新聞中心

EEPW首頁 > 嵌入式系統(tǒng) > 設(shè)計應(yīng)用 > TTL電平和CMOS電平的區(qū)別

TTL電平和CMOS電平的區(qū)別

作者: 時間:2016-11-26 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
1.TTL電平

輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4V。在室溫下,一般輸出高電平是3.5V,輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平:輸入高電平>=2.0V,輸入低電平<=0.8V,噪聲容限是 0.4V。
2.CMOS電平
1邏輯電平電壓接近于電源電壓,0邏輯電平接近于0V。而且具有很寬的噪聲容限。
3.電平轉(zhuǎn)換電路:
因?yàn)門TL和COMS的高低電平的值不一樣,所以互相連接時需要電平的轉(zhuǎn)換:就是用兩個電阻對電平分壓!
4.TTL和COMS電路比較:
(1)TTL電路是電流控制器件,而coms電路是電壓控制器件。
(2)TTL電路的速度快,傳輸延遲時間短(5-10ns),但是功耗大。
COMS電路的速度慢,傳輸延遲時間長(25-50ns),但功耗低。
COMS電路本身的功耗與輸入信號的脈沖頻率有關(guān),頻率越高,芯片集越熱,這是正?,F(xiàn)象。
(3)COMS電路的鎖定效應(yīng):
COMS電路由于輸入太大的電流,內(nèi)部的電流急劇增大,除非切斷電源,電流一直在增大。這種效應(yīng)就是鎖定效應(yīng)。當(dāng)產(chǎn)生鎖定效應(yīng)時,COMS的內(nèi)部電流能達(dá)到40mA以上,很容易燒毀芯片。
防御措施:
(1)在輸入端和輸出端加鉗位電路,使輸入和輸出不超過不超過規(guī)定電壓。
(2)芯片的電源輸入端加去耦電路,防止VDD端出現(xiàn)瞬間的高壓。
(3)在VDD和外電源之間加線流電阻,即使有大的電流也不讓它進(jìn)去。
(4)當(dāng)系統(tǒng)由幾個電源分別供電時,開關(guān)要按下列順序:開啟時,先開啟COMS電路得電源,再開啟輸入和負(fù)載的電源;關(guān)閉時,先關(guān)閉輸入信號和負(fù)載的電源,再關(guān)閉COMS

5.兼容性:
CMOS集成電路電源電壓可以在較大范圍內(nèi)變化,因而對電源的要求不像TTL集成電路那樣嚴(yán)格。所以,用TTL電平在條件允許下他們就可以兼容。要注意到他們的驅(qū)動能力是不一樣的,CMOS的驅(qū)動能力會大一些,有時候TTL的低電平觸發(fā)不了CMOS電路,有時CMOS的高電平會損壞TTL電路,在兼容性上需注意。
注:
1.CMOS是場效應(yīng)管構(gòu)成,TTL為雙極晶體管構(gòu)成
2.COMS的邏輯電平范圍比較大(5~15V),TTL只能在5V下工作
3.CMOS的高低電平之間相差比較大、抗干擾性強(qiáng),TTL則相差小,抗干擾能力差
4.CMOS功耗很小,TTL功耗較大(1~5mA/門)
5.CMOS的工作頻率較TTL略低,但是高速CMOS速度與TTL差不多相當(dāng)。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201611/322057.htm

舉例哪些是TTL?哪些是CMOS?

74系列;74S系列;74LS系列;74AS系列;74ALS系列等屬于TTL類型的集成電路

CD系列;74HC系列;74HCT系列;74BCT系列等屬于CMOS集成電路


LS、 HC 二者高電平低電平定義不同,HC高電平規(guī)定為0.7倍電源電壓,低電平規(guī)定為0.3倍電源電壓。LS規(guī)定高電平為2.0V,低電平為0.8V。 帶負(fù)載特性不同。HC上拉下拉能力相同,LS上拉弱而下拉強(qiáng)。 輸入特性不同。HC輸入電阻很高,輸入開路時電平不定。LS輸入內(nèi)部有上拉,輸入開路時為高電平。

74HC是CMOS電路,CMOS電路是MOS電路中的主導(dǎo)產(chǎn)品。MOS電路以絕緣場效應(yīng)晶體管為開關(guān)元件。所以又稱單極型集成電路。按其導(dǎo)電溝道的類型,MOS電路可分為PMOST 、NMOS和CMOS電路。CMOS電路沿著4000A--4000B/4500B(統(tǒng)一稱為4000B)--74HC--74HCT系列高速發(fā)展。 HCT系列還同TTL電平兼容,擴(kuò)大了應(yīng)用范圍。



關(guān)鍵詞: TTL電平CMOS電

評論


技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉