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STM32 外部 SRAM

作者： 時間：2016-11-11 來源：網(wǎng)絡(luò) 收藏
STM32F103ZET6自帶了64K字節(jié)的SRAM，對一般應(yīng)用來說，已經(jīng)足夠了，不過在一些對內(nèi)存要求高的場合，STM32自帶的這些內(nèi)存就不夠用了。比如跑算法或者跑GUI等，就可能不太夠用

IS62WV51216簡介

本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/201611/317049.htm

IS62WV51216是ISSI（IntegratedSiliconSolution,Inc）公司生產(chǎn)的一顆16位寬512K（512*16，即1M字節(jié)）容量的CMOS靜態(tài)內(nèi)存芯片。該芯片具有如下幾個特點：

l高速。具有45ns/55ns訪問速度。

l低功耗。

lTTL電平兼容。

l全靜態(tài)操作。不需要刷新和時鐘電路。

l三態(tài)輸出。

l字節(jié)控制功能。支持高/低字節(jié)控制。

看看實現(xiàn)IS62WV51216的訪問，需要對FSMC進行哪些配置。這里就做一個概括性的講解。步驟如下：

1）使能FSMC時鐘，并配置FSMC相關(guān)的IO及其時鐘使能。

要使用FSMC，當然首先得開啟其時鐘。然后需要把FSMC_D0~15，F(xiàn)SMCA0~18等相關(guān)IO口，全部配置為復(fù)用輸出，并使能各IO組的時鐘。

使能FSMC時鐘的方法：

RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);

對于其他IO口設(shè)置的方法前面講解很詳細，這里不做過多的講解。

2）設(shè)置FSMCBANK1區(qū)域3。

此部分包括設(shè)置區(qū)域3的存儲器的工作模式、位寬和讀寫時序等。我們使用模式A、16位寬，讀寫共用一個時序寄存器。使用的函數(shù)是：

voidFSMC_NORSRAMInit(FSMC_NORSRAMInitTypeDef*FSMC_NORSRAMInitStruct)

3）使能BANK1區(qū)域3。

使能BANK的方法跟前面LCD實驗也是一樣的，這里也不做詳細講解，函數(shù)是：

voidFSMC_NORSRAMCmd(uint32_tFSMC_Bank,FunctionalStateNewState)；

通過以上幾個步驟，我們就完成了FSMC的配置，可以訪問IS62WV51216了，這里還需要注意，因為我們使用的是BANK1的區(qū)域3，所以HADDR[27:26]=10，故外部內(nèi)存的首地址為0X68000000。

  1. //使用NOR/SRAM的 Bank1.sector3,地址位HADDR[27,26]=10
  2. //對IS61LV25616/IS62WV25616,地址線范圍為A0~A17
  3. //對IS61LV51216/IS62WV51216,地址線范圍為A0~A18
  4. #defineBank1_SRAM3_ADDR((u32)(0x68000000))
  6. //初始化外部SRAM
  7. voidFSMC_SRAM_Init(void)
  8. {
  9. FSMC_NORSRAMInitTypeDef FSMC_NORSRAMInitStructure;
  10. FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef readWriteTiming;
  11. GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure;
  13. RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOD|RCC_APB2Periph_GPIOE|RCC_APB2Periph_GPIOF|RCC_APB2Periph_GPIOG,ENABLE);
  14. RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);
  16. GPIO_InitStructure.GPIO_Pin=0xFF33; //PORTD復(fù)用推挽輸出
  17. GPIO_InitStructure.GPIO_Mode=GPIO_Mode_AF_PP;//復(fù)用推挽輸出
  18. GPIO_InitStructure.GPIO_Speed=GPIO_Speed_50MHz;
  19. GPIO_Init(GPIOD,&GPIO_InitStructure);
  22. GPIO_InitStructure.GPIO_Pin=0xFF83; //PORTE復(fù)用推挽輸出
  23. GPIO_Init(GPIOE,&GPIO_InitStructure);
  25. GPIO_InitStructure.GPIO_Pin=0xF03F; //PORTD復(fù)用推挽輸出
  26. GPIO_Init(GPIOF,&GPIO_InitStructure);
  28. GPIO_InitStructure.GPIO_Pin=0x043F; //PORTD復(fù)用推挽輸出
  29. GPIO_Init(GPIOG,&GPIO_InitStructure);
  32. readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime=0x00;//地址建立時間（ADDSET）為1個HCLK 1/36M=27ns
  33. readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime=0x00;//地址保持時間（ADDHLD）模式A未用到
  34. readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime=0x03;//數(shù)據(jù)保持時間（DATAST）為3個HCLK 4/72M=55ns(對EM的SRAM芯片)
  35. readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration=0x00;
  36. readWriteTiming.FSMC_CLKDivision=0x00;
  37. readWriteTiming.FSMC_DataLatency=0x00;
  38. readWriteTiming.FSMC_AccessMode=FSMC_AccessMode_A;//模式A
  42. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank=FSMC_Bank1_NORSRAM3;// 這里我們使用NE3 ，也就對應(yīng)BTCR[4],[5]。
  43. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux=FSMC_DataAddressMux_Disable;
  44. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType=FSMC_MemoryType_SRAM;// FSMC_MemoryType_SRAM; //SRAM
  45. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth=FSMC_MemoryDataWidth_16b;//存儲器數(shù)據(jù)寬度為16bit
  46. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode=FSMC_BurstAccessMode_Disable;// FSMC_BurstAccessMode_Disable;
  47. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity=FSMC_WaitSignalPolarity_Low;
  48. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait=FSMC_AsynchronousWait_Disable;
  49. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode=FSMC_WrapMode_Disable;
  50. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive=FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;
  51. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation=FSMC_WriteOperation_Enable;//存儲器寫使能
  52. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal=FSMC_WaitSignal_Disable;
  53. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode=FSMC_ExtendedMode_Disable;// 讀寫使用相同的時序
  54. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst=FSMC_WriteBurst_Disable;
  55. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct=&readWriteTiming;
  56. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct=&readWriteTiming;//讀寫同樣時序
  58. FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure);//初始化FSMC配置
  60. FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM3,ENABLE);// 使能BANK3
  62. }
  64. //在指定地址開始,連續(xù)寫入n個字節(jié).
  65. //pBuffer:字節(jié)指針
  66. //WriteAddr:要寫入的地址
  67. //n:要寫入的字節(jié)數(shù)
  68. voidFSMC_SRAM_WriteBuffer(u8*pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n)
  69. {
  70. for(;n!=0;n--)
  71. {
  72. *(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;
  73. WriteAddr+=2;//這里需要加2，是因為STM32的FSMC地址右移一位對其.加2相當于加1.
  74. pBuffer++;
  75. }
  76. }
  77. //在指定地址開始,連續(xù)讀出n個字節(jié).
  78. //pBuffer:字節(jié)指針
  79. //ReadAddr:要讀出的起始地址
  80. //n:要寫入的字節(jié)數(shù)
  81. voidFSMC_SRAM_ReadBuffer(u8*pBuffer,u32 ReadAddr,u32 n)
  82. {
  83. for(;n!=0;n--)
  84. {
  85. *pBuffer++=*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+ReadAddr);
  86. ReadAddr+=2;//這里需要加2，是因為STM32的FSMC地址右移一位對其.加2相當于加1.
  87. }
  88. }
  89. ////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
  90. //測試函數(shù)
  91. //在指定地址寫入1個字節(jié)
  92. //addr:地址
  93. //data:要寫入的數(shù)據(jù)
  94. voidfsmc_sram_test_write(u8data,u32 addr)
  95. {
  96. FSMC_SRAM_WriteBuffer(&data,addr,1);//寫入1個字節(jié)
  97. }
  98. //讀取1個字節(jié)
  99. //addr:要讀取的地址
  100. //返回值:讀取到的數(shù)據(jù)
  101. u8 fsmc_sram_test_read(u32 addr)
  102. {
  103. u8data;
  104. FSMC_SRAM_ReadBuffer(&data,addr,1);
  105. returndata;
  106. }

關(guān)鍵詞： STM32外部SRA

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