MSP430 FLASH讀寫
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FLASH存儲器寫入數(shù)據時，每一位只能由“1”變成“0”，不能由“0”變成“1“，因此，當我們有數(shù)據要保存到FLASH存儲器時，要先對目標段進行整段擦除操作，擦除操作使的對應段FLASH存儲器變成全“1”。下面是擦除FLASH段的子程序，配置好必要的寄存器后，向段中任意地址寫入數(shù)據，及擦除一段。
void flash_clr(int *ptr)
{
_DINT(); //關中斷
FCTL3 = 0x0A500; //* Lock = 0 開鎖
FCTL1 = 0x0A502; //* Erase = 1 使能擦除
*((int *) ptr) = 0; //* 擦除段
}
FLASH存儲器可以按字節(jié)寫入，也可以按字寫入。
// 字節(jié)寫入
void flash_write_int8(int8_t *ptr, int8_t value)
{
_DINT();
FCTL3 = 0x0A500; // Lock = 0 開鎖
FCTL1 = 0x0A540; // Write = 1使能寫入
*((int8_t *) ptr) = value; // 寫入數(shù)據
}
// 字寫入
void flash_write_int16(int16_t *ptr, int16_t value)
{
_DINT();
FCTL3 = 0x0A500; /* Lock = 0 */
FCTL1 = 0x0A540; /* Write = 1 */
*((int16_t *) ptr) = value; /* Program the flash */
}
FLASH存儲器可以連續(xù)寫入
// 按字節(jié)寫入指定的數(shù)量的數(shù)據
void flash_memcpy(char *ptr, char *from, int len)
{
_DINT();
FCTL3 = 0x0A500; /* Lock = 0 */
FCTL1 = 0x0A540; /* Write = 1 */
while (len)
{
*ptr++ = *from++;
len--;
}
}
在我們的應用程序中可以將要保存的數(shù)據放在一個自定義的結構中，例如：
typedef struct Setup
{
float gain_ch0; // 0通道增益
float gain_ch1; // 1通道增益
float gain_ch2; // 2通道增益
…
char init_flag; //初始化標記，恒為0xAA;
}SETUP;
我們定義了一個SETUP結構，存放三個AD通道的增益，以及其他要掉電保存的信息，init_flag的作用是標志FLASH的參數(shù)是否已被正確初始化，當我們設置了FLASH參數(shù)后，將init_flag置一個固定值，例如設為0xAAh，在程序開始運行時，檢查init_flag，當init_flag的值為0xAAh時，表明參數(shù)已被初始化。
使用FLASH參數(shù)：在程序中定義一個SETUP類型的指針變量，通過這個指針訪問FLASH中的參數(shù)。例如：
#define SegmentA 0x1080
float temp;
SETUP *p_setup_flash = (SETUP *) SegmentA
if(p_setup_flash-> init_flag == 0xAA)
{
temp = p_setup_flash->gain_ch0;
}
修改FLASH信息：由于FLASH不能象RAM一樣直接修改，可以將FLASH信息拷貝到RAM中，修改相應參數(shù)后，重新保存到FLASH存儲器中，之前要先擦除FLASH存儲區(qū)。例如：
SETUP *p_setup;
SETUP buf; // 臨時變量
p_setup = (SETUP *) SegmentA // 指向FLASH
memcpy((char *) buf, (char *) p_setup_flash, sizeof(SETUP)); // 拷貝到RAM
p_setup = &buf; // 指向RAM
p_setup-> gain_ch0 = 1.02; // 修改參數(shù)
flash_memcpy((char *) p_setup_flash, (char *) buf, sizeof(SETUP)); // 拷貝到FLASH
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