單片機(jī)接口分析與存儲(chǔ)器擴(kuò)展
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1 TMS320F2812外部接口的特點(diǎn)
TMS320F2812外部接口（XINTF）采用異步非復(fù)用模式總線，與C240x外部接口類似，但也作了改進(jìn)：
① TMS320LF240x系列，程序空間、數(shù)據(jù)空間和I/O空間都映射在相同的地址（0000~FFFF），最大可尋址192 KB,對(duì)它們的訪問是通過不同的指令來區(qū)分的，例如可用IN或OUT指令訪問外部I/O空間；而在TMS320F2812中，外部接口被映射到5個(gè)獨(dú)立的存儲(chǔ)空間XZCS0、XZCS1、XZCS2、XZCS6、XZCS7,每個(gè)存儲(chǔ)空間具有獨(dú)立的地址，最多可尋址4 MB.
?、?TMS320F2812中，有的存儲(chǔ)空間共用1個(gè)片選信號(hào)，如Zone0和Zone1共用XZCS0AND1,Zone6和Zone7共用XZCS6AND7.各空間均可獨(dú)立設(shè)置讀、寫信號(hào)的建立時(shí)間、激活時(shí)間及保持時(shí)間。
對(duì)任何外部空間讀/寫操作的時(shí)序都可以分成3部分：建立、激活和保持，時(shí)序如圖1和圖2所示。在建立（lead）階段，訪問存儲(chǔ)空間的片選信號(hào)變?yōu)榈碗娖讲⑶业刂繁凰偷降刂房偩€（XA）上。默認(rèn)情況下該階段的時(shí)間設(shè)置為最大，為6個(gè)XTIMCLK周期。在激活（active）階段，對(duì)外部設(shè)備進(jìn)行讀寫，相應(yīng)的讀寫信號(hào)（XRD和XWD）變?yōu)榈碗娖剑瑫r(shí)數(shù)據(jù)被送到數(shù)據(jù)總線（XD）上。默認(rèn)情況下讀寫該階段的時(shí)間均設(shè)置為14個(gè)XTIMCLK周期。跟蹤（trail）階段是指讀寫信號(hào)變?yōu)楦唠娖?，但片選信號(hào)仍保持低電平的一段時(shí)間周期，默認(rèn)情況下該階段時(shí)間設(shè)置為6個(gè)XTIMCLK周期。因此，在編程時(shí)要根據(jù)外部設(shè)備的接口時(shí)序來設(shè)置XINTF的時(shí)序，從而正確地對(duì)外設(shè)讀寫。
2 擴(kuò)展存儲(chǔ)器硬件設(shè)計(jì)
2.1 外部存儲(chǔ)器與TMS320F2812的接口電路設(shè)計(jì)
TMS320F2812內(nèi)置18 KB RAM.為了使用方便，本系統(tǒng)又?jǐn)U展了256 KB SARAM,芯片選用IS61LV25616（256K×16位），其數(shù)據(jù)訪問時(shí)間為10 ns.由于TMS320F2812采用統(tǒng)一尋址方式，因此擴(kuò)展的SARAM既可以作程序存儲(chǔ)器也可以作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。同時(shí)，為了保存掉電不丟失的數(shù)據(jù)，擴(kuò)展了32 KBEEPROM,選用AT28LV256,32K×8位，用2片組成32K×16位。外擴(kuò)存儲(chǔ)器與TMS320F2812的接口電路如圖3所示，將SARAM分配在ZONE2,地址范圍為0x80000~0xBFFFF,片選信號(hào)與TMS320F2812的XZCS2相連。EEPROM分配在ZONE6,地址范圍為0x10000~0x107FFF,片選信號(hào)XZCS6AND7.
評(píng)論