高隔離度、硅SPDT、非反射開(kāi)關(guān)，9 kHz至13.0 GHz

　　產(chǎn)品特性

　　非反射式50 ?設(shè)計(jì)

　　正控制電壓： 0 V/3.3 V

　　低插入損耗： 0.68 dB (8.0 GHz)

　　高隔離度： 48 dB (8.0 GHz)

　　高功率處理

　　35 dBm(通過(guò)路徑)

　　27 dBm(端接路徑)

　　高線性度

　　1 dB壓縮(P1dB)： 37 dBm(典型值)

　　輸入三階交調(diào)截點(diǎn)(IIP3)： 62 dBm(典型值)

　　ESD額定值： 2 kV人體模型(HBM)

　　3 mm x 3 mm、16引腳LFCSP封裝

　　無(wú)低頻雜散

　　建立時(shí)間(最終RFOUT的0.05 dB裕量)： 7.5 µs

　　應(yīng)用

　　測(cè)試儀器儀表

　　微波無(wú)線電和甚小孔徑終端(VSAT)

　　軍用無(wú)線電、雷達(dá)和電子對(duì)抗(ECM)

　　光纖和寬帶電信

　　功能框圖

　　概述

　　HMC1118是一款通用、寬帶、非反射式單刀雙擲(SPDT)開(kāi)關(guān)芯片，采用LFCSP表貼封裝。 該開(kāi)關(guān)頻率范圍為9 kHz至13.0 GHz，具有高隔離度和低插入損耗。 該開(kāi)關(guān)具有48 dB以上的隔離性能，8.0 GHz及以下頻率時(shí)的插入損耗為0.68 dB，最終RFOUT的0.05 dB裕量的建立時(shí)間為7.5 us。 該開(kāi)關(guān)采用+3.3和0 V的正控制電壓邏輯線路工作，需要+3.3 V和−2.5 V電源供電。 僅施加一個(gè)正電源電壓而負(fù)電源電壓(VSS)接地時(shí)，HMC1118的工作頻率范圍不變，并且仍能保持良好的功率處理性能。 HMC1118采用3 mm × 3 mm表貼LFCSP封裝。

　　技術(shù)規(guī)格

　　電氣規(guī)格

　　除非另有說(shuō)明，VCTRL = 0 V/3.3 V dc，VDD = LS = 3.3 V dc，VSS = −2.5 V dc，TA = 25°C，50 ?系統(tǒng)。

　　表1

　　數(shù)字控制電壓

　　除非領(lǐng)域說(shuō)明，VDD = 3.3 V ± 10%，VSS = −2.5 V ± 10%，TCASE = −40°C至+85°C。

　　表2

　　偏置和電源電流

　　表3

　　絕對(duì)最大額定值

　　表4

　　注意，等于或超出上述絕對(duì)最大額定值可能會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品永久性損壞。 這只是額定最值，并不能以這些條件或者在任何其它超出本技術(shù)規(guī)范操作章節(jié)中所示規(guī)格的條件下，推斷產(chǎn)品能否正常工作。 長(zhǎng)期在超出最大額定值條件下工作會(huì)影響產(chǎn)品的可靠性。

　　圖2. 功率減額(通過(guò)路徑)

　　圖3. 功率減額(通過(guò)路徑，低頻細(xì)節(jié))

　　圖4. 功率減額(熱切換功率)

　　ESD警告