schmitt) 輸入;能夠承受由高dV/dt開(kāi)關(guān)所產(chǎn)生負(fù)瞬態(tài)的柵極驅(qū)動(dòng)器，以及可在低供電電壓情況下防止故障的欠壓閉鎖。

　　新產(chǎn)品系列采用SO-8或SO-16封裝，與其他來(lái)源的器件引腳兼容。如欲了解進(jìn)一步產(chǎn)品信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)www.diodes.com。