s3c2440對nandflash的操作

nandflash在對大容量的數(shù)據(jù)存儲中發(fā)揮著重要的作用。相對于norflash，它具有一些優(yōu)勢，但它的一個劣勢是很容易產(chǎn)生壞塊，因此在使用nandflash時，往往要利用校驗算法發(fā)現(xiàn)壞塊并標注出來，以便以后不再使用該壞塊。nandflash沒有地址或數(shù)據(jù)總線，如果是8位nandflash，那么它只有8個IO口，這8個IO口用于傳輸命令、地址和數(shù)據(jù)。nandflash主要以page（頁）為單位進行讀寫，以block（塊）為單位進行擦除。每一頁中又分為main區(qū)和spare區(qū)，main區(qū)用于正常數(shù)據(jù)的存儲，spare區(qū)用于存儲一些附加信息，如塊好壞的標記、塊的邏輯地址、頁內(nèi)數(shù)據(jù)的ECC校驗和等。

三星公司是最主要的nandflash供應商，因此在它所開發(fā)的各類處理器中，實現(xiàn)對nandflash的支持就不足為奇了。s3c2440不僅具有nandflash的接口，而且還可以利用某些機制實現(xiàn)直接從nandflash啟動并運行程序。本文只介紹如何對nandflash實現(xiàn)讀、寫、擦除等基本操作，不涉及nandflash啟動程序的問題。

在這里，我們使用的nandflash為K9F2G08U0A，它是8位的nandflash。不同型號的nandflash的操作會有所不同，但硬件引腳基本相同，這給產(chǎn)品的開發(fā)帶來了便利。因為不同型號的PCB板是一樣的，只要更新一下軟件就可以使用不同容量大小的nandflash。

K9F2G08U0A的一頁為（2K＋64）字節(jié)（加號前面的2K表示的是main區(qū)容量，加號后面的64表示的是spare區(qū)容量），它的一塊為64頁，而整個設備包括了2048個塊。這樣算下來一共有2112M位容量，如果只算main區(qū)容量則有256M字節(jié)（即256M×8位）。要實現(xiàn)用8個IO口來要訪問這么大的容量，K9F2G08U0A規(guī)定了用5個周期來實現(xiàn)。第一個周期訪問的地址為A0~A7；第二個周期訪問的地址為A8~A11，它作用在IO0~IO3上，而此時IO4~IO7必須為低電平；第三個周期訪問的地址為A12~A19；第四個周期訪問的地址為A20~A27；第五個周期訪問的地址為A28，它作用在IO0上，而此時IO1~IO7必須為低電平。前兩個周期傳輸?shù)氖橇械刂罚笕齻€周期傳輸?shù)氖切械刂?。通過分析可知，列地址是用于尋址頁內(nèi)空間，行地址用于尋址頁，如果要直接訪問塊，則需要從地址A18開始。

由于所有的命令、地址和數(shù)據(jù)全部從8位IO口傳輸，所以nandflash定義了一個命令集來完成各種操作。有的操作只需要一個命令（即一個周期）即可，而有的操作則需要兩個命令（即兩個周期）來實現(xiàn)。下面的宏定義為K9F2G08U0A的常用命令：

#define CMD_READ10x00//頁讀命令周期1
#define CMD_READ20x30//頁讀命令周期2
#define CMD_READID0x90//讀ID命令
#define CMD_WRITE10x80//頁寫命令周期1
#define CMD_WRITE20x10//頁寫命令周期2
#define CMD_ERASE10x60//塊擦除命令周期1
#define CMD_ERASE20xd0//塊擦除命令周期2
#define CMD_STATUS0x70//讀狀態(tài)命令
#define CMD_RESET0xff//復位
#define CMD_RANDOMREAD10x05//隨意讀命令周期1
#define CMD_RANDOMREAD20xE0//隨意讀命令周期2
#define CMD_RANDOMWRITE0x85//隨意寫命令

在這里，隨意讀命令和隨意寫命令可以實現(xiàn)在一頁內(nèi)任意地址地讀寫。讀狀態(tài)命令可以實現(xiàn)讀取設備內(nèi)的狀態(tài)寄存器，通過該命令可以獲知寫操作或擦除操作是否完成（判斷第6位），以及是否成功完成（判斷第0位）。

下面介紹s3c2440的nandflash控制器。s3c2440支持8位或16位的每頁大小為256字，512字節(jié)，1K字和2K字節(jié)的nandflash，這些配置是通過系統(tǒng)上電后相應引腳的高低電平來實現(xiàn)的。s3c2440還可以硬件產(chǎn)生ECC校驗碼，這為準確及時發(fā)現(xiàn)nandflash的壞塊帶來了方便。nandflash控制器的主要寄存器有NFCONF（nandflash配置寄存器），NFCONT（nandflash控制寄存器），NFCMMD（nandflash命令集寄存器），NFADDR（nandflash地址集寄存器），NFDATA（nandflash數(shù)據(jù)寄存器），NFMECCD0/1（nandflash的main區(qū)ECC寄存器），NFSECCD（nandflash的spare區(qū)ECC寄存器），NFSTAT（nandflash操作狀態(tài)寄存器），NFESTAT0/1（nandflash的ECC狀態(tài)寄存器），NFMECC0/1（nandflash用于數(shù)據(jù)的ECC寄存器），以及NFSECC（nandflash用于IO的ECC寄存器）。

NFCMMD，NFADDR和NFDATA分別用于傳輸命令，地址和數(shù)據(jù)，為了方便起見，我們可以定義一些宏定義用于完成上述操作：

#define NF_CMD(data){rNFCMD= (data); }//傳輸命令
#define NF_ADDR(addr){rNFADDR = (addr); }//傳輸?shù)刂?br />#define NF_RDDATA()(rNFDATA)//讀32位數(shù)據(jù)
#define NF_RDDATA8()(rNFDATA8)//讀8位數(shù)據(jù)
#define NF_WRDATA(data){rNFDATA = (data); }//寫32位數(shù)據(jù)
#define NF_WRDATA8(data){rNFDATA8 = (data); }//寫8位數(shù)據(jù)

其中rNFDATA8的定義為(*(volatile unsigned char *)0x4E000010)。

NFCONF主要用到了TACLS、TWRPH0、TWRPH1，這三個變量用于配置nandflash的時序。s3c2440的數(shù)據(jù)手冊沒有詳細說明這三個變量的具體含義，但通過它所給出的時序圖，我們可以看出，TACLS為CLE/ALE有效到nWE有效之間的持續(xù)時間，TWRPH0為nWE的有效持續(xù)時間，TWRPH1為nWE無效到CLE/ALE無效之間的持續(xù)時間，這些時間都是以HCLK為單位的（本文程序中的HCLK=100MHz）。通過查閱K9F2G08U0A的數(shù)據(jù)手冊，我們可以找到并計算該nandflash與s3c2440相對應的時序：K9F2G08U0A中的tWP與TWRPH0相對應，tCLH與TWRPH1相對應，（tCLS－tWP）與TACLS相對應。K9F2G08U0A給出的都是最小時間，s3c2440只要滿足它的最小時間即可，因此TACLS、TWRPH0、TWRPH1這三個變量取值大一些會更保險。在這里，這三個值分別取1，2和0。NFCONF的第0位表示的是外接的nandflash是8位IO還是16位IO，這里當然要選擇8位的IO。NFCONT寄存器是另一個需要事先初始化的寄存器。它的第13位和第12位用于鎖定配置，第8位到第10位用于nandflash的中斷，第4位到第6位用于ECC的配置，第1位用于nandflash芯片的選取，第0位用于nandflash控制器的使能。另外，為了初始化nandflash，還需要配置GPACON寄存器，使它的第17位到第22位與nandflash芯片的控制引腳相對應。下面的程序實現(xiàn)了初始化nandflash控制器：

void NF_Init ( void )
{
rGPACON = (rGPACON &~(0x3f<<17)) | (0x3f<<17);//配置芯片引腳
//TACLS=1、TWRPH0=2、TWRPH1=0，8位IO
rNFCONF = (TACLS<<12)|(TWRPH0<<8)|(TWRPH1<<4)|(0<<0);
//非鎖定，屏蔽nandflash中斷，初始化ECC及鎖定main區(qū)和spare區(qū)ECC，使能nandflash片選及控制器
rNFCONT = (0<<13)|(0<<12)|(0<<10)|(0<<9)|(0<<8)|(1<<6)|(1<<5)|(1<<4)|(1<<1)|(1<<0);
}

為了更好地應用ECC和使能nandflash片選，我們還需要一些宏定義：

#define NF_nFCE_L(){rNFCONT &= ~(1<<1); }
#define NF_CE_L()NF_nFCE_L()//打開nandflash片選
#define NF_nFCE_H(){rNFCONT |= (1<<1); }
#define NF_CE_H()NF_nFCE_H()//關閉nandflash片選
#define NF_RSTECC(){rNFCONT |= (1<<4); }//復位ECC
#define NF_MECC_UnLock(){rNFCONT &= ~(1<<5); }//解鎖main區(qū)ECC
#define NF_MECC_Lock(){rNFCONT |= (1<<5); }//鎖定main區(qū)ECC
#define NF_SECC_UnLock(){rNFCONT &= ~(1<<6); }//解鎖spare區(qū)ECC
#define NF_SECC_Lock(){rNFCONT |= (1<<6); }//鎖定spare區(qū)ECC

NFSTAT是另一個比較重要的寄存器，它的第0位可以用于判斷nandflash是否在忙，第2位用于檢測RnB引腳信號：

#define NF_WAITRB(){while(!(rNFSTAT&(1<<0)));}//等待nandflash不忙
#define NF_CLEAR_RB(){rNFSTAT |= (1<<2); }//清除RnB信號
#define NF_DETECT_RB(){while(!(rNFSTAT&(1<<2)));}//等待RnB信號變高，即不忙

下面就詳細介紹K9F2G08U0A的基本操作，包括復位，讀ID，頁讀、寫數(shù)據(jù)，隨意讀、寫數(shù)據(jù)，塊擦除等。

復位操作最簡單，只需寫入復位命令即可：

static void rNF_Reset()
{
NF_CE_L();//打開nandflash片選
NF_CLEAR_RB();//清除RnB信號
NF_CMD(CMD_RESET);//寫入復位命令
NF_DETECT_RB();//等待RnB信號變高，即不忙
NF_CE_H();//關閉nandflash片選
}

讀取K9F2G08U0A芯片ID操作首先需要寫入讀ID命令，然后再寫入0x00地址，就可以讀取到一共五個周期的芯片ID，第一個周期為廠商ID，第二個周期為設備ID，第三個周期至第五個周期包括了一些具體的該芯片信息，這里就不多介紹：

static char rNF_ReadID()
{
char pMID;
char pDID;
char cyc3, cyc4, cyc5;

NF_nFCE_L();//打開nandflash片選
NF_CLEAR_RB();//清RnB信號
NF_CMD(CMD_READID);//讀ID命令
NF_ADDR(0x0);//寫0x00地址

//讀五個周期的ID
pMID = NF_RDDATA8();//廠商ID：0xEC
pDID = NF_RDDATA8();//設備ID：0xDA
cyc3 = NF_RDDATA8();//0x10
cyc4 = NF_RDDATA8();//0x95
cyc5 = NF_RDDATA8();//0x44

NF_nFCE_H();//關閉nandflash片選

return (pDID);
}

下面介紹讀操作，讀操作是以頁為單位進行的。如果在讀取數(shù)據(jù)的過程中不進行ECC校驗判斷，則讀操作比較簡單，在寫入讀命令的兩個周期之間寫入要讀取的頁地址，然后讀取數(shù)據(jù)即可。如果為了更準確地讀取數(shù)據(jù)，則在讀取完數(shù)據(jù)之后還要進行ECC校驗判斷，以確定所讀取的數(shù)據(jù)是否正確。

在上文中我們已經(jīng)介紹過，nandflash的每一頁有兩區(qū)：main區(qū)和spare區(qū)，main區(qū)用于存儲正常的數(shù)據(jù)，spare區(qū)用于存儲其他附加信息，其中就包括ECC校驗碼。當我們在寫入數(shù)據(jù)的時候，我們就計算這一頁數(shù)據(jù)的ECC校驗碼，然后把校驗碼存儲到spare區(qū)的特定位置中，在下次讀取這一頁數(shù)據(jù)的時候，同樣我們也計算ECC校驗碼，然后與spare區(qū)中的ECC校驗碼比較，如果一致則說明讀取的數(shù)據(jù)正確，如果不一致則不正確。ECC的算法較為復雜，好在s3c2440能夠硬件產(chǎn)生ECC校驗碼，這樣就省去了不少的麻煩事。s3c2440即可以產(chǎn)生main區(qū)的ECC校驗碼，也可以產(chǎn)生spare區(qū)的ECC校驗碼。因為K9F2G08U0A是8位IO口，因此s3c2440共產(chǎn)生4個字節(jié)的main區(qū)ECC碼和2個字節(jié)的spare區(qū)ECC碼。在這里我們規(guī)定，在每一頁的spare區(qū)的第0個地址到第3個地址存儲main區(qū)ECC，第4個地址和第5個地址存儲spare區(qū)ECC。產(chǎn)生ECC校驗碼的過程為：在讀取或寫入哪個區(qū)的數(shù)據(jù)之前，先解鎖該區(qū)的ECC，以便產(chǎn)生該區(qū)的ECC。在讀取或寫入完數(shù)據(jù)之后，再鎖定該區(qū)的ECC，這樣系統(tǒng)就會把產(chǎn)生的ECC碼保存到相應的寄存器中。main區(qū)的ECC保存到NFMECC0/1中（因為K9F2G08U0A是8位IO口，因此這里只用到了NFMECC0），spare區(qū)的ECC保存到NFSECC中。對于讀操作來說，我們還要繼續(xù)讀取spare區(qū)的相應地址內(nèi)容，已得到上次寫操作時所存儲的main區(qū)和spare區(qū)的ECC，并把這些數(shù)據(jù)分別放入NFMECCD0/1和NFSECCD的相應位置中。最后我們就可以通過讀取NFESTAT0/1（因為K9F2G08U0A是8位IO口，因此這里只用到了NFESTAT0）中的低4位來判斷讀取的數(shù)據(jù)是否正確，其中第0位和第1位為main區(qū)指示錯誤，第2位和第3位為spare區(qū)指示錯誤。

下面就給出一段具體的頁讀操作程序：

U8 rNF_ReadPage(U32 page_number)
{
U32 i, mecc0, secc;

NF_RSTECC();//復位ECC
NF_MECC_UnLock();//解鎖main區(qū)ECC

NF_nFCE_L();//打開nandflash片選
NF_CLEAR_RB();//清RnB信號

NF_CMD(CMD_READ1);//頁讀命令周期1

//寫入5個地址周期
NF_ADDR(0x00);//列地址A0~A7
NF_ADDR(0x00);//列地址A8~A11
NF_ADDR((page_number) & 0xff);//行地址A12~A19
NF_ADDR((page_number >> 8) & 0xff);//行地址A20~A27
NF_ADDR((page_number >> 16) & 0xff);//行地址A28

NF_CMD(CMD_READ2);//頁讀命令周期2

NF_DETECT_RB();//等待RnB信號變高，即不忙

//讀取一頁數(shù)據(jù)內(nèi)容
for (i = 0; i < 2048; i++)
{
buffer[i] =NF_RDDATA8();
}

NF_MECC_Lock();//鎖定main區(qū)ECC值

NF_SECC_UnLock();//解鎖spare區(qū)ECC

mecc0=NF_RDDATA();//讀spare區(qū)的前4個地址內(nèi)容，即第2048~2051地址，這4個字節(jié)為main區(qū)的ECC
//把讀取到的main區(qū)的ECC校驗碼放入NFMECCD0/1的相應位置內(nèi)
rNFMECCD0=((mecc0&0xff00)<<8)|(mecc0&0xff);
rNFMECCD1=((mecc0&0xff000000)>>8)|((mecc0&0xff0000)>>16);

NF_SECC_Lock();//鎖定spare區(qū)的ECC值

secc=NF_RDDATA();//繼續(xù)讀spare區(qū)的4個地址內(nèi)容，即第2052~2055地址，其中前2個字節(jié)為spare區(qū)的ECC值
//把讀取到的spare區(qū)的ECC校驗碼放入NFSECCD的相應位置內(nèi)
rNFSECCD=((secc&0xff00)<<8)|(secc&0xff);

NF_nFCE_H();//關閉nandflash片選

//判斷所讀取到的數(shù)據(jù)是否正確
if ((rNFESTAT0&0xf) == 0x0)
return 0x66;//正確
else
return 0x44;//錯誤

}

這段程序是把某一頁的內(nèi)容讀取到全局變量數(shù)組buffer中。該程序的輸入?yún)?shù)直接就為K9F2G08U0A的第幾頁，例如我們要讀取第128064頁中的內(nèi)容，可以調(diào)用該程序為：rNF_ReadPage(128064);。由于第128064頁是第2001塊中的第0頁（128064＝2001×64＋0），所以為了更清楚地表示頁與塊之間的關系，也可以寫為：rNF_ReadPage(2001*64);。

頁寫操作的大致流程為：在兩個寫命令周期之間分別寫入頁地址和數(shù)據(jù)，當然如果為了保證下次讀取該數(shù)據(jù)時的正確性，還需要把main區(qū)的ECC值和spare區(qū)的ECC值寫入到該頁的spare區(qū)內(nèi)。然后我們還需要讀取狀態(tài)寄存器，以判斷這次寫操作是否正確。下面就給出一段具體的頁寫操作程序，其中輸入?yún)?shù)也是要寫入數(shù)據(jù)到第幾頁：

U8 rNF_WritePage(U32 page_number)
{
U32 i, mecc0, secc;
U8 stat, temp;

temp = rNF_IsBadBlock(page_number>>6);//判斷該塊是否為壞塊
if(temp == 0x33)
return 0x42;//是壞塊，返回

NF_RSTECC();//復位ECC
NF_MECC_UnLock();//解鎖main區(qū)的ECC

NF_nFCE_L();//打開nandflash片選
NF_CLEAR_RB();//清RnB信號

NF_CMD(CMD_WRITE1);//頁寫命令周期1

//寫入5個地址周期
NF_ADDR(0x00);//列地址A0~A7
NF_ADDR(0x00);//列地址A8~A11
NF_ADDR((page_number) & 0xff);//行地址A12~A19
NF_ADDR((page_number >> 8) & 0xff);//行地址A20~A27
NF_ADDR((page_number >> 16) & 0xff);//行地址A28

//寫入一頁數(shù)據(jù)
for (i = 0; i < 2048; i++)
{
NF_WRDATA8((char)(i+6));
}

NF_MECC_Lock();//鎖定main區(qū)的ECC值

mecc0=rNFMECC0;//讀取main區(qū)的ECC校驗碼
//把ECC校驗碼由字型轉換為字節(jié)型，并保存到全局變量數(shù)組ECCBuf中
ECCBuf[0]=(U8)(mecc0&0xff);
ECCBuf[1]=(U8)((mecc0>>8) & 0xff);
ECCBuf[2]=(U8)((mecc0>>16) & 0xff);
ECCBuf[3]=(U8)((mecc0>>24) & 0xff);

NF_SECC_UnLock();//解鎖spare區(qū)的ECC
//把main區(qū)的ECC值寫入到spare區(qū)的前4個字節(jié)地址內(nèi)，即第2048~2051地址
for(i=0;i<4;i++)
{
NF_WRDATA8(ECCBuf[i]);
}

NF_SECC_Lock();//鎖定spare區(qū)的ECC值
secc=rNFSECC;//讀取spare區(qū)的ECC校驗碼
//把ECC校驗碼保存到全局變量數(shù)組ECCBuf中
ECCBuf[4]=(U8)(secc&0xff);
ECCBuf[5]=(U8)((secc>>8) & 0xff);
//把spare區(qū)的ECC值繼續(xù)寫入到spare區(qū)的第2052~2053地址內(nèi)
for(i=4;i<6;i++)
{
NF_WRDATA8(ECCBuf[i]);
}

NF_CMD(CMD_WRITE2);//頁寫命令周期2

delay(1000);//延時一段時間，以等待寫操作完成

NF_CMD(CMD_STATUS);//讀狀態(tài)命令

//判斷狀態(tài)值的第6位是否為1，即是否在忙，該語句的作用與NF_DETECT_RB();相同
do{
stat = NF_RDDATA8();
}while(!(stat&0x40));

NF_nFCE_H();//關閉nandflash片選

//判斷狀態(tài)值的第0位是否為0，為0則寫操作正確，否則錯誤
if (stat & 0x1)
{
temp = rNF_MarkBadBlock(page_number>>6);//標注該頁所在的塊為壞塊
if (temp == 0x21)
return 0x43//標注壞塊失敗
else
return 0x44;//寫操作失敗
}
else
return 0x66;//寫操作成功
}

該段程序先判斷該頁所在的壞是否為壞塊，如果是則退出。在最后寫操作失敗后，還要標注該頁所在的塊為壞塊，其中所用到的函數(shù)rNF_IsBadBlock和rNF_MarkBadBlock，我們在后面介紹。我們再總結一下該程序所返回數(shù)值的含義，0x42：表示該頁所在的塊為壞塊；0x43：表示寫操作失敗，并且在標注該頁所在的塊為壞塊時也失?。?x44：表示寫操作失敗，但是標注壞塊成功；0x66：寫操作成功。

擦除是以塊為單位進行的，因此在寫地址周期是，只需寫三個行周期，并且要從A18開始寫起。與寫操作一樣，在擦除結束前還要判斷是否擦除操作成功，另外同樣也存在需要判斷是否為壞塊以及要標注壞塊的問題。下面就給出一段具體的塊擦除操作程序：

U8 rNF_EraseBlock(U32 block_number)
{
char stat, temp;

temp = rNF_IsBadBlock(block_number);//判斷該塊是否為壞塊
if(temp == 0x33)
return 0x42;//是壞塊，返回

NF_nFCE_L();//打開片選
NF_CLEAR_RB();//清RnB信號

NF_CMD(CMD_ERASE1);//擦除命令周期1

//寫入3個地址周期，從A18開始寫起
NF_ADDR((block_number << 6) & 0xff);//行地址A18~A19
NF_ADDR((block_number >> 2) & 0xff);//行地址A20~A27
NF_ADDR((block_number >> 10) & 0xff);//行地址A28

NF_CMD(CMD_ERASE2);//擦除命令周期2

delay(1000);//延時一段時間

NF_CMD(CMD_STATUS);//讀狀態(tài)命令

//判斷狀態(tài)值的第6位是否為1，即是否在忙，該語句的作用與NF_DETECT_RB();相同
do{
stat = NF_RDDATA8();
}while(!(stat&0x40));

NF_nFCE_H();//關閉nandflash片選

//判斷狀態(tài)值的第0位是否為0，為0則擦除操作正確，否則錯誤
if (stat & 0x1)
{
temp = rNF_MarkBadBlock(page_number>>6);//標注該塊為壞塊
if (temp == 0x21)
return 0x43//標注壞塊失敗
else
return 0x44;//擦除操作失敗
}
else
return 0x66;//擦除操作成功
}

該程序的輸入?yún)?shù)為K9F2G08U0A的第幾塊，例如我們要擦除第2001塊，則調(diào)用該函數(shù)為：rNF_EraseBlock(2001)。

K9F2G08U0A除了提供了頁讀和頁寫功能外，還提供了頁內(nèi)地址隨意讀、寫功能。頁讀和頁寫是從頁的首地址開始讀、寫，而隨意讀、寫實現(xiàn)了在一頁范圍內(nèi)任意地址的讀、寫。隨意讀操作是在頁讀操作后輸入隨意讀命令和頁內(nèi)列地址，這樣就可以讀取到列地址所指定地址的數(shù)據(jù)。隨意寫操作是在頁寫操作的第二個頁寫命令周期前，輸入隨意寫命令和頁內(nèi)列地址，以及要寫入的數(shù)據(jù)，這樣就可以把數(shù)據(jù)寫入到列地址所指定的地址內(nèi)。下面兩段程序實現(xiàn)了隨意讀和隨意寫功能，其中隨意讀程序的輸入?yún)?shù)分別為頁地址和頁內(nèi)地址，輸出參數(shù)為所讀取到的數(shù)據(jù)，隨意寫程序的輸入?yún)?shù)分別為頁地址，頁內(nèi)地址，以及要寫入的數(shù)據(jù)。

U8 rNF_RamdomRead(U32 page_number, U32 add)
{
NF_nFCE_L();//打開nandflash片選
NF_CLEAR_RB();//清RnB信號

NF_CMD(CMD_READ1);//頁讀命令周期1

//寫入5個地址周期
NF_ADDR(0x00);//列地址A0~A7
NF_ADDR(0x00);//列地址A8~A11
NF_ADDR((page_number) & 0xff);//行地址A12~A19
NF_ADDR((page_number >> 8) & 0xff);//行地址A20~A27
NF_ADDR((page_number >> 16) & 0xff);//行地址A28

NF_CMD(CMD_READ2);//頁讀命令周期2

NF_DETECT_RB();//等待RnB信號變高，即不忙

NF_CMD(CMD_RANDOMREAD1);//隨意讀命令周期1
//頁內(nèi)地址
NF_ADDR((char)(add&0xff));//列地址A0~A7
NF_ADDR((char)((add>>8)&0x0f));//列地址A8~A11
NF_CMD(CMD_RANDOMREAD2);//隨意讀命令周期2

return NF_RDDATA8();//讀取數(shù)據(jù)
}

U8 rNF_RamdomWrite(U32 page_number, U32 add, U8 dat)
{
U8 temp,stat;

NF_nFCE_L();//打開nandflash片選
NF_CLEAR_RB();//清RnB信號

NF_CMD(CMD_WRITE1);//頁寫命令周期1

//寫入5個地址周期
NF_ADDR(0x00);//列地址A0~A7
NF_ADDR(0x00);//列地址A8~A11
NF_ADDR((page_number) & 0xff);//行地址A12~A19
NF_ADDR((page_number >> 8) & 0xff);//行地址A20~A27
NF_ADDR((page_number >> 16) & 0xff);//行地址A28

NF_CMD(CMD_RANDOMWRITE);//隨意寫命令
//頁內(nèi)地址
NF_ADDR((char)(add&0xff));//列地址A0~A7
NF_ADDR((char)((add>>8)&0x0f));//列地址A8~A11

NF_WRDATA8(dat);//寫入數(shù)據(jù)

NF_CMD(CMD_WRITE2);//頁寫命令周期2

delay(1000);//延時一段時間

NF_CMD(CMD_STATUS);//讀狀態(tài)命令

//判斷狀態(tài)值的第6位是否為1，即是否在忙，該語句的作用與NF_DETECT_RB();相同
do{
stat =NF_RDDATA8();
}while(!(stat&0x40));

NF_nFCE_H();//關閉nandflash片選

//判斷狀態(tài)值的第0位是否為0，為0則寫操作正確，否則錯誤
if (stat & 0x1)
return 0x44;//失敗
else
return 0x66;//成功
}

下面介紹上文中提到的判斷壞塊以及標注壞塊的那兩個程序：rNF_IsBadBlock和rNF_MarkBadBlock。在這里，我們定義在spare區(qū)的第6個地址（即每頁的第2054地址）用來標注壞塊，0x44表示該塊為壞塊。要判斷壞塊時，利用隨意讀命令來讀取2054地址的內(nèi)容是否為0x44，要標注壞塊時，利用隨意寫命令來向2054地址寫0x33。下面就給出這兩個程序，它們的輸入?yún)?shù)都為塊地址，也就是即使僅僅一頁出現(xiàn)問題，我們也標注整個塊為壞塊。

U8 rNF_IsBadBlock(U32 block)
{
return rNF_RamdomRead(block*64, 2054);
}

U8 rNF_MarkBadBlock(U32 block)
{
U8 result;

result = rNF_RamdomWrite(block*64, 2054, 0x33);

if(result == 0x44)
return 0x21;//寫壞塊標注失敗
else
return 0x60;//寫壞塊標注成功
}

關于nandflash的基本操作就講解到這里，當然nandflash還有一些其他復雜的操作，如邏輯地址與物理地址的轉換，壞塊的替代等，這些內(nèi)容本文就不再介紹了