MSP430單片機對片內(nèi)FLASH的讀寫操作程序范例

// 參數(shù)： wAddr 為地址 , 范圍 0x1000~0xFFFF

voidReadFlash(U16 wAddr,U8 *bBuf,U8 bLen)
{
while(bLen--)
*bBuf++=*(U8 *)wAddr++;
return;
}

voidWriteFlash(U16 wAddr,U8 *bBuf,U8 bLen)
{
U8 reg1,reg2;

reg1=_BIC_SR(GIE);

reg2=IE1;IE1=0;// 保護原來中斷標(biāo)志，并關(guān)閉有關(guān)中斷。

// 寫一個字節(jié)數(shù)據(jù)到指定flash地址
while(bLen--)
{
while(FCTL3&BUSY); // 等待以前FLASH操作完成
FCTL3 = FWKEY;
FCTL1 =FWKEY+WRT; // 發(fā)送寫flash命令
*(U8 *)wAddr++=*bBuf // 寫數(shù)據(jù)到指定的flash地址

while(FCTL3&BUSY); // 等待寫操作完成
FCTL1 = FWKEY;
FCTL3 = FWKEY+LOCK; // 對FLASH內(nèi)容進行加鎖保護
}

if(reg1&GIE) _BIS_SR(GIE); // 恢復(fù)中斷標(biāo)志
IE1=reg2;

return;
}

voidEraseSectorFlash(U16 wAddr)
{
U8 reg1,reg2;

reg1=_BIC_SR(GIE);

reg2=IE1; // 保護有關(guān)中斷標(biāo)志

IE1=0;// 關(guān)閉IE1中斷

while(FCTL3&BUSY);// 等待FLASH編程結(jié)束

FCTL3 = FWKEY;// 為了準(zhǔn)備編程而初始化FLASH控制寄存器3

FCTL1 = FWKEY+ERASE;// 發(fā)送FLASH擦除命令

*(U8 *)wAddr=0;// 啟動擦除操作

while(FCTL3&BUSY); // 等待擦除操作完成

FCTL1 = FWKEY;// 撤銷任何對FLASH的操作命令

FCTL3 = FWKEY+LOCK;// 對FLASH內(nèi)容進行加鎖保護

if(reg1&GIE) _BIS_SR(GIE); // 恢復(fù)中斷標(biāo)志

IE1=reg2;

return;
}