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51單片機主要引腳功能

作者: 時間:2016-11-26 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201611/321945.htm

XTAL1(19 腳)和XTAL2(18 腳)為振蕩器輸入輸出端口,外接12MHz 晶振。

RST/Vpd(9 腳)為復(fù)位輸入端口,外接電阻電容組成的復(fù)位電路。

VCC(40 腳)和VSS(20 腳)為供電端口,分別接+5V電源的正負端。

P0~P3 為可編程通用I/O 腳,其功能用途由軟件定義

P0 口:P0 口是一組8 位漏極開路型雙向I/O 口, 也即地址/數(shù)據(jù)總線復(fù)用口。作為輸出口用時,每位能吸收電流的方式驅(qū)動8 個TTL邏輯門電路,對端口P0 寫“1”時,可作為高阻抗輸入端用。在訪問外部數(shù)據(jù)存儲器或程序存儲器時,這組口線分時轉(zhuǎn)換地址(低8 位)和數(shù)據(jù)總線復(fù)用,在訪問期間激活內(nèi)部上拉電阻。在Flash 編程時,P0 口接收指令字節(jié),而在程序校驗時,輸出指令字節(jié),校驗時,要求外接上拉電阻。

P1 口:P1 是一個帶內(nèi)部上拉電阻的8 位雙向I/O 口, P1 的輸出緩沖級可驅(qū)動(吸收或輸出電流)4 個TTL 邏輯門電路。對端口寫“1”,通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平,此時可作輸入口。作輸入口使用時,因為內(nèi)部存在上拉電阻,某個引腳被外部信號拉低時會輸出一個電流(IIL)。

 P2 口:P2 是一個帶有內(nèi)部上拉電阻的8 位雙向I/O 口,P2 的輸出緩沖級可驅(qū)動(吸收或輸出電流)4 個TTL 邏輯門電路。對端口P2 寫“1”,通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平,此時可作輸入口,作輸入口使用時,因為內(nèi)部存在上拉電阻,某個引腳被外部信號拉低時會輸出一個電流(IIL)。

 P3 口:P3 口是一組帶有內(nèi)部上拉電阻的8 位雙向I/O 口。P3 口輸出緩沖級可驅(qū)動(吸收或輸出電流)4 個TTL 邏輯門電路。對P3 口寫入“1”時,它們被內(nèi)部上拉電阻拉高并可作為輸入端口。此時,被外部拉低的P3 口將用上拉電阻輸出電流(IIL)。

  P3 口除了作為一般的I/O 口線外,更重要的用途是它的第二功能

  P3 口還接收一些用于Flash 閃速存儲器編程和程序校驗的控制信號。

RST:復(fù)位輸入。當(dāng)振蕩器工作時,RST引腳出現(xiàn)兩個機器周期以上高電平將使單片機復(fù)位。

ALE/PROG:當(dāng)訪問外部程序存儲器或數(shù)據(jù)存儲器時,ALE(地址鎖存允許)輸出脈沖用于鎖存地址的低8 位字節(jié)。一般情況下,ALE 仍以時鐘振蕩頻率的1/6 輸出固定的脈沖信號,因此它可對外輸出時鐘或用于定時目的。要注意的是:每當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時將跳過一個ALE 脈沖。對Flash 存儲器編程期間,該引腳還用于輸入編程脈沖(PROG)。如有必要,可通過對特殊功能寄存器(SFR)區(qū)中的8EH 單元的D0 位置位,可禁止ALE 操作。該位置位后,只有一條MOVX 和MOVC指令才能將ALE 激活。此外,該引腳會被微弱拉高,單片機執(zhí)行外部程序時,應(yīng)設(shè)置ALE 禁止位無效。

PSEN:程序儲存允許(PSEN)輸出是外部程序存儲器的讀選通信號,當(dāng)AT89C52 由外部程序存儲器取指令(或數(shù)據(jù))時,每個機器周期兩次PSEN 有效,即輸出兩個脈沖。在此期間,當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲器,將跳過兩次PSEN信號。

EA/VPP:外部訪問允許。欲使CPU 僅訪問外部程序存儲器(地址為0000H—FFFFH),EA 端必須保持低電平(接地)。需注意的是:如果加密位LB1 被編程,復(fù)位時內(nèi)部會鎖存EA端狀態(tài)。如EA端為高電平(接Vcc端),CPU 則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲器中的指令。Flash 存儲器編程時,該引腳加上+12V 的編程允許電源Vpp,當(dāng)然這必須是該器件是使用12V 編程電壓Vpp。

XTAL1:振蕩器反相放大器的及內(nèi)部時鐘發(fā)生器的輸入端。

XTAL2:振蕩器反相放大器的輸出端。



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