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【有問有答】LED芯片使用中的五大技術問題

作者: 時間:2016-12-04 來源:網(wǎng)絡 收藏

看見一個資深工程師自己在本站網(wǎng)站上總結(jié)了幾個LED芯片使用過程中經(jīng)常遇到的問題及如何解決,分享給大家,請看下文。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201612/326024.htm

  1、正向電壓降低,暗光:

  A:一種是電極與發(fā)光材料為歐姆接觸,但接觸電阻大,主要由材料襯底低濃度或電極缺損所致。

  B:一種是電極與材料為非歐姆接觸,主要發(fā)生在芯片電極制備過程中蒸發(fā)第一層電極時的擠壓印或夾印,分布位置。

  另外封裝過程中也可能造成正向壓降低,主要原因有銀膠固化不充分,支架或芯片電極沾污等造成接觸電阻大或接觸電阻不穩(wěn)定。

  正向壓降低的芯片在固定電壓測試時,通過芯片的電流小,從而表現(xiàn)暗點,還有一種暗光現(xiàn)象是芯片本身發(fā)光效率低,正向壓降正常。

  2、難壓焊:(主要有打不粘,電極脫落,打穿電極)

  A:打不粘:主要因為電極表面氧化或有膠

  B:有與發(fā)光材料接觸不牢和加厚焊線層不牢,其中以加厚層脫落為主。

  C:打穿電極:通常與芯片材料有關,材料脆且強度不高的材料易打穿電極,一般GAALAS材料(如高紅,紅外芯片)較GAP材料易打穿電極,

  D:壓焊調(diào)試應從焊接溫度,超聲波功率,超聲時間,壓力,金球大小,支架定位等進行調(diào)整。

3、發(fā)光顏色差異:

  A:同一張芯片發(fā)光顏色有明顯差異主要是因為外延片材料問題,ALGAINP四元素材料采用量子結(jié)構(gòu)很薄,生長是很難保證各區(qū)域組分一致。(組分決定禁帶寬度,禁帶寬度決定波長)。

  B:GAP黃綠芯片,發(fā)光波長不會有很大偏差,但是由于人眼對這個波段顏色敏感,很容易查出偏黃,偏綠。由于波長是外延片材料決定的,區(qū)域越小,出現(xiàn)顏色偏差概念越小,故在M/T作業(yè)中有鄰近選取法。

  C:GAP紅色芯片有的發(fā)光顏色是偏橙**,這是由于其發(fā)光機理為間接躍進。受雜質(zhì)濃度影響,電流密度加大時,易產(chǎn)生雜質(zhì)能級偏移和發(fā)光飽和,發(fā)光是開始變?yōu)槌?*。

  4、閘流體效應:

  A:是發(fā)光二極管在正常電壓下無法導通,當電壓加高到一定程度,電流產(chǎn)生突變。

  B:產(chǎn)生閘流體現(xiàn)象原因是發(fā)光材料外延片生長時出現(xiàn)了反向夾層,有此現(xiàn)象的LED在IF=20MA時測試的正向壓降有隱藏性,在使用過程是出于兩極電壓不夠大,表現(xiàn)為不亮,可用測試信息儀器從晶體管圖示儀測試曲線,也可以通過小電流IF=10UA下的正向壓降來發(fā)現(xiàn),小電流下的正向壓降明顯偏大,則可能是該問題所致。

  5、反向漏電:

  A:原因:外延材料,芯片制作,器件封裝,測試一般5V下反向漏電流為10UA,也可以固定反向電流下測試反向電壓。

  B:不同類型的LED反向特性相差大:普綠,普黃芯片反向擊穿可達到一百多伏,而普芯片則在十幾二十伏之間。

  C:外延造成的反向漏電主要由PN結(jié)內(nèi)部結(jié)構(gòu)缺陷所致,芯片制作過程中側(cè)面腐蝕不夠或有銀膠絲沾附在測面,嚴禁用有機溶液調(diào)配銀膠。以防止銀膠通過毛細現(xiàn)象爬到結(jié)區(qū)。



關鍵詞: LED芯片五大技

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