S3C2440的SDRAM驅動
內存是代碼的執(zhí)行空間,以PC機為例,程序是以文件的形式保存在硬盤里面的,程序在運行之前先由操作系統(tǒng)裝載入內存中,由于內存是RAM(隨機訪問存儲器),可以通過地址去定位一個字節(jié)的數(shù)據(jù),CPU在執(zhí)行程序時將PC的值設置為程序在內存中的開始地址,CPU會依次的從內存里取址,譯碼,執(zhí)行,在內存沒有被初始化之前,內存好比是未建好的房子,是不能讀取和存儲數(shù)據(jù)的,因此我們要想讓MTOS運行在內存里必須進行內存的初始化。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201611/317595.htm通用存儲設備:
在介紹內存工作原理之前有必要了解下存儲設備的存儲方式:ROM,RAM
lROM(Read-Only Memory):只讀存儲器,是一種只能讀出事先所存數(shù)據(jù)的固態(tài)半導體存儲器。其特性是一旦儲存資料就無法再將之改變或刪除。通常用在不需經(jīng)常變更資料的電子或電腦系統(tǒng)中,資料并且不會因為電源關閉而消失。如:PC里面的BIOS。
lRAM(Random Access Memory):隨機訪問存儲器,存儲單元的內容可按需隨意取出或存入,且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器??梢岳斫鉃椋斈憬o定一個隨機有效的訪問地址,RAM會返回其存儲內容(隨機尋址),它訪問速度與地址的無關。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容,故主要用于存儲短時間內隨機訪問使用的程序。計算機系統(tǒng)里內存地址是一個四字節(jié)對齊的地址(32位機),CPU的取指,執(zhí)行,存儲都是通過地址進行的,因此它可以用來做內存。
RAM按照硬件設計的不同,隨機存儲器又分為DRAM(Dynamic RAM)動態(tài)隨機存儲器和SRAM(Static RAM)靜態(tài)隨機存儲器。
lDRAM:它的基本原件是小電容,電容可以在兩個極板上短時間內保留電荷,可以通過兩極之間有無電壓差代表計算機里的0和1,由于電容的物理特性,要定期的為其充電,否則數(shù)據(jù)會丟失。對電容的充電過程叫做刷新,但是制作工藝較簡單,體積小,便于集成化,經(jīng)常做為計算機里內存制作原件。比如:PC的內存,SDRAM, DDR, DDR2, DDR3等,缺點:由于要定期刷新存儲介質,存取速度較慢。
lSRAM:它是一種具有靜止存取功能的內存,不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數(shù)據(jù)。因此其存取速度快,但是體積較大,功耗大,成本高,常用作存儲容量不高,但存取速度快的場合,比如CPU的L1 cache,L2cache(一級,二級緩存),寄存器。
為了滿足開發(fā)的需要MINI2440在出廠時搭載了三種存儲介質:
(1)NOR FLASH(2M):ROM存儲器,通常用來保存BootLoader,引導系統(tǒng)啟動
(2)NAND FLASH(256M,型號不一樣,Nandflash大小不一樣):保存操作系統(tǒng)映像文件和文件系統(tǒng)
(3)SDRAM(64M):內存,執(zhí)行程序
lNORFLASH:它的特點是支持XIP芯片內執(zhí)行(eXecute In Place),這樣應用程序可以直接在Flash閃存內運行,不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中,也就是說可以隨機尋址。NOR FLASH的成本較高。
lNAND FLASH:它能提供極高的單元密度,可以達到高存儲密度,并且寫入和擦除的速度也很快。其成本較低,不支持XIP??勺?strong>嵌入式里的數(shù)據(jù)存儲介質。如:手機存儲卡,SD卡等。
1.1.1S3C2440存儲器地址段(Bank)
S3C2440對外引出了27根地址線ADDR0~ADDR26,它最多能夠尋址128MB,而S3C2440的尋址空間可以達到1GB,這是由于S3C2440將1GB的地址空間分成了8個BANKS(Bank0~Bank7),其中每一個BANK對應一根片選信號線nGCS0~nGCS7,當訪問BANKx的時候,nGCSx管腳電平拉低,用來選中外接設備,S3C2440通過8根選信號線和27根地址線,就可以訪問1GB。如圖2-48所示。
圖2-48 S3C2440存儲器BANK
如圖所示,左側圖對應不使用Nandflash啟動時(通過跳線設置),存儲器Bank分布圖,通常在這種啟動方式里選擇Norflash啟動,將Norflash焊接在Bank0,系統(tǒng)上電后,CPU從Bank0的開始地址0x00000000開始取指運行。
上圖右側是選擇從Nandflash引導啟動(通過跳線設置),系統(tǒng)上電后,CPU會自動將Nandflash里前4K的數(shù)據(jù)復制到S3C2440內部一個4K大小SRAM類型存儲器里(叫做Steppingstone),然后從Steppingstone取指啟動。
其中Bank0~Bank5可以焊接ROM或SRAM類型存儲器,Bank6~Bank7可以焊接ROM,SRAM,SDRAM類型存儲器,也就是說,S3C2440的SDRAM內存應該焊接在Bank6~Bank7上,最大支持內存256M,Bank0~Bank5通常焊接一些用于引導系統(tǒng)啟動小容量ROM,具體焊接什么樣存儲器,多大容量,根據(jù)每個開發(fā)板生產(chǎn)商不同而不同,比如MINI2440開發(fā)板將2M的Norflash焊接在了Bank0上,用于存放系統(tǒng)引導程序Bootloader,將兩片32M,16Bit位寬SDRAM內存焊接在Bank6和Bank7上,并聯(lián)形成64M,32位內存。
由于S3C2440是32位芯片,理論上講可以達到4GB的尋址范圍,除去上述8個BANK用于連接外部設備,還有一部分的地址空間是用于設備特殊功能寄存器,其余地址沒有被使用。
表2-14 S3C2440設備寄存器地址空間
外接設備 | 起始地址 | 結束地址 |
存儲控制器 | 0x48000000 | 0x48000030 |
USB Host控制器 | 0x49000000 | 0x49000058 |
中斷控制器 | 0x4A000000 | 0x4A00001C |
DMA | 0x4B000000 | 0x4B0000E0 |
時鐘和電源管理 | 0x4C000000 | 0x4C000014 |
LCD控制器 | 0x4D000000 | 0x4D000060 |
NAND FLASH控制器 | 0x4E000000 | 0x4E000014 |
攝像頭接口 | 0x4F000000 | 0x4F0000A0 |
UART | 0x50000000 | 0x50008028 |
脈寬調制計時器 | 0x51000000 | 0x51000040 |
USB設備 | 0x52000140 | 0x5200026F |
WATCHDOG計時器 | 0x53000000 | 0x53000008 |
IIC控制器 | 0x54000000 | 0x5400000C |
IIS控制器 | 0x55000000 | 0x55000012 |
I/O端口 | 0x56000000 | 0x560000B0 |
實時時鐘RTC | 0x57000040 | 0x5700008B |
A/D轉換器 | 0x58000000 | 0x58000010 |
SPI | 0x59000000 | 0x59000034 |
SD接口 | 0x5A000000 | 0x5A000040 |
AC97音頻編碼接口 | 0x5B000000 | 0x5B00001C |
1.1.2SDRAM內存工作原理
SDRAM的內部是一個存儲陣列。陣列就如同表格一樣,將數(shù)據(jù)“填”進去。在數(shù)據(jù)讀寫時和表格的檢索原理一樣,先指定一個行(Row),再指定一個列(Column),我們就可以準確地找到所需要的單元格,這就是內存芯片尋址的基本原理,如圖2-49所示。
圖2-49內存行,列地址尋址示意圖
這個單元格(存儲陣列)就叫邏輯Bank(Logical Bank,下文簡稱L-Bank)。由于技術、成本等原因,不可能只做一個全容量的L-Bank,而且最重要的是,由于SDRAM的工作原理限制,單一的L-Ban k將會造成非常嚴重的尋址沖突,大幅降低內存效率。所以人們在SDRAM內部分割成多個L-Bank,目前基本都是4個(這也是SDRAM規(guī)范中的最高L-Bank數(shù)量),由此可見,在進行尋址時就要先確定是哪個L-Bank,然后在這個選定的L-Bank中選擇相應的行與列進行尋址。因此對內存的訪問,一次只能是一個L-Bank工作。如圖2-50:
圖2-50內存存儲單元
當對內存進行操作時(見下圖),先要確定操作L-Bank,因此要對L-Bank進行選擇。在內存芯片的外部管腳上多出了兩個管腳BA0, BA1,用來片選4個L-Bank。如前所述,32位的地址長度由于其存儲結構特點,分成了行地址和列地址。通過下面的內存結構圖可知,內存外接管腳地址線只有13根地址線A0~A12,它最多只能尋址8M內存空間,到底使用什么機制來實現(xiàn)對64M內存空間進行尋址的呢?SDRAM的行地址線和列地址線是分時復用的,即地址要分兩次送出,先送出行地址(nSRAS行有效操作),再送出列地址(nSCAS列有效操作)。這樣,可以大幅度減少地址線的數(shù)目,提高器件的性能和制作工藝復雜度。但尋址過程也會因此而變得復雜。實際上,現(xiàn)在的SDRAM一般都以L-Bank為基本尋址對象的。由L-Bank地址線BAn控制L-Bank間的選擇,行地址線和列地址線貫穿連接所有的L-Bank,每個L-Bank的數(shù)據(jù)的寬度和整個存儲器的寬度相同,這樣,可以加快數(shù)據(jù)的存儲速度。同時,BAn還可以使未被選中的L-Bank工作于低功耗的模式下,從而降低器件的功耗。
圖2-51 HY57561620內部結構圖
開發(fā)板內存控制器管腳接線(以MINI2440開發(fā)板為例):
(1)確定BA0、BA1的接線
表2-15 BA0、BA1接線
Bank Size:外接內存容量大?。℉Y57561620是4Mbit*16bit*4Bank*2Chips/8=64MB)
Bus Width:總線寬度 (兩片16位HY57561620,并聯(lián)成32位)
Base Component:單個芯片容量(bit)(256Mb)
Memory Configration:內存配置((4M*16*4banks)*2Chips )
由硬件手冊Bank Address管腳連接配置表可知,使用A[25:24]兩根地址線作為Bank片選信號,正好兩根接線可以片選每個存儲單元的4個BANKS。
(2)確定其它接線
SDRAM內存是焊接在BANK6~BANK7上的,其焊接管腳,如圖2-52:
圖2-52 S3C2440 16位寬內存芯片
上圖是S3C2440提供的兩片16位芯片并聯(lián)連接示意圖,An是CPU地址總線,其中A2~A14為內存芯片尋址總線,之所以地址尋址總線從A2開始是因為內存地址都是按字節(jié)對齊的,,A24,A25為L-Bank片選信號,Dn為CPU數(shù)據(jù)總線,其它為對應控制信號線。
表2-16內存芯片各管腳說明
外接管腳名 | 內接管腳名 | 全稱 | 描述 |
A2~A14 | A0~A12 | Address | 地址線 |
D0 ~D31 | DQ0~DQ31 | Data Input/Output | 數(shù)據(jù)線 |
A24,A25 | BA0,BA1 | Bank Address | L-BANK片選信號 |
DQM0~DQM3 | LDQM, UDQM | Data Input/Output Mask | 高,低字節(jié)數(shù)據(jù)掩碼信號 |
SCKE | SCKE | Clock Enable | 輸入時鐘有效信號 |
SCLK | SCLK | Clock | 輸入時鐘 |
nSCS0 | nSCS | General Chip Select | 片選信號(它與nGCS6是同一管腳的兩個功能) |
nSRAS | nSRAS | Row Address Strobe | 行地址選通信號 |
nSCAS | nSCAS | Column Address Strobe | 列地址選通信號 |
nWE | newnWE | Write Enable | 寫入有效信號 |
我們通過S3C2440 16位寬內存芯片接線圖可以看出,兩片內存芯片只有兩個地方不一樣,LDQM, UDQM和數(shù)據(jù)總線DQn接線方式不一樣。
由于存儲芯片位寬為16位,一次可以進行兩個字節(jié)的讀取。但是,通常操作系統(tǒng)里最小尋址單位是1字節(jié),因此內存控制器必須要保證可以訪問內存里每一個字節(jié)。UDQM,LDQM分別代表16位數(shù)據(jù)的高,低字節(jié)讀取信號,
當讀取數(shù)據(jù)時,LDQM /UDQM分別用來控制16位數(shù)據(jù)中高低字節(jié)能否被讀取,當LDQM /UDQM為低電平時,對應的高/低字節(jié)就可以被讀取,如果LDQM /UDQM為高電平時,對應的高/低字節(jié)就不能被讀取。
當向內存里寫入數(shù)據(jù)時,LDQM /UDQM控制數(shù)據(jù)能否被寫入,當LDQM /UDQM為低電平時,對應的高/低字節(jié)就可以被寫入,如果LDQM /UDQM為高電平時,對應的高/低字節(jié)就不能被寫入。通過對LDQM /UDQM信號的控制可以控制對兩個存儲芯片存儲數(shù)據(jù),由于兩個存儲單元的地址線是通用的,他們都能接收到CPU發(fā)出的地址信號,但是,發(fā)給兩個存儲單元的LDQM /UDQM信號是不同的,以此來區(qū)分一個字的高低字節(jié)。
S3C2440A為32位CPU,也就是說其數(shù)據(jù)總線和地址總線寬度都是32位(可以理解為32根線一端連接CPU內部,另外一端連接向內存控制器),那么內存數(shù)據(jù)的輸入/輸出端也要保證是32位總線,MINI2440上采用兩片16位寬總線內存芯片并聯(lián)構成32位總線。其中一個芯片連接到CPU數(shù)據(jù)總線的低16位,另外一個芯片連接到數(shù)據(jù)總線上的高16位,并聯(lián)成32位總線,因此兩個芯片的輸入/輸出總線連接到CPU總線上的不同管腳上。
1.1.3SDRAM的讀操作
SDRAM進行讀操作時,先向地址線上送上要讀取數(shù)據(jù)的地址,通過前面的知識了解到,地址被分成3部分,行地址,列地址,L-Bank片選信號。片選(L-Bank的定址)操作和行有效操作可以同時進行。
在CS、L-Bank定址的同時,RAS(nSRAS行地址選通信號)也處于有效狀態(tài)。此時An地址線則發(fā)送具體的行地址。A0~A12,共有13根地址線(可表示8192行),A0~A12的不同數(shù)值就確定了具體的行地址。由于行有效的同時也是相應L-Bank有效,所以行有效也可稱為L-Bank有效。
行地址確定之后,就要對列地址進行尋址了。但是,地址線仍然是行地址所用的A0~A12。沒錯,在SDRAM中,行地址與列地址線是復用的。列地址復用了A0~A8,共9根(可表示512列)。那么,讀/寫的命令是怎么發(fā)出的呢?其實沒有一個信號是發(fā)送讀或寫的明確命令的,而是通過芯片的可寫狀態(tài)的控制來達到讀/寫的目的。顯然WE信號(nWE)就是一個關鍵。WE無效時,當然就是讀取命令。有效時,就是寫命令。
SDRAM基本操作命令,通過各種控制/地址信號的組合來完成(H代表高電平,L代表低電平,X表示高,低電平均沒有影響)。此表中,除了自刷新命令外,所有命令都是默認CKE(SCKEl輸入時鐘頻率有效)有效。列尋址信號與讀寫命令是同時發(fā)出的。雖然地址線與行尋址共用,但CAS(nSCAS列地址選通信號)信號則可以區(qū)分開行與列尋址的不同,配合A0~A8,A9~A11來確定具體的列地址。
讀取命令與列地址一塊發(fā)出(當WE為低電平是即為寫命令)然而,在發(fā)送列讀寫命令時必須要與行有效命令有一個間隔,這個間隔被定義為tRCD,即RAS to CAS Delay(RAS至CAS延遲),這個很好理解,在地址線上送完行地址之后,要等到行地址穩(wěn)定定位后再送出列地址,tRCD是SDRAM的一個重要時序參數(shù),相關數(shù)值參看對應芯片硬件手冊。通常tRCD以時鐘周期(tCK,Clock Time)數(shù)為單位,比如筆者MINI2440所用內存芯片里面寫到tRCD為20nst,如果將來內存工作在100MHz,那么RCD至少要為2個時鐘周期,RCD=2。
圖2-53SDRAM讀操作時序圖
在選定列地址后,就已經(jīng)確定了具體的存儲單元,剩下就是等待數(shù)據(jù)通過數(shù)據(jù)I/O通道(DQ)輸出到內存數(shù)據(jù)總線上了。但是在列地址選通信號CAS發(fā)出之后,仍要經(jīng)過一定的時間才能有數(shù)據(jù)輸出,從CAS與讀取命令發(fā)出到第一筆數(shù)據(jù)輸出的這段時間,被定義為CL(CAS Latency,CAS潛伏期)。由于CL只在讀取時出現(xiàn),所以CL又被稱為讀取潛伏期(RL,Read Latency)。CL的單位與tRCD一樣,也是時鐘周期數(shù),具體耗時由時鐘頻率決定(筆者官方手冊CL=3)。不過,CAS并不是在經(jīng)過CL周期之后才送達存儲單元。實際上CAS與RAS一樣是瞬間到達的。由于芯片體積的原因,存儲單元中的電容容量很小,所以信號要經(jīng)過放大來保證其有效的識別性,這個放大/驅動工作由S-AMP負責。但它要有一個準備時間才能保證信號的發(fā)送強度,這段時間我們稱之為tAC(Access Time from CLK,時鐘觸發(fā)后的訪問時間)。
1.1.4SDRAM預充電操作
從存儲體的結構圖上可以看出,原本邏輯狀態(tài)為1的電容在讀取操作后,會因放電而變?yōu)檫壿?。由于SDRAM的尋址具有獨占性,所以在進行完讀寫操作后,如果要對同一L-Bank的另一行進行尋址,就要將原先操作行關閉,重新發(fā)送行/列地址。在對原先操作行進行關閉時,DRAM為了在關閉當前行時保持數(shù)據(jù),要對存儲體中原有的信息進行重寫,這個充電重寫和關閉操作行過程叫做預充電,發(fā)送預充電信號時,意味著先執(zhí)行存儲體充電,然后關閉當前L-Bank操作行。預充電中重寫的操作與刷新操作(后面詳細介紹)一樣,只不過預充電不是定期的,而只是在讀操作以后執(zhí)行的。
1.1.5SDRAM突發(fā)操作
突發(fā)(Burst)是指在同一行中相鄰的存儲單元連續(xù)進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆绞?,連續(xù)傳輸所涉及到存儲單元(列)數(shù)量就是突發(fā)長度(Burst Length,簡稱BL)。
在目前,由于內存控制器一次讀/寫P-Bank位寬的數(shù)據(jù),也就是8個字節(jié),但是在現(xiàn)實中小于8個字節(jié)的數(shù)據(jù)很少見,所以一般都要經(jīng)過多個周期進行數(shù)據(jù)的傳輸,上文寫到的讀/寫操作,都是一次對一個存儲單元進行尋址,如果要連續(xù)讀/寫,還要對當前存儲單元的下一單元進行尋址,也就是要不斷的發(fā)送列地址與讀/寫命令(行地址不變,所以不用再對地尋址)。雖然由于讀/寫延遲相同可以讓數(shù)據(jù)傳輸在I/O端是連續(xù)的,但是它占用了大量的內存控制資源,在數(shù)據(jù)進行連續(xù)傳輸時無法輸入新的命令效率很低。為此,引入了突發(fā)傳輸機制,只要指定起始列地址與突發(fā)長度,內存就會依次自動對后面相應長度數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲單元進行讀/寫操作而不再需要控制器連續(xù)地提供列地址,這樣,除了第一筆數(shù)據(jù)的傳輸需要若干個周期(主要是之間的延遲,一般的是tRCD + CL)外,其后每個數(shù)據(jù)只需一個周期即可。
總結下:
SDRAM的基本讀操作需要控制線和地址線相配合地發(fā)出一系列命令來完成。先發(fā)出芯片有效命令(ACTIVE),并鎖定相應的L-BANK地址(BA0、BA1給出)和行地址(A0~A12給出)。芯片激活命令后必須等待大于tRCD(SDRAM的RAS到CAS的延遲指標)時間后,發(fā)出讀命令。CL(CAS延遲值)個時鐘周期后,讀出數(shù)據(jù)依次出現(xiàn)在數(shù)據(jù)總線上。在讀操作的最后,要向SDRAM發(fā)出預充電(PRECHARGE)命令,以關閉已經(jīng)激活的L-BANK。等待tRP時間(PRECHAREG命令后,相隔tRP時間,才可再次訪問該行)后,可以開始下一次的讀、寫操作。SDRAM的讀操作支持突發(fā)模式(Burst Mode),突發(fā)長度為1、2、4、8可選。
1.1.6SDRAM寫操作
SDRAM的基本寫操作也需要控制線和地址線相配合地發(fā)出一系列命令來完成。先發(fā)出芯片有效命令,并鎖定相應的L-BANK地址(BA0、BA1給出)和行地址(A0~A12給出)。芯片有效命令發(fā)出后必須等待大于tRCD的時間后,發(fā)出寫命令數(shù)據(jù),待寫入數(shù)據(jù)依次送到DQ(數(shù)據(jù)線)上。在最后一個數(shù)據(jù)寫入后,延遲tWR時間。發(fā)出預充電命令,關閉已經(jīng)激活的頁。等待tRP時間后,可以展開下一次操作。寫操作可以有突發(fā)寫和非突發(fā)寫兩種。突發(fā)長度同讀操作。
圖2-54 SDRAM寫操作時序圖
1.1.7SDRAM的刷新
SDRAM之所以成為DRAM就是因為它要不斷進行刷新(Refresh)才能保留住數(shù)據(jù),因此它是SDRAM最重要的操作。
刷新操作與預充電中重寫的操作一樣,都是用S-AMP先讀再寫。但為什么有預充電操作還要進行刷新呢?因為預充電是對一個或所有L-Bank中的工作行操作,并且是不定期的,而刷新則是有固定的周期,依次對所有行進行操作,以保留那些很長時間沒經(jīng)歷重寫的存儲體中的數(shù)據(jù)。但與所有L-Bank預充電不同的是,這里的行是指所有L-Bank中地址相同的行,而預充電中各L-Bank中的工作行地址并不是一定是相同的。那么要隔多長時間重復一次刷新呢?目前公認的標準是,存儲體中電容的數(shù)據(jù)有效保存期上限是64ms(毫秒,1/1000秒),也就是說每一行刷新的循環(huán)周期是64ms。這樣刷新時間間隔就是:64m/行數(shù)s。我們在看內存規(guī)格時,經(jīng)常會看到4096 Refresh Cycles/64ms或8192 Refresh Cycles/64ms的標識,這里的4096與8192就代表這個芯片中每個L-Bank的行數(shù)。刷新命令一次對一行有效,刷新間隔也是隨總行數(shù)而變化,4096行時為15.625μs(微秒,1/1000毫秒),8192行時就為7.8125μs。刷新操作分為兩種:Auto Refresh,簡稱AR與Self Refresh,簡稱SR。不論是何種刷新方式,都不需要外部提供行地址信息,因為這是一個內部的自動操作。對于AR,SDRAM內部有一個行地址生成器(也稱刷新計數(shù)器)用來自動的依次生成行地址。由于刷新是針對一行中的所有存儲體進行,所以無需列尋址,或者說CAS在RAS之前有效。所以,AR又稱CBR(CAS Before RAS,列提前于行定位)式刷新。由于刷新涉及到所有L-Bank,因此在刷新過程中,所有L-Bank都停止工作,而每次刷新所占用的時間為9個時鐘周期(PC133標準),之后就可進入正常的工作狀態(tài),也就是說在這9個時鐘期間內,所有工作指令只能等待而無法執(zhí)行。64ms之后則再次對同一行進行刷新,如此周而復始進行循環(huán)刷新。顯然,刷新操作肯定會對SDRAM的性能造成影響,但這是沒辦法的事情,也是DRAM相對于SRAM(靜態(tài)內存,無需刷新仍能保留數(shù)據(jù))取得成本優(yōu)勢的同時所付出的代價。SR則主要用于休眠模式低功耗狀態(tài)下的數(shù)據(jù)保存,這方面最著名的應用就是STR(Suspend to RAM,休眠掛起于內存)。在發(fā)出AR命令時,將CKE置于無效狀態(tài),就進入了SR模式,此時不再依靠系統(tǒng)時鐘工作,而是根據(jù)內部的時鐘進行刷新操作。在SR期間除了CKE之外的所有外部信號都是無效的(無需外部提供刷新指令),只有重新使CKE有效才能退出自刷新模式并進入正常操作狀態(tài)。
SDRAM相關寄存器:
(1)BWSCON寄存器(BUS WIDTH & WAIT CONTROL REGISTER)
表2-17 SDRAM控制寄存器(BWSCON)
根據(jù)開發(fā)板的存儲器配置和芯片型號,設置每個BANK焊接芯片的位寬和等待狀態(tài)
BWSCON,每4位對應一個BANK,這4位分別表示:
lSTx:啟動/禁止SDRAM的數(shù)據(jù)掩碼引腳(UB/LB),SDRAM沒有高低位掩碼引腳,此位為0,SRAM連接有UB/LB管腳,設置為1
注:UB/LB數(shù)據(jù)掩碼引腳用來控制芯片讀取/寫入的高字節(jié)和低字節(jié)(對比硬件手冊SDRAM和SRAM的接線圖)
lWSx:是否使用存儲器的WAIT信號,通常設為0
lDWx:設置焊接存儲器芯片的位寬,筆者開發(fā)板使用兩片容量為32M,位寬為16的SDRAM組成64M,32位存儲器,因此DW7,DW6位設置為0b10,其它BANK不用設置采用默認值即可。
lBANK0對應的是系統(tǒng)引導BANK,這4位比較特殊,它的設置是由硬件跳線決定的,因此不用設置
lBWSCON設置結果:0x22000000
(2)BANKCON0~BANKCON5 (BANK CONTROL REGISTER)
表2-18 BANKCON0~BANKCON5控制寄存器(BANKCON0~BANKCON5)
這6個寄存器用來設置對應BANK0~BANK5的訪問時序,采用默認值0x700即可
(3)BANKCON6~BANKCON7 (BANK CONTROL REGISTER)
表2-19 BANKCON6~BANKCON7控制寄存器(BANKCON6~BANKCON7)
由于內存都焊接在這兩個BANK上,因此內存驅動主要是對這兩個寄存器進行設置
lMT:設置BANK6~BANK7的存儲器類型,
00=ROM or SRAM 01=保留
10=保留11=SDRAM
內存為SDRAM,設置為0b11,對應的應該設置Trcd和SCAN位,其它位和SDRAM無關
lTrcd:RAS to CAS Delay行地址選通到列地址選通延遲,這個參數(shù)請看后面的內存工作原理擴展部分解釋,筆者內存芯片為HY57V561620,由其芯片手冊可知其Trcd為最少20ns,如果內存工作在100MHz,則該值至少要為2個時鐘周期,通常設置為3個時鐘周期,因此設置為0b01
lSCAN:SDRAM Column Address Number SDRAM的列地址數(shù),筆者內存芯片為HY57V561620,列地址數(shù)為9,設置為0b01
lBANK6,BANK7設置結果為:0x18005
(4)REFRESH (REFRESH CONTROL REGISTER)
表2-20刷新頻率設置寄存器(REFRESH)
SDRAM的刷新有效,刷新頻率設置寄存器(刷新)
lREFEN:開啟/關閉刷新功能,設置為1,開啟刷新
lTREFMD:SDRAM刷新模式,0=CBR/AutoRefresh,1=Self Refresh,設置為0,自動刷新
lTrp:行地址選通預充電時間,一般設置為0b00即可
lTsrc:單行刷新時間,設置為0b11即可。
lRefresh Counter:內存存儲單元刷新數(shù),它通過下面公式計算出:
Refresh Counter = 2^11 + 1 – SDRAM時鐘頻率(MHz)* SDRAM刷新周期(uS)
SDRAM的刷新周期,也就是內存存儲單元間隔需要多久進行一次刷新,前面內存工作原理分析可知電容數(shù)據(jù)保存上限為64ms,筆者使用內存芯片每個L-Bank共有8192行,因此每次刷新最大間隔為:64ms/8192 = 7.8125uS,如果內存工作在外部晶振頻率12MHz下,Refresh Counter = 1955,如果內存工作在100MHz下,那么Refresh Counter = 1269(取大整數(shù))
lREFRESH寄存器設置為:
0x8e0000 + 1269 = 0x008e04f5(HCLK = 100MHz)
0x8e0000 + 1955 = 0x008e07a3(HCLK = 12MHz)
(5)BANKSIZE寄存器(BANKSIZE REGISTER)
表2-21 BANKSIZE寄存器(BANKSIZE)
設置內存的突發(fā)傳輸模式,省電模式和內存容量。
lBURST_EN:是否開啟突發(fā)模式,0 = ARM內核禁止突發(fā)傳輸1 =開啟突發(fā)傳輸,設置為1,開啟突發(fā)傳輸
lSCKE_EN:是否使用SCKE信號作為省電模式控制信號,0 =不使用SCKE信號作為省電模式控制信號1 =使用SCKE信號作為省電模式控制信號,通常設置為1
lSCLK_EN: 設置向存儲器輸入工作頻率,0 =一直輸入SCLK頻率,即使沒有內存操作也會輸入,1 =僅當進行內存數(shù)據(jù)操作時才輸入SCLK頻率,通常設置為1
lBK76MAP:設置Bank6/7的內存容量,筆者使用開發(fā)板內存為兩片32M內存芯片并聯(lián)成64M,它們全部都外接到Bank6上,因此選擇0b001
lBANKSIZE寄存器設置為:0xb1
(6)SDRAM模式設置寄存器MRSRx (SDRAM MODE REGISTER SET REGISTER)
表2-22 SDRAM模式設置寄存器(MRSRx)
該寄存器用于設置CAS潛伏周期,可以手動設置的位只有CL[6:4]位,通過前面內存工作原理可知,筆者使用開發(fā)板CL=3,即0b011
lMRSR6,MRSR7設置為:0x00000030
1.1.8內存驅動實驗
設置該工程加載時運行時地址為0x30000000,如圖2-55所示:
圖2-55設置加載時運行時地址
init.s:本程序文件主要實現(xiàn)了,關閉看門狗,初始化內存,拷貝ROM數(shù)據(jù)到內存中,然后跳往內存中執(zhí)行xmain函數(shù),從xmain函數(shù)返回之后,將全部led點亮,進入死循環(huán)。
;
;內存初始化實驗
;
AREA Init, CODE, READONLY
ENTRY
start
; close watchdog
ldr r0, = 0x53000000;將看門狗控制寄存器地址放入r0
mov r1, #0
str r1, [r0];設置看門狗控制寄存器的值為0
bl initmem;跳轉到initmem代碼段,初始化內存
bl copyall;跳轉到數(shù)據(jù)拷貝代碼段,將ROM中數(shù)據(jù)拷貝到內存中
IMPORT xmain;引入main.c中的xmain函數(shù)
ldr sp, =0x34000000;調用C程序之前先初始化棧指針
ldr lr, =endxmain;設置xmain函數(shù)的返回地址
ldr pc, =xmain;跳轉到C程序中的xmain函數(shù)的入口處執(zhí)行
endxmain
ldr r0, =0x56000010; LED的GPIO接口配置寄存器
ldr r1, =0x00015400; GPIO配置數(shù)據(jù)
str r1, [r0];設置GPIO
ldr r0, =0x56000014; LED控制寄存器地址
ldr r1, =0x0;全部LED亮
str r1,[r0]
loop
b loop;死循環(huán)
copyall
IMPORT |Image$$RO$$Base|;引入編譯器Image$$RO$$Base符號變量
IMPORT |Image$$RW$$Limit|;引入編譯器Image$$RW$$Limit符號變量
ldr r0, = |Image$$RO$Base|;取得Image$$RO$Base域基址的值
ldr r1, = |Image$$RW$$Limit|;取得Image$$RW$Base域結束地址的值
ldr r2, =0x0;數(shù)據(jù)拷貝源地址
copyallloop
teq r0,r1;測試是否拷貝完成
beq quitcopyallloop;拷貝完成,跳往quitcopyallloop退出
ldr r3, [r2], #4;四字節(jié)加載
str r3, [r0], #4;四字節(jié)存儲
b copyallloop;返回繼續(xù)執(zhí)行
quitcopyallloop
mov pc, lr;調用返回
initmem;內存初始化
ldr r0, =0x48000000;加載內存相關寄存器首地址r0
ldr r1, =0x48000034;加載內存相關寄存器尾地址到r1
adr r2, memdata;將寄存器配置數(shù)據(jù)地址段首地址加載到r2
initmemloop
ldr r3, [r2], #4;循環(huán)設置存寄存器
str r3, [r0], #4
teq r0, r1
bne initmemloop;循環(huán)到最后一個寄存器時退出函數(shù)
mov pc,lr
memdata
DCD0x22000000;BWSCON
DCD0x00000700;BANKCON0
DCD0x00000700;BANKCON1
DCD0x00000700;BANKCON2
DCD0x00000700;BANKCON3
DCD0x00000700;BANKCON4
DCD0x00000700;BANKCON5
DCD0x00018005;BANKCON6
DCD0x00018005;BANKCON7
DCD0x008e07a3;REFRESH
DCD0x000000b1;BANKSIZE
DCD0x00000030;MRSRB6
DCD0x00000030;MRSRB7
END
main.c:本程序文件主要實現(xiàn)led燈的初始化,然后四個led燈循環(huán)滾動亮5遍,xmain函數(shù)返回。
/* C語言函數(shù)*/
/*端口F寄存器預定義*/
#defineGPBCON(*(volatile unsigned long *)0x56000010)
#defineGPBDAT(*(volatile unsigned long *)0x56000014)
#defineLEDS(1<<5|1<<6|1<<7|1<<8)
#defineDELAYVAL(0x1ffff)
extern int delay(int time);/*聲明外部聲明匯編函數(shù)*/
int i = 5;
int xmain()
{
GPBCON= 0x00015400;//GPF4--GPF7設置為output
while(i > 0) {
//第一個LED燈亮
GPBDAT=(GPBDAT&(~LEDS)) | (1<<6|1<<7|1<<8);
delay(DELAYVAL);//調用匯編語言編寫的延時程序
//第二個LED燈亮
GPBDAT=(GPBDAT&(~LEDS)) | (1<<5|1<<7|1<<8);
delay(DELAYVAL);//調用匯編語言編寫的延時程序
//第三個LED燈亮
GPBDAT=(GPBDAT&(~LEDS)) | (1<<5|1<<6|1<<8);
delay(DELAYVAL);//調用匯編語言編寫的延時程序
//第四個LED燈亮
GPBDAT=(GPBDAT&(~LEDS)) | (1<<5|1<<6|1<<7);
delay(DELAYVAL);//調用匯編語言編寫的延時程序
i--;
}
return 0;
}
delay.s:本程序文件主要通常匯編來實現(xiàn)延時功能。
;匯編指令延時程序
EXPORT delay
AREADELAY,CODE,READONLY;該偽指令定義了一個代碼段,段名為Init,屬性只讀
;下面是延遲子程序
delay
sub r0,r0,#1;r0=r0-1
cmp r0,#0x0;將r0的值與0相比較
bne delay;比較的結果不為0(r0不為0),繼續(xù)調用delay,否則執(zhí)行下一條語句
mov pc,lr;返回
END;程序結束符
內存的初始化也可以用下面的C程序實現(xiàn):
C語言版本:
#defineMEM_CTL_BASE0x48000000
#defineMEM_CTL_END0x48000034
/* SDRAM 13個寄存器的值*/
unsigned longconstmem_cfg_val[]={//聲明數(shù)組存放內存控制器設置數(shù)據(jù)
0x22000000,//BWSCON
0x00000700,//BANKCON0
0x00000700,//BANKCON1
0x00000700,//BANKCON2
0x00000700,//BANKCON3
0x00000700,//BANKCON4
0x00000700,//BANKCON5
0x00018005,//BANKCON6
0x00018005,//BANKCON7
0x008e07a3,//REFRESH(HCLK = 12MHz,該值為0x008e07a3
//HCLK = 100MHz 0x008e04f5)
0x000000b1,//BANKSIZE
0x00000030,//MRSRB6
0x00000030,//MRSRB7
};
void mem_init(void)
{
inti = 0;
unsigned long *p = (unsigned long *)MEM_CTL_BASE;
for(; i < (MEM_CTL_END - MEM_CTL_BASE)/4; i++)
p[i] = mem_cfg_val[i];
}
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