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STM32F10x Flash 模擬 EEPROM

作者： 時(shí)間：2016-11-26 來源：網(wǎng)絡(luò) 收藏
STM32F10x芯片本身沒有集成EEPROM，替代方案是用片上Flash來模擬EEPROM。Flash與EEPROM的區(qū)別主要是：一、EEPROM可以按位擦寫，而Flash只能按塊（頁(yè)）擦除；二、Flash的擦除壽命約1 萬(wàn)次，較EEPROM低一個(gè)量級(jí)。ST網(wǎng)站有個(gè)Flash模擬EEPROM的范例：AN2594: EEPROM emulation in STM32F10x microcontrollers（包括源碼和文檔）。范例在保存修改的數(shù)據(jù)時(shí)，以寫入新數(shù)據(jù)來替代對(duì)原數(shù)據(jù)的修改，并使用兩個(gè)頁(yè)面輪流寫入，單頁(yè)寫滿后進(jìn)行數(shù)據(jù)遷移，再一次性擦除舊頁(yè)面。這個(gè)策略可以有效降低Flash擦除次數(shù)。

　　不過，范例代碼只能保存固定大小的數(shù)據(jù)（16bits），雖然容易改成不同的固定大小，但實(shí)際用起來還是很不方便。我改寫了一下，新的特性包括：

本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/201611/321584.htm
  • 支持不同大小數(shù)據(jù)（字符數(shù)組、結(jié)構(gòu)體等）的混合存儲(chǔ)；
  • 增加對(duì)數(shù)據(jù)的校驗(yàn)和（Checksum）檢查。

　　附件提供了源碼。使用方法很簡(jiǎn)單，比如要保存一個(gè)字符數(shù)組title和一個(gè)point結(jié)構(gòu)體：

#include"eeprom.h"
#defineTITLE_SIZE80
#defineTITLE_KEY1
#definePOINT_KEY2
typedefstruct{
floatx;
floaty;
floatz;
}Point;
chartitle[TITLE_SIZE]="eepromteststring.";
Pointpoint;

　　執(zhí)行必要的初始化操作后，就可以進(jìn)行寫入和讀?。?/p>

uint16_tresult=0;
FLASH_Unlock();
EE_Init();
result=memcpy_to_eeprom_with_checksum(TITLE_KEY,title,TITLE_SIZE);
result=memcpy_to_eeprom_with_checksum(POINT_KEY,&point,sizeof(point));
result=memcpy_from_eeprom_with_checksum(title,TITLE_KEY,TITLE_SIZE);
result=memcpy_from_eeprom_with_checksum(&point,POINT_KEY,sizeof(point));

　　實(shí)現(xiàn)混合存儲(chǔ)的辦法，是給每個(gè)變量附加8字節(jié)的控制信息。因此，在存儲(chǔ)小數(shù)據(jù)時(shí)會(huì)有較大的空間損耗，而在存儲(chǔ)較大的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)時(shí)空間利用率更高（相對(duì)于范例）。代碼是針對(duì)STM32F103VE的實(shí)現(xiàn)。不同芯片需要對(duì)應(yīng)修改頭文件中EEPROM_START_ADDRESS的定義：

#defineEEPROM_START_ADDRESS((uint32_t)0x0807F000)

附件：STM32F10x_EEPROM_Emulation.zip

關(guān)鍵詞： STM32F10xFlash模擬EEPRO

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