22納米有望在2011~2012年實現(xiàn)商用

為了促進納米電子學的發(fā)展，奧爾巴尼大學的納米學院已經(jīng)被授予半導體研究公司(Semiconductor Research Corporation, SRC)的領導地位。

這項在去年2月開始的為期3年、投資750萬美元的計劃由SRC以及紐約州共同投資，奧爾巴尼大學的納米學院就是紐約先進互連科學和技術中心(NY CAIST)計劃的基地。

除了奧爾巴尼大學內(nèi)的納米級科學以及工程學院(CNSE)之外，參與該項目的學術機構(gòu)包括：哥倫比亞大學、科內(nèi)爾大學、Lehigh大學、馬薩諸塞州理工大學(MIT)、Penn State大學、Rensselaer工學院(RPI)、斯坦福大學、SUNY Binghamton大學、佛羅里達大學、馬里蘭大學、北德州大學、以及位于阿林頓和奧斯汀的德州大學。

作為NY CAIST計劃的組成部分，規(guī)劃的項目有27個，最終目標是為芯片制造商服務提供擴展銅以及低k介質(zhì)縮小技術。

“因為互連性能正開始超越器件成為主宰芯片性能的關鍵因素，互連研究對于確保半導體器件工藝尺寸的持續(xù)縮小越來越重要，”在全球研究協(xié)作(Global Research Collaboration, GRC)擔任互連以及封裝研究的總監(jiān)、英特爾公司的代理人Scott List表示。GRC是SRC的下屬單位，負責縮小各種選項，以便把CMOS工藝傳承至最終極限。

“在22納米以下工藝尺寸，為了驅(qū)使芯片幾何尺寸的縮小，必須縮小互連，但是，這種技術僅僅提供一半的解決方案。當我們評估像碳納米管以及光學互連等選項的過程中，我們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)若干實現(xiàn)22納米互連的可行選擇。在向著縮小銅互連以及低k介質(zhì)的方向發(fā)展的過程中，至關重要的是我們繼續(xù)在與NY CAIST取得一道的進步基礎上構(gòu)建新的技術，”List表示。

研究人員指出，年復一年，芯片上的開關速度已經(jīng)增長了幾乎20%，而線寬縮小了30%，晶體管密度也增加了。然而，如果無法實現(xiàn)新型的互連材料、工藝、方法學和概念，這種芯片速度、晶體管密度持續(xù)增加而線寬持續(xù)縮小的步伐最終將減慢下來。

在奧爾巴尼大學內(nèi)的納米級科學以及工程學院的SRC以及NY CAIST的研究人員將攜手開展交叉功能協(xié)作，涉及領域包括：縮小側(cè)壁以及晶界散射，從而減小40納米銅電阻系數(shù);開發(fā)新一類厚度為幾個原子的銅擴散勢壘區(qū);開發(fā)具有原子分辨率的測量掩埋接口的方法;在幾個原子的規(guī)模上最優(yōu)化低k介質(zhì)中的空穴尺寸和結(jié)構(gòu)，從而在提高速度的同時維持強度;掌握互連中存在的根本故障機制，以減少介質(zhì)中的短路以及銅線中的開路。

研究工作將建立在NY CAIST過去三年期間SRC、GRC及其學術合作伙伴的研究工作基礎之上，并增強NY CAIST的研究工作。

已經(jīng)取得的成果包括：實證從銅線的邊緣起可以把側(cè)壁散射減少50%;實現(xiàn)了小于10個原子厚的擴散勢壘;評估了新的基于光學以及碳納米管的互連。

國際半導體技術路線圖(The International Technology Roadmap for Semiconductors, ITRS)預計22納米節(jié)點到2011-12年將實現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn)。

2007年9月，在一項相關努力中，SRC和美國商務部的國家標準和技術研究院(National Institute of Standards and Technology, NIST)發(fā)布了一項合作伙伴關系，以支持在納米電子學領域的研究。

該計劃是為了證明未來5-10年內(nèi)下一代電路的可行性。

今年，NIST將為該努力捐助276萬美元，屆時與來自行業(yè)的資金結(jié)合起來，將提供接近400萬美元的新的研究津貼。