ARM是32位，地址空間是2的32次冪，4G地址空間。所有的外設(shè)（FLASH,RAM,SD卡等等）都映射到這4G的空間上。比如大部分ARM7都把RAM映射到0x40000000,所以對RAM的操作就在0X40000000開始的地址上。FLASH從0X0開始。使用FLASH還要考慮地址重映射，就是選擇片內(nèi)FLASH或片外FLASH。
FLASH一般是8位或16位，當它接到32位的ARM上時，地址位就會錯位。對于16位FLASH，F(xiàn)LASH的A0要接ARM的A1。對于8位FLASH，F(xiàn)LASH的A0要接ARM的A0。ARM的A0對應(yīng)8位，ARM的A1對應(yīng)16位，ARM的A2對應(yīng)32位，如果FLASH是32位，那么FLASH的A0接ARM的A2
32位的FLASH，F(xiàn)LASH的A0要接ARM的A2，因為32位地址表示4個字節(jié)，每次要跳4個字節(jié)的話，那么就是從A2開始才變化，A1 A0不變化
本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/201611/321046.htm16位的FLASH，F(xiàn)LASH的A0要接ARM的A1，因為16位地址表示2個字節(jié)，每次要跳2個字節(jié)的話，那么就是從A1開始才變化，A0不變化
8位的FLASH，F(xiàn)LASH的A0要接ARM的A0，因為8位地址表示1個字節(jié)，每次要跳1個字節(jié)的話，那么就是從A0開始才變化。
對于 16位的FLASH ，我們可以這樣認為：16位存儲器的設(shè)計者將低位A[0]省掉了，我們只要讀取一次就可以得到兩個字節(jié)，讀取的
這個地址對應(yīng)于ARM發(fā)出的地址的A[21..1]，即實際上是存儲器需要的偶地址（偶地址是針對ARM發(fā)出的地址而言的）。
LPC2200，S3C2410A,S3C2440等都是上述這樣的，當然也有不同的。
IMX27和BF537這兩款CPU都是不管存儲器是多少位的的,都是直接A0-B0,沒有任何考慮錯位的情況，是因為他們的存儲控制器已經(jīng)內(nèi)部作了處理
了,三星的如S3C2443S3C2450S3C6410等后續(xù)的也都是這樣子了
再來看看外部總線配置EMC和外部總線功能引腳的關(guān)系：
OE：輸出使能 OUT EABLE
WE：WRITE EABLE 寫入使能
CE：chip EABLE 片選
ALE：地址鎖存使能（ADRESS LOCK EABLE）
BLS：字節(jié)選擇信號
重點看 WE BLS 的關(guān)系
在LPC2200系列ARM中，為了適應(yīng)外部存儲器組的寬度和類型，EMC提供了一組字節(jié)選擇信號，要實現(xiàn)這些功能，需要對相應(yīng)存儲器配置寄存器中的RBLE位進行設(shè)定。
對外部存儲器組進行寫訪問時，RBLE位決定WE信號是否有效；
對外部存儲器組進行讀訪問時，RBLE位決定BLSn信號是否有效。
外部存儲器的接口取決于存儲器組的寬度（32位、16位、8位，由BCFG的MW位決定）。而且，存儲器芯片的選擇也需要對BCFG寄存器的RBLE位進行適當?shù)脑O(shè)置。選擇8位或者不按字節(jié)區(qū)分的的存儲器的時候，RBLE位應(yīng)該為0，在讀訪問期間EMC將BLS[3:0]拉高。當存儲器組為含有字節(jié)選擇選擇輸入的16位或32位存儲器組成的時候，RBLE位應(yīng)該為1，在讀訪問期間EMC將BLS[3:0]拉低。注意這里沒有對RBLE為0或1的時候，寫訪問期間BLS[3:0]引腳的電平作出交代。
以16位寬的存儲器組連接16位的存儲器芯片為例（這種情況比較常見，周立功的easyarm2200就是這樣的）。很顯然這里RBLE位應(yīng)該為1。
BLS[1]、BLS[0]分別接到了存儲器芯片的UB、LB腳。作為16位的存儲器芯片，要取得16位寬度的字，無論是讀訪問還是寫訪問，UB和LB位都必須為低電平0。作為16位的ram，程序中不可避免的存在對它的寫操作。程序能正常運行就說明對它的寫操作是成功的?？梢赃M一步推斷在寫訪問期間，BLS[1] 、BLS[0]是低電平的。當存儲器組為含有字節(jié)選擇選擇輸入的16位或32位存儲器組成的時候，RBLE位應(yīng)該為1，在讀訪問期間EMC將BLS[3:0]拉低。在寫訪問周期EMC同樣是將BLS[3:0]拉低。
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