STM32對內(nèi)部Flash的保護(hù)措施

所有STM32的芯片都提供對Flash的保護(hù)，防止對Flash的非法訪問 - 寫保護(hù)和讀保護(hù)。
1)、讀保護(hù)即大家通常說的“加密”，是作用于整個Flash存儲區(qū)域。一旦設(shè)置了Flash的讀保護(hù)，內(nèi)置的Flash存儲區(qū)只能通過程序的正常執(zhí)行才能讀出，而不能通過下述任何一種方式讀出：
通過調(diào)試器(JTAG或SWD)；
從RAM中啟動并執(zhí)行的程序；
2)、寫保護(hù)是以四頁(1KB/頁) Flash存儲區(qū)為單位提供寫保護(hù)，對被保護(hù)的頁實(shí)施編程或擦除操作將不被執(zhí)行，同時產(chǎn)生操作錯誤標(biāo)志。
讀與寫設(shè)置的效果見下表：
讀保護(hù) 寫保護(hù)對Flash的操作功能
有效 有效 CPU只能讀，禁止調(diào)試和非法訪問。
有效 無效 CPU可以讀寫，禁止調(diào)試和非法訪問，頁0~3為寫保護(hù)。
無效 有效 CPU可讀，允許調(diào)試和非法訪問。
無效 無效 CPU可以讀寫，允許調(diào)試和非法訪問。
2、當(dāng)Flash讀保護(hù)生效時，CPU執(zhí)行程序可以讀受保護(hù)的Flash區(qū)，但存在兩個例外情況：
1)、調(diào)試執(zhí)行程序時；
2)、從RAM啟動并執(zhí)行程序時
STM32還提供了一個特別的保護(hù)，即對Flash存儲區(qū)施加讀保護(hù)后，即使沒有啟用寫保護(hù)，F(xiàn)lash的第 0 ～ 3 頁也將處于寫保護(hù)狀態(tài)，這是為了防止修改復(fù)位或中斷向量而跳轉(zhuǎn)到RAM區(qū)執(zhí)行非法程序代碼。
3、Flash保護(hù)相關(guān)函數(shù)
FLASH_Unlock();//Flash解鎖
FLASH_ReadOutProtection(DISABLE);//Flash讀保護(hù)禁止
FLASH_ReadOutProtection(ENABLE);//Flash讀保護(hù)允許

以下摘自論壇：

http://www.openedv.com/posts/list/9353.htm

(1)設(shè)置讀保護(hù)
intmain(void)
{
....
if(FLASH_GetReadOutProtectionStatus()!=SET)
{
//FLASH_Unlock();
FLASH_ReadOutProtection(ENABLE);
}
......
while(1)
{
.....
}
}
讀保護(hù)后無法使用j-link將程序讀出，當(dāng)然也無法在線仿真了

這個寫到程序當(dāng)中并執(zhí)行過后，使用j-link就不能‘讀出’程序了，就是‘讀保護(hù)’了！我已經(jīng)試過了，沒有使用此程序可以讀出下載到芯片中的程序，但是如果使用了此程序就無法讀出程序了。
但是也無法再次燒寫新的程序到芯片中了（要測試請慎重?。。。。。。?br />可以再主程序當(dāng)中設(shè)置一按鍵專門清除“讀保護(hù)”，一旦按下按鍵則清除“讀保護(hù)”時芯片可以重新被燒寫。(我沒有怎么做現(xiàn)在后悔死了！)
方法二：補(bǔ)救的方法，專門寫一個清除“讀保護(hù)”程序，使用RAM中運(yùn)行程序的方法，運(yùn)行此程序解鎖“讀保護(hù)”。明天再去測試下，此方法。

在主程序中，通過一個按鍵，寫入取消“讀保護(hù)”
if(FLASH_GetReadOutProtectionStatus()!=RESET)
{
FLASH_Unlock();
FLASH_ReadOutProtection(DISABLE);
}
使用j-link，可以正常讀寫程序和在線調(diào)試。
如果沒有在主程序中有寫這條指令，此芯片就無法再次燒寫程序（可以擦出但是擦出后還是無法燒寫程序）。
只有通過將此取消“讀保護(hù)”程序，燒寫到RAM中運(yùn)行后，才能取消“讀保護(hù)”（要嘗試的請慎重！?。e救不會來就糟糕了）