用電壓控制頻率的LC振蕩電路

用電壓控制頻率的LC振蕩電路
要改變ＬＣ振蕩電路之振蕩頻率的方法時，可以改變線圈或者電容器的數值，若將此電容器以變容二極體取代的話，以電壓值改變容量就可以使振蕩頻率產生變化。這樣的結構稱為ＶＣＯ（Voltage Controlled Oscillator）電路，由於采用容量變化量較大的變容二極體，所以能組成振蕩頻率變化量寬廣之振蕩電路。
●ＶＣＯ電路（１）

圖２３－１之電路系柯爾必茲振蕩電路，二個可變電容器以變容二極體取代之，變容二極體１ＳＶ１００（東芝）系ＡＭ調諧用之元件，容量變化范圍由２０ＰＦ～４００ＰＦ，因此，容量的變化比為Ｃmax／Ｃmin＝２０，振蕩頻率的變化范圍就可以制作得很寬廣，但是變容二極體是半導體元件，所以在特性上會有些誤差，故在使用之前要別特性相似之變容二極體。至於線圈則使用１０Ｋ
型之線圈基座，在一次側繞６圈，二次側繞二圈，在共振電路上接阻尼（Damping）電阻是要使振蕩
頻率變化時，輸出電平的變化不要太大。此電路之變容二極體上的控制電壓在０～１２Ｖ間變化時，振蕩頻率大約在１０ＭＨｚ～７０ＭＨｚ間變化，但是加於變容二極體上的控制電壓降低時，振蕩電平就會急驟的下降，因此，實用振蕩范圍在２０～７０ＭＨｚ左右。當ＯＵＴ端子接上４７０Ω之電阻時，於４０ＭＨｚ，振蕩頻率的電平大約有３００ｍＶ，電平的變動於２０～７０ＭＨｚ之間都在－６ｄＢ之范圍內。

圖２３－２是ＦＭ調諧器（Tuner）的本地振蕩電路，此電路系柯爾必茲電路的變形電路，稱為克拉普（ Clapp）電路，至於改變頻率的元件則使用背向變容二極體（ PairDiode Varicap）１ＳＶ５５，系以直流電壓控制容量。由於１ＳＶ５５之內部有兩個特性相近的變容二極體背向接在一起，因此，即使於Ｑ值高的電路有足以使二極體導通的大振幅信號加於其上，因為任何一個二極體都是逆向的，所以并不會導通，振蕩電路就不會有異常動作的顧慮。１ＳＶ５５之端子間容量變化由４０ＰＦ（ＶR ＝３Ｖ）至２.５ＰＦ（ＶR＝３０Ｖ），當０～９Ｖ的控制電壓加於此電路上時，振蕩頻率的范圍在６０～９０ＭＨｚ。